Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe
В работе исследованы вольт-амперные характеристики гетеропереходов вида MoRe—Si (W)—MoRe; при этом толщина и концентрация допанта полупроводникового барьера Si (W) изготовленных гетероструктур изменялись в широком диапазоне значений. Было установлено, что при относительно высоких концентрациях (5—9...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106989 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe / В.Е. Шатерник, М.А. Белоголовский, А.П. Шаповалов, А.Ю. Суворов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 8. — С. 999-1006. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862740082866257920 |
|---|---|
| author | Шатерник, В.Е. Белоголовский, М.А. Шаповалов, А.П. Суворов, А.Ю. |
| author_facet | Шатерник, В.Е. Белоголовский, М.А. Шаповалов, А.П. Суворов, А.Ю. |
| citation_txt | Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe / В.Е. Шатерник, М.А. Белоголовский, А.П. Шаповалов, А.Ю. Суворов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 8. — С. 999-1006. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Металлофизика и новейшие технологии |
| description | В работе исследованы вольт-амперные характеристики гетеропереходов вида MoRe—Si (W)—MoRe; при этом толщина и концентрация допанта полупроводникового барьера Si (W) изготовленных гетероструктур изменялись в широком диапазоне значений. Было установлено, что при относительно высоких концентрациях (5—9 ат.%) вольфрама в кремниевом барьере наблюдается резонансный туннельный эффект через локализованные уровни вольфрамовых кластеров. Одновременно при определённых условиях в таких переходах появляется сверхпроводящий ток Джозефсона, обусловленный многократными андреевскими отражениями боголюбовских квазичастиц (квазиэлектронов и квазидырок). Экспериментально наблюдаемый большой избыточный ток квазичастиц через переходы свидетельствует о существенном по величине вкладе в транспорт заряда от андреевских отражений на двух S/N-интерфейсах исследуемых джозефсоновских гетероструктур.
У роботі досліджено вольт-амперні характеристики гетеропереходів MoRe—Si (W)—MoRe; при цьому товщина та концентрація допанту напівпровідникового бар’єру Si (W) виготовлених гетероструктур змінювалися в широкому діяпазоні значень. Було встановлено, що за відносно високих концентрацій (5—9 ат.%) вольфраму в кремнійовому бар’єрі спостерігається резонансний тунельний ефект через локалізовані рівні вольфрамових кластерів. Одночасно за певних умов у таких переходах виникає Джозефсонів надпровідний струм, обумовлений багаторазовими Андрєєвськими відбиваннями Боголюбових квазичастинок (квазиелектронів та квазидірок). Експериментально спостережуваний великий надлишковий струм квазичастинок крізь переходи свідчить про наявність істотного за величиною внеску в транспорт заряду від Андрєєвських відбивань на двох S/N-інтерфейсах досліджуваних Джозефсонових гетероструктур.
Current—voltage characteristics of fabricated MoRe—Si(W)—MoRe heterojunctions are investigated in a wide range of changes in the parameters (such as thickness and dopant concentration) of the semiconductor Si (W) barriers. As found, at relatively high concentrations (5—9 at.%) of tungsten in the silicon barriers, a resonant tunnelling effect occurs through the localized levels of tungsten clusters. Simultaneously, under certain conditions, a superconducting Josephson current appears through such junctions and is conditioned by the multiple Andreev reflections of the Bogolyubov quasi-particles (quasi-electrons and quasi-holes) within them. The experimentally observed high quasi-particle excess current through the junctions indicates that there is a significant contribution of the Andreev reflections by the two S/N interfaces into the charge transport through the studied Josephson heterostructures.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:12:30Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-106989 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1024-1809 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:12:30Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Шатерник, В.Е. Белоголовский, М.А. Шаповалов, А.П. Суворов, А.Ю. 2016-10-10T18:48:13Z 2016-10-10T18:48:13Z 2014 Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe / В.Е. Шатерник, М.А. Белоголовский, А.П. Шаповалов, А.Ю. Суворов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 8. — С. 999-1006. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1024-1809 PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk, 73.40.Ns, 74.50.+r, 74.70.Ad, 85.25.Am, 85.25.Cp DOI: http://dx.doi.org/10.15407/mfint.36.08.0999 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106989 В работе исследованы вольт-амперные характеристики гетеропереходов вида MoRe—Si (W)—MoRe; при этом толщина и концентрация допанта полупроводникового барьера Si (W) изготовленных гетероструктур изменялись в широком диапазоне значений. Было установлено, что при относительно высоких концентрациях (5—9 ат.