Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії

У роботі детально вивчено дозову залежність ґенерації та відпалу точкових дефектів, індукованих бомбуванням поверхні монокристалу Al(111) йонами Ar⁺ з енергією 600 еВ у надвисокому вакуумі за допомогою методи дифракції повільних електронів. Показано можливість аналізи зміни інтенсивности дифракційни...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2014
Main Authors:	Васильєв, М.О., Макеєва, І.М., Тіньков, В.О., Волошко, С.М.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
Series:	Металлофизика и новейшие технологии
Subjects:	Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107033
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії / М.О. Васильєв, І.М. Макеєва, В.О. Тіньков, С.М. Волошко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 10. — С. 1371—1383. — Бібліогр.: 32 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-107033
record_format	dspace
spelling	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1070332025-02-23T18:13:35Z Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії Генерация дефектов поверхности Al(111) под воздействием ионов Ar⁺ низкой энергии Generation of the Al(111) Surface Defects under Influence of Low-Energy Ar⁺ Ions Васильєв, М.О. Макеєва, І.М. Тіньков, В.О. Волошко, С.М. Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом У роботі детально вивчено дозову залежність ґенерації та відпалу точкових дефектів, індукованих бомбуванням поверхні монокристалу Al(111) йонами Ar⁺ з енергією 600 еВ у надвисокому вакуумі за допомогою методи дифракції повільних електронів. Показано можливість аналізи зміни інтенсивности дифракційних рефлексів повільних електронів безпосередньо в процесі йонного бомбування, що виключає ефект відпалу при подальшій витримці за кімнатної температури. На основі аналізи дифракційних рефлексів одержано значення енергії активації точкових дефектів. В работе детально изучена дозовая зависимость генерации и отжига точечных дефектов, индуцированных бомбардировкой поверхности монокристалла Al(111) ионами Ar⁺ с энергией 600 эВ в сверхвысоком вакууме с помощью метода дифракции медленных электронов. Показана возможность анализа изменения интенсивности дифракционных рефлексов медленных электронов непосредственно в процессе ионной бомбардировки, что исключает эффект отжига при последующей выдержке при комнатной температуре. На основе анализа дифракционных рефлексов получены значения энергии активации точечных дефектов Dose dependence of generation and annealing of point defects induced by the bombardment of Al(111) single-crystal surface by Ar⁺ ions with energy of 600 eV in extra-high vacuum is studied in detail using the method of low-energy electron diffraction. Possibility of analysis of changes in intensity of diffraction reflexes of slow electrons directly during ion bombardment that excludes annealing effect at subsequent holding at room temperature is shown. Based on analysis of diffraction reflexes, values of activation energy of point defects are obtained. Роботу виконано в рамках проекту № 1.1.1.7 Державної цільової науково-технічної програми «Нанотехнології та наноматеріали». 2014 Article Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії / М.О. Васильєв, І.М. Макеєва, В.О. Тіньков, С.М. Волошко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 10. — С. 1371—1383. — Бібліогр.: 32 назв. — укр. 1024-1809 PACS: 61.05.jh, 61.72.Cc, 61.72.Dd, 61.80.Jh, 61.82.Bg, 81.40.Ef, 81.40.Wx DOI: http://dx.doi.org/10.15407/mfint.36.10.1371 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107033 uk Металлофизика и новейшие технологии application/pdf Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
topic	Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом
spellingShingle	Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом Васильєв, М.О. Макеєва, І.М. Тіньков, В.О. Волошко, С.М. Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії Металлофизика и новейшие технологии
description	У роботі детально вивчено дозову залежність ґенерації та відпалу точкових дефектів, індукованих бомбуванням поверхні монокристалу Al(111) йонами Ar⁺ з енергією 600 еВ у надвисокому вакуумі за допомогою методи дифракції повільних електронів. Показано можливість аналізи зміни інтенсивности дифракційних рефлексів повільних електронів безпосередньо в процесі йонного бомбування, що виключає ефект відпалу при подальшій витримці за кімнатної температури. На основі аналізи дифракційних рефлексів одержано значення енергії активації точкових дефектів.
format	Article
author	Васильєв, М.О. Макеєва, І.М. Тіньков, В.О. Волошко, С.М.
author_facet	Васильєв, М.О. Макеєва, І.М. Тіньков, В.О. Волошко, С.М.
author_sort	Васильєв, М.О.
title	Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії
title_short	Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії
title_full	Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії
title_fullStr	Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії
title_full_unstemmed	Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії
title_sort	ґенерація дефектів поверхні al(111) під впливом йонів ar⁺ низької енергії
publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate	2014
topic_facet	Взаимодействия излучения и частиц с конденсированным веществом
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107033
citation_txt	Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії / М.О. Васильєв, І.М. Макеєва, В.О. Тіньков, С.М. Волошко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 10. — С. 1371—1383. — Бібліогр.: 32 назв. — укр.
