Incoherent bremsstrahlung in flat and bent crystals

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2012
• Автори: Shul'ga, N.F., Syshchenko, V.V., Tarnovsky, A.I.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2012
• Теми: Section B. QED Processes at High Energies
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106986
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Incoherent bremsstrahlung in flat and bent crystals / N.F. Shul'ga, V.V. Syshchenko, A.I. Tarnovsky // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 1. — С. 74-78. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Incoherent bremsstrahlung by high-energy particles in crystal is due to the thermal spread of atoms in relation to their equilibrium positions in the lattice. The simulation procedure developed earlier for the incoherent radiation is applied to the case of the electrons and positrons motion in the sinusoidally bent crystal. The results of simulation are in agreement with the data of recent experiments carried out at the Mainz Microtron MAMI. The possibility of use of the sinusoidally bent crystals as undulators is discussed. Некогерентное тормозное излучение частиц высокой энергии в кристалле обусловлено тепловым разбросом атомов относительно их равновесных положений в решетке. Развитая ранее процедура моделирования некогерентного излучения применена к случаю движения электронов и позитронов в синусоидально изогнутом кристалле. Результаты моделирования согласуются с данными недавних экспериментов на микротроне MAMI в Майнце. Обсуждается перспективность использования синусоидально изогнутых кристаллов в качестве ондуляторов. Некогерентне гальмівне випромінювання частинок високої енергії у кристалі обумовлено тепловим розкидом атомів відносно їх рівноважних положень у решітці. Процедура моделювання некогерентного випромінювання, що розвита раніше, пристосовується до випадку руху електронів та позитронів у сiнусоiдально вигнутому кристалі. Результати моделювання знаходяться у відповідності до даних недавніх експериментів на мікротроні MAMI у Майнцi. Обговорюється перспективність використання сiнусоiдально вигнутих кристалів як ондуляторiв.