%) вольфрама в кремниевом барьере наблюдается резонансный туннельный эффект через локализованные уровни вольфрамовых кластеров. Одновременно при определённых условиях в таких переходах появляется сверхпроводящий ток Джозефсона, обусловленный многократными андреевскими отражениями боголюбовских квазичастиц (квазиэлектронов и квазидырок). Экспериментально наблюдаемый большой избыточный ток квазичастиц через переходы свидетельствует о существенном по величине вкладе в транспорт заряда от андреевских отражений на двух S/N-интерфейсах исследуемых джозефсоновских гетероструктур. У роботі досліджено вольт-амперні характеристики гетеропереходів MoRe—Si (W)—MoRe; при цьому товщина та концентрація допанту напівпровідникового бар’єру Si (W) виготовлених гетероструктур змінювалися в широкому діяпазоні значень. Було встановлено, що за відносно високих концентрацій (5—9 ат.%) вольфраму в кремнійовому бар’єрі спостерігається резонансний тунельний ефект через локалізовані рівні вольфрамових кластерів. Одночасно за певних умов у таких переходах виникає Джозефсонів надпровідний струм, обумовлений багаторазовими Андрєєвськими відбиваннями Боголюбових квазичастинок (квазиелектронів та квазидірок). Експериментально спостережуваний великий надлишковий струм квазичастинок крізь переходи свідчить про наявність істотного за величиною внеску в транспорт заряду від Андрєєвських відбивань на двох S/N-інтерфейсах досліджуваних Джозефсонових гетероструктур. Current—voltage characteristics of fabricated MoRe—Si(W)—MoRe heterojunctions are investigated in a wide range of changes in the parameters (such as thickness and dopant concentration) of the semiconductor Si (W) barriers. As found, at relatively high concentrations (5—9 at.%) of tungsten in the silicon barriers, a resonant tunnelling effect occurs through the localized levels of tungsten clusters. Simultaneously, under certain conditions, a superconducting Josephson current appears through such junctions and is conditioned by the multiple Andreev reflections of the Bogolyubov quasi-particles (quasi-electrons and quasi-holes) within them. The experimentally observed high quasi-particle excess current through the junctions indicates that there is a significant contribution of the Andreev reflections by the two S/N interfaces into the charge transport through the studied Josephson heterostructures. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Электронные структура и свойства Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe Надлишковий квазічастинковий струм у джозефсонівських гетероструктурах надпровідник—допований напівпровідник—надпровідник MoRe—Si (W)—MoRe Excess Quasi-Particle Current in Josephson Superconductor—Doped Semiconductor—Superconductor Heterostructures MoRe—Si (W)—MoRe Article published earlier |
| spellingShingle | Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe Шатерник, В.Е. Белоголовский, М.А. Шаповалов, А.П. Суворов, А.Ю. Электронные структура и свойства |
| title | Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe |
| title_alt | Надлишковий квазічастинковий струм у джозефсонівських гетероструктурах надпровідник—допований напівпровідник—надпровідник MoRe—Si (W)—MoRe Excess Quasi-Particle Current in Josephson Superconductor—Doped Semiconductor—Superconductor Heterostructures MoRe—Si (W)—MoRe |
| title_full | Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe |
| title_fullStr | Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe |
| title_full_unstemmed | Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe |
| title_short | Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe |
| title_sort | избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник more—si (w)—more |
| topic | Электронные структура и свойства |
| topic_facet | Электронные структура и свойства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106989 |
| work_keys_str_mv | AT šaternikve izbytočnyikvazičastičnyitokvdžozefsonovskihgeterostrukturahsverhprovodnikdopirovannyipoluprovodniksverhprovodnikmoresiwmore AT belogolovskiima izbytočnyikvazičastičnyitokvdžozefsonovskihgeterostrukturahsverhprovodnikdopirovannyipoluprovodniksverhprovodnikmoresiwmore AT šapovalovap izbytočnyikvazičastičnyitokvdžozefsonovskihgeterostrukturahsverhprovodnikdopirovannyipoluprovodniksverhprovodnikmoresiwmore AT suvorovaû izbytočnyikvazičastičnyitokvdžozefsonovskihgeterostrukturahsverhprovodnikdopirovannyipoluprovodniksverhprovodnikmoresiwmore AT šaternikve nadliškoviikvazíčastinkoviistrumudžozefsonívsʹkihgeterostrukturahnadprovídnikdopovaniinapívprovídniknadprovídnikmoresiwmore AT belogolovskiima nadliškoviikvazíčastinkoviistrumudžozefsonívsʹkihgeterostrukturahnadprovídnikdopovaniinapívprovídniknadprovídnikmoresiwmore AT šapovalovap nadliškoviikvazíčastinkoviistrumudžozefsonívsʹkihgeterostrukturahnadprovídnikdopovaniinapívprovídniknadprovídnikmoresiwmore AT suvorovaû nadliškoviikvazíčastinkoviistrumudžozefsonívsʹkihgeterostrukturahnadprovídnikdopovaniinapívprovídniknadprovídnikmoresiwmore AT šaternikve excessquasiparticlecurrentinjosephsonsuperconductordopedsemiconductorsuperconductorheterostructuresmoresiwmore AT belogolovskiima excessquasiparticlecurrentinjosephsonsuperconductordopedsemiconductorsuperconductorheterostructuresmoresiwmore AT šapovalovap excessquasiparticlecurrentinjosephsonsuperconductordopedsemiconductorsuperconductorheterostructuresmoresiwmore AT suvorovaû excessquasiparticlecurrentinjosephsonsuperconductordopedsemiconductorsuperconductorheterostructuresmoresiwmore |