Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe

• Published in: Металлофизика и новейшие технологии
• Date: 2014
• Main Authors: Шатерник, В.Е., Белоголовский, М.А., Шаповалов, А.П., Суворов, А.Ю.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
• Subjects: Электронные структура и свойства
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106989
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe / В.Е. Шатерник, М.А. Белоголовский, А.П. Шаповалов, А.Ю. Суворов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 8. — С. 999-1006. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

В работе исследованы вольт-амперные характеристики гетеропереходов вида MoRe—Si (W)—MoRe; при этом толщина и концентрация допанта полупроводникового барьера Si (W) изготовленных гетероструктур изменялись в широком диапазоне значений. Было установлено, что при относительно высоких концентрациях (5—9...