Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії

• Veröffentlicht in: Металлофизика и новейшие технологии
• Datum: 2014
• Hauptverfasser: Плющай, І.В., Плющай, О.І., Макара, В.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
• Schlagworte: Электронные структура и свойства
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106942
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії / І.В. Плющай, О.І. Плющай, В.А. Макара // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 5. — С. 589-596. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Методом функционала плотности в обобщённом градиентном приближении рассчитаны электронный спектр краевой дислокации в кристаллическом кремнии и электронный спектр сверхъячейки из 64 атомов Si, содержащей примесный атом кислорода в междоузельном положении. Методом функціоналу густини в узагальненому ґрадієнтному наближенні розраховано електронний спектр крайової дислокації в кристалічному кремнії та електронний спектр надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить домішковий атом кисню у міжвузловинному положенні. Both the electronic spectrum of the edge dislocation in crystalline Si and the electronic spectrum of supercell with 64 Si atoms and one oxygen atom in the interstitial position are calculated, using the density functional theory within the generalized gradient approximation.