Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії
Методом функционала плотности в обобщённом градиентном приближении рассчитаны электронный спектр краевой дислокации в кристаллическом кремнии и электронный спектр сверхъячейки из 64 атомов Si, содержащей примесный атом кислорода в междоузельном положении. Методом функціоналу густини в узагальненому...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106942 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії / І.В. Плющай, О.І. Плющай, В.А. Макара // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 5. — С. 589-596. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862665847917510656 |
|---|---|
| author | Плющай, І.В. Плющай, О.І. Макара, В.А. |
| author_facet | Плющай, І.В. Плющай, О.І. Макара, В.А. |
| citation_txt | Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії / І.В. Плющай, О.І. Плющай, В.А. Макара // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 5. — С. 589-596. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Металлофизика и новейшие технологии |
| description | Методом функционала плотности в обобщённом градиентном приближении рассчитаны электронный спектр краевой дислокации в кристаллическом кремнии и электронный спектр сверхъячейки из 64 атомов Si, содержащей примесный атом кислорода в междоузельном положении.
Методом функціоналу густини в узагальненому ґрадієнтному наближенні розраховано електронний спектр крайової дислокації в кристалічному кремнії та електронний спектр надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить домішковий атом кисню у міжвузловинному положенні.
Both the electronic spectrum of the edge dislocation in crystalline Si and the electronic spectrum of supercell with 64 Si atoms and one oxygen atom in the interstitial position are calculated, using the density functional theory within the generalized gradient approximation.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:18:38Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-106942 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1024-1809 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:18:38Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Плющай, І.В. Плющай, О.І. Макара, В.А. 2016-10-09T14:20:01Z 2016-10-09T14:20:01Z 2014 Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії / І.В. Плющай, О.І. Плющай, В.А. Макара // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 5. — С. 589-596. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. 1024-1809 PACS: 71.10.Fd, 71.20.Be, 71.27.+a, 71.28.+d, 71.55.Jv, 75.10.Lp, DOI: http://dx.doi.org/10.15407/mfint.36.05.0589 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106942 Методом функционала плотности в обобщённом градиентном приближении рассчитаны электронный спектр краевой дислокации в кристаллическом кремнии и электронный спектр сверхъячейки из 64 атомов Si, содержащей примесный атом кислорода в междоузельном положении. Методом функціоналу густини в узагальненому ґрадієнтному наближенні розраховано електронний спектр крайової дислокації в кристалічному кремнії та електронний спектр надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить домішковий атом кисню у міжвузловинному положенні. Both the electronic spectrum of the edge dislocation in crystalline Si and the electronic spectrum of supercell with 64 Si atoms and one oxygen atom in the interstitial position are calculated, using the density functional theory within the generalized gradient approximation. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Электронные структура и свойства Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії Ab initio расчёт магнитного взаимодействия краевой дислокации и примеси кислорода в кремнии Ab Initio Calculation of Magnetic Interaction Between Edge Dislocation and Oxygen Impurity in Silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії Плющай, І.В. Плющай, О.І. Макара, В.А. Электронные структура и свойства |
| title | Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії |
| title_alt | Ab initio расчёт магнитного взаимодействия краевой дислокации и примеси кислорода в кремнии Ab Initio Calculation of Magnetic Interaction Between Edge Dislocation and Oxygen Impurity in Silicon |
| title_full | Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії |
| title_fullStr | Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії |
| title_full_unstemmed | Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії |
| title_short | Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії |
| title_sort | ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії |
| topic | Электронные структура и свойства |
| topic_facet | Электронные структура и свойства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106942 |
| work_keys_str_mv | AT plûŝaiív abinitiorozrahunokmagnítnoívzaêmodííkraiovoídislokacíítadomíškikisnûvkremníí AT plûŝaioí abinitiorozrahunokmagnítnoívzaêmodííkraiovoídislokacíítadomíškikisnûvkremníí AT makarava abinitiorozrahunokmagnítnoívzaêmodííkraiovoídislokacíítadomíškikisnûvkremníí AT plûŝaiív abinitiorasčetmagnitnogovzaimodeistviâkraevoidislokaciiiprimesikislorodavkremnii AT plûŝaioí abinitiorasčetmagnitnogovzaimodeistviâkraevoidislokaciiiprimesikislorodavkremnii AT makarava abinitiorasčetmagnitnogovzaimodeistviâkraevoidislokaciiiprimesikislorodavkremnii AT plûŝaiív abinitiocalculationofmagneticinteractionbetweenedgedislocationandoxygenimpurityinsilicon AT plûŝaioí abinitiocalculationofmagneticinteractionbetweenedgedislocationandoxygenimpurityinsilicon AT makarava abinitiocalculationofmagneticinteractionbetweenedgedislocationandoxygenimpurityinsilicon |