Моделювання та діягностика деформацій у приповерхневих шарах монокристалів ґадоліній-ґалієвого ґранату, імплантованих йонами F⁺

• Veröffentlicht in: Металлофизика и новейшие технологии
• Datum: 2014
• Hauptverfasser: Коцюбинський, В.О., Пилипів, В.М., Остафійчук, Б.К., Яремій, І.П., Гарпуль, О.З., Скакунова, О.С., Молодкін, В.Б., Оліховський, С.Й.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
• Schlagworte: Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/106994
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Моделювання та діягностика деформацій у приповерхневих шарах монокристалів ґадоліній-ґалієвого ґранату, імплантованих йонами F⁺ / В.О. Коцюбинський, В.М. Пилипів, Б.К. Остафійчук, І.П. Яремій, О.З. Гарпуль, О.С. Скакунова, В.Б. Молодкін, С.Й. Оліховський // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 8. — С. 1049-1057. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

На основі оброблення експериментальних даних високороздільчої Рентґенової дифрактометрії із застосуванням статистичної динамічної теорії дифракції Рентґенових променів у дефектних кристалах одержано розподіл пружніх деформацій за глибиною приповерхневого шару монокристалів ґадоліній-ґалієвого ґранату, яких було імплантовано йонами F⁺ з енергією у 90 кеВ. Проаналізовано залежність характеристик деформованого стану кристалу від дози йонної імплантації. На основе обработки экспериментальных данных рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения с применением статистической динамической теории дифракции рентгеновских лучей в дефектных кристаллах получены распределения упругой деформации по глубине приповерхностного слоя монокристаллов гадолиний-галлиевого граната, которые были имплантированы ионами F⁺ с энергией в 90 кэВ. Проанализирована зависимость характеристик деформированного состояния кристалла от дозы ионной имплантации. Elastic strain distributions through depth in the subsurface layer of gadolinium—gallium garnet single crystals implanted by F⁺ ions with energy of 90 keV are determined by means of the high-resolution X-ray diffraction measurement data processing with using the statistical dynamical theory of X-ray diffraction in imperfect crystals. The dependences of strained-crystal characteristics on the implantation dose are analysed.