Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза
Золь—гель-методом синтезированы плёнки с общей формулой SrBi₂Ta₂O₉ (SBT-плёнки). При формировании SBT-плёнок применялась методика послойного нанесения золя методом центрифугирования с последующей термообработкой каждого слоя при температуре 300°C в течение 5 минут. В качестве подложки использовали м...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107023 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза / В.В. Сидский, А.Г. Рыбаков, А.В. Семченко, И.Ю. Осипова, В.В. Колос, А.С. Турцевич, А.Н. Асадчий // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 9. — С. 1237-1246. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862739522706472960 |
|---|---|
| author | Сидский, В.В. Рыбаков, А.Г. Семченко, А.В. Осипова, И.Ю. Колос, В.В. Турцевич, А.С. Асадчий, А.Н. |
| author_facet | Сидский, В.В. Рыбаков, А.Г. Семченко, А.В. Осипова, И.Ю. Колос, В.В. Турцевич, А.С. Асадчий, А.Н. |
| citation_txt | Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза / В.В. Сидский, А.Г. Рыбаков, А.В. Семченко, И.Ю. Осипова, В.В. Колос, А.С. Турцевич, А.Н. Асадчий // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 9. — С. 1237-1246. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Металлофизика и новейшие технологии |
| description | Золь—гель-методом синтезированы плёнки с общей формулой SrBi₂Ta₂O₉ (SBT-плёнки). При формировании SBT-плёнок применялась методика послойного нанесения золя методом центрифугирования с последующей термообработкой каждого слоя при температуре 300°C в течение 5 минут. В качестве подложки использовали монокристаллический кремний с платиновым подслоем. Результаты рентгеновских исследований показывают, что при получении SBT-плёнок золь—гель-методом формирование фазы перовскита начинается при температуре 700°C и завершается в диапазоне 750—800°C. Исследование морфологии поверхности методом атомно-силовой микроскопии показало, что при термообработке в атмосфере кислорода при 750°C наблюдается более равномерное распределение зёрен по размерам. Полученная золь—гель-методом SBT-плёнка, отожжённая при температуре 750°C в течение 60 минут, имеет максимальный пик диэлектрической проницаемости на частоте 100 Гц при температуре Кюри Tk = 300—370°C, что свидетельствует о сегнетоэлектрических переходах в парафазе.
Золь—ґель-методою синтезовано плівки з загальною формулою SrBi₂Ta₂O₉ (SBT-плівки). При формуванні SBT-плівок застосовувалася методика пошарового нанесення золю методою центрифуґування з подальшою термообробкою кожного шару при температурі 300°C протягом 5 хвилин. Як підложжя використовували монокристалічний кремній з платиновим підшаром. Результати Рентґенівських досліджень показують, що при одержанні SBT-плівок золь—ґель-методою формування фази перовськіту починається при температурі 700°C та завершується в діяпазоні 750— 800°C. Дослідження морфології поверхні методою атомно-силової мікроскопії показало, що при термообробці в атмосфері кисню при 750°C спостерігається більш рівномірний розподіл зерен за розмірами. Одержана золь—ґель-методою SBT-плівка, що піддавалася відпалу при температурі 750°C протягом 60 хвилин, має максимальний пік діелектричної проникности на частоті 100 Гц при температурі Кюрі Tk = 300—370°C, що свідчить про сеґнетоелектричні переходи в парафазі.
Sol—gel SrBi₂Ta₂O₉ films (SBT films) are synthesized and their properties are investigated. Sol—gel SBT films are layered by centrifugation with following heat treatment of each layer at the temperature of 300°C during 5 minutes. Monocrystalline silicon with a platinum sublayer is used as a substrate. The results of X-ray studies show that, in the fabrication of SBT films by sol—gel method, the perovskite-phase formation begins at 700°C, and it is completed at 750—800°C. During the heat treatment at 750°C in oxygen atmosphere, more uniform distribution of the grain sizes over the surface is observed by atomic force microscopy. Sol—gel SBT films annealed at 750°C for 60 minutes have the dielectric constant maximum at 100 Hz at the Curie temperature Tk = 300—370°C, showing the ferroelectric transitions in the paraelectric phase.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:10:05Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-107023 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1024-1809 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:10:05Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сидский, В.В. Рыбаков, А.Г. Семченко, А.В. Осипова, И.Ю. Колос, В.В. Турцевич, А.С. Асадчий, А.Н. 2016-10-11T11:26:25Z 2016-10-11T11:26:25Z 2014 Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза / В.В. Сидский, А.Г. Рыбаков, А.В. Семченко, И.Ю. Осипова, В.В. Колос, А.С. Турцевич, А.Н. Асадчий // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 9. — С. 1237-1246. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1024-1809 PACS: 68.37.Ps, 68.55.J-, 68.55.Nq, 77.55.fb, 81.20.Fw, 81.40.Ef, 81.40.Tv DOI: http://dx.doi.org/10.15407/mfint.36.09.1237 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107023 Золь—гель-методом синтезированы плёнки с общей формулой SrBi₂Ta₂O₉ (SBT-плёнки). При формировании SBT-плёнок применялась методика послойного нанесения золя методом центрифугирования с последующей термообработкой каждого слоя при температуре 300°C в течение 5 минут. В качестве подложки использовали монокристаллический кремний с платиновым подслоем. Результаты рентгеновских исследований показывают, что при получении SBT-плёнок золь—гель-методом формирование фазы перовскита начинается при температуре 700°C и завершается в диапазоне 750—800°C. Исследование морфологии поверхности методом атомно-силовой микроскопии показало, что при термообработке в атмосфере кислорода при 750°C наблюдается более равномерное распределение зёрен по размерам. Полученная золь—гель-методом SBT-плёнка, отожжённая при температуре 750°C в течение 60 минут, имеет максимальный пик диэлектрической проницаемости на частоте 100 Гц при температуре Кюри Tk = 300—370°C, что свидетельствует о сегнетоэлектрических переходах в парафазе. Золь—ґель-методою синтезовано плівки з загальною формулою SrBi₂Ta₂O₉ (SBT-плівки). При формуванні SBT-плівок застосовувалася методика пошарового нанесення золю методою центрифуґування з подальшою термообробкою кожного шару при температурі 300°C протягом 5 хвилин. Як підложжя використовували монокристалічний кремній з платиновим підшаром. Результати Рентґенівських досліджень показують, що при одержанні SBT-плівок золь—ґель-методою формування фази перовськіту починається при температурі 700°C та завершується в діяпазоні 750— 800°C. Дослідження морфології поверхні методою атомно-силової мікроскопії показало, що при термообробці в атмосфері кисню при 750°C спостерігається більш рівномірний розподіл зерен за розмірами. Одержана золь—ґель-методою SBT-плівка, що піддавалася відпалу при температурі 750°C протягом 60 хвилин, має максимальний пік діелектричної проникности на частоті 100 Гц при температурі Кюрі Tk = 300—370°C, що свідчить про сеґнетоелектричні переходи в парафазі. Sol—gel SrBi₂Ta₂O₉ films (SBT films) are synthesized and their properties are investigated. Sol—gel SBT films are layered by centrifugation with following heat treatment of each layer at the temperature of 300°C during 5 minutes. Monocrystalline silicon with a platinum sublayer is used as a substrate. The results of X-ray studies show that, in the fabrication of SBT films by sol—gel method, the perovskite-phase formation begins at 700°C, and it is completed at 750—800°C. During the heat treatment at 750°C in oxygen atmosphere, more uniform distribution of the grain sizes over the surface is observed by atomic force microscopy. Sol—gel SBT films annealed at 750°C for 60 minutes have the dielectric constant maximum at 100 Hz at the Curie temperature Tk = 300—370°C, showing the ferroelectric transitions in the paraelectric phase. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза Залежність структурних властивостей SBT-плівок від температури синтезу Dependence of the Structural Properties of Ferroelectric SrBi₂Ta₂O₉ Films on the Temperature of Synthesis Article published earlier |
| spellingShingle | Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза Сидский, В.В. Рыбаков, А.Г. Семченко, А.В. Осипова, И.Ю. Колос, В.В. Турцевич, А.С. Асадчий, А.Н. Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов |
| title | Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза |
| title_alt | Залежність структурних властивостей SBT-плівок від температури синтезу Dependence of the Structural Properties of Ferroelectric SrBi₂Ta₂O₉ Films on the Temperature of Synthesis |
| title_full | Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза |
| title_fullStr | Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза |
| title_full_unstemmed | Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза |
| title_short | Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза |
| title_sort | зависимость структурных свойств sbt-плёнок от температуры синтеза |
| topic | Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов |
| topic_facet | Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107023 |
| work_keys_str_mv | AT sidskiivv zavisimostʹstrukturnyhsvoistvsbtplenokottemperaturysinteza AT rybakovag zavisimostʹstrukturnyhsvoistvsbtplenokottemperaturysinteza AT semčenkoav zavisimostʹstrukturnyhsvoistvsbtplenokottemperaturysinteza AT osipovaiû zavisimostʹstrukturnyhsvoistvsbtplenokottemperaturysinteza AT kolosvv zavisimostʹstrukturnyhsvoistvsbtplenokottemperaturysinteza AT turcevičas zavisimostʹstrukturnyhsvoistvsbtplenokottemperaturysinteza AT asadčiian zavisimostʹstrukturnyhsvoistvsbtplenokottemperaturysinteza AT sidskiivv zaležnístʹstrukturnihvlastivosteisbtplívokvídtemperaturisintezu AT rybakovag zaležnístʹstrukturnihvlastivosteisbtplívokvídtemperaturisintezu AT semčenkoav zaležnístʹstrukturnihvlastivosteisbtplívokvídtemperaturisintezu AT osipovaiû zaležnístʹstrukturnihvlastivosteisbtplívokvídtemperaturisintezu AT kolosvv zaležnístʹstrukturnihvlastivosteisbtplívokvídtemperaturisintezu AT turcevičas zaležnístʹstrukturnihvlastivosteisbtplívokvídtemperaturisintezu AT asadčiian zaležnístʹstrukturnihvlastivosteisbtplívokvídtemperaturisintezu AT sidskiivv dependenceofthestructuralpropertiesofferroelectricsrbi2ta2o9filmsonthetemperatureofsynthesis AT rybakovag dependenceofthestructuralpropertiesofferroelectricsrbi2ta2o9filmsonthetemperatureofsynthesis AT semčenkoav dependenceofthestructuralpropertiesofferroelectricsrbi2ta2o9filmsonthetemperatureofsynthesis AT osipovaiû dependenceofthestructuralpropertiesofferroelectricsrbi2ta2o9filmsonthetemperatureofsynthesis AT kolosvv dependenceofthestructuralpropertiesofferroelectricsrbi2ta2o9filmsonthetemperatureofsynthesis AT turcevičas dependenceofthestructuralpropertiesofferroelectricsrbi2ta2o9filmsonthetemperatureofsynthesis AT asadčiian dependenceofthestructuralpropertiesofferroelectricsrbi2ta2o9filmsonthetemperatureofsynthesis |