series	Металлофизика и новейшие технологии
work_keys_str_mv	AT vasilʹêvmo generacíâdefektívpoverhníal111pídvplivomjonívarnizʹkoíenergíí AT makeêvaím generacíâdefektívpoverhníal111pídvplivomjonívarnizʹkoíenergíí AT tínʹkovvo generacíâdefektívpoverhníal111pídvplivomjonívarnizʹkoíenergíí AT vološkosm generacíâdefektívpoverhníal111pídvplivomjonívarnizʹkoíenergíí AT vasilʹêvmo generaciâdefektovpoverhnostial111podvozdejstviemionovarnizkojénergii AT makeêvaím generaciâdefektovpoverhnostial111podvozdejstviemionovarnizkojénergii AT tínʹkovvo generaciâdefektovpoverhnostial111podvozdejstviemionovarnizkojénergii AT vološkosm generaciâdefektovpoverhnostial111podvozdejstviemionovarnizkojénergii AT vasilʹêvmo generationoftheal111surfacedefectsunderinfluenceoflowenergyarions AT makeêvaím generationoftheal111surfacedefectsunderinfluenceoflowenergyarions AT tínʹkovvo generationoftheal111surfacedefectsunderinfluenceoflowenergyarions AT vološkosm generationoftheal111surfacedefectsunderinfluenceoflowenergyarions
first_indexed	2025-11-24T06:07:37Z
last_indexed	2025-11-24T06:07:37Z
_version_	1849650795356618752
fulltext	1371 ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ И ЧАСТИЦ С КОНДЕНСИРОВАННЫМ ВЕЩЕСТВОМ PACS numbers:61.05.jh, 61.72.Cc,61.72.Dd,61.80.Jh,61.82.Bg,81.40.Ef, 81.40.Wx Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar низької енергії М. О. Васильєв, І. М. Макеєва, В. О. Тіньков, С. М. Волошко * Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, бульв. Акад. Вернадського, 36, 03680, МСП, Київ-142, Україна *Національний технічний університет України «КПІ», вул. Політехнічна, 35, 03056 Київ, Україна У роботі детально вивчено дозову залежність ґенерації та відпалу точко- вих дефектів, індукованих бомбуванням поверхні монокристалу Al(111) йонами Ar  з енергією 600 еВ у надвисокому вакуумі за допомогою методи дифракції повільних електронів. Показано можливість аналізи зміни ін- тенсивности дифракційних рефлексів повільних електронів безпосеред- ньо в процесі йонного бомбування, що виключає ефект відпалу при пода- льшій витримці за кімнатної температури. На основі аналізи дифракцій- них рефлексів одержано значення енергії активації точкових дефектів. В работе детально изучена дозовая зависимость генерации и отжига то- чечных дефектов, индуцированных бомбардировкой поверхности моно- кристалла Al(111) ионами Ar  с энергией 600 эВ в сверхвысоком вакууме с помощью метода дифракции медленных электронов. Показана возмож- ность анализа изменения интенсивности дифракционных рефлексов мед- ленных электронов непосредственно в процессе ионной бомбардировки, что исключает эффект отжига при последующей выдержке при комнат- ной температуре. На основе анализа дифракционных рефлексов получены значения энергии активации точечных дефектов. Dose dependence of generation and annealing of point defects induced by the bombardment of Al(111) single-crystal surface by Ar  ions with energy of 600 eV in extra-high vacuum is studied in detail using the method of low-energy electron diffraction. Possibility of analysis of changes in intensity of diffrac- tion reflexes of slow electrons directly during ion bombardment that excludes annealing effect at subsequent holding at room temperature is shown. Based on analysis of diffraction reflexes, values of activation energy of point de- Металлофиз. новейшие технол. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 2014, т. 36, № 10, сс. 1371—1383 Оттиски доступны непосредственно от издателя Фотокопирование разрешено только в соответствии с лицензией 2014 ИМФ (Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины) Напечатано в Украине. 1372 М. О. ВАСИЛЬЄВ, І. М. МАКЕЄВА, В. О. ТІНЬКОВ, С. М. ВОЛОШКО fects are obtained. Ключові слова: точкові дефекти, поверхня, монокристал, йонне бомбу- вання, дифракція повільних електронів. (Отримано 20 червня 2014 р.) 1. ВСТУП Відомо, що низькоенергетичне бомбування йонами інертних газів поверхні твердого тіла широко застосовується в багатьох областях науки і техніки. Зокрема, пучки йонів Ar  , He  , Ne  в енергетично- му діяпазоні 0,2—6 кеВ часто використовуються для одержання атомно-чистих монокристалічних граней [1, 2], а також для керо- ваного розпорошення поверхневих шарів, щоб одержати пошарові профілі розподілу певних властивостей [3, 4]. Низькоенергетичні йонні пучки (зонди чи мікрозонди) застосовуються в низці метод поверхневої аналізи, зокрема, в спектроскопії йонного розсіяння (СІР) [5], вторинній іонній мас-спектрометрії (ВІМС) [6—9] та в ме- тодах йонної літографії [10]. Йонне бомбування також широко ви- користовується, щоб змінити хімічну активність металевих повер- хонь [11—13]. Низькоенергетичне йонне бомбування знайшло та- кож широке застосування й в методі вакуумного осадження захис- них і зносостійких покриттів [14—16]. Для розуміння механізму впливу йонного бомбування на струк- туру і властивості поверхні матеріялів дуже важливо знати природу поверхневих дефектів, які виникають внаслідок такого оброблен- ня. Встановлено, що у випадку напівпровідників йонне бомбування може призвести до аморфізації поверхневої ґратниці [17, 18]. Порі- вняно з напівпровідниками поверхневі шари металів не аморфізу- ються, однак при збільшенні дози йонного бомбування може відбу- ватися часткове розупорядкування [19—24]. На відміну від напівп- ровідників, у металах відбувається відпал дефектів навіть при кім- натній температурі, що створює серйозні експериментальні труд- нощі в дослідженні цієї проблеми. Крім того, є також складнощі у визначенні типу і концентрації поверхневих дефектів. Передбача- ється, що дефекти, які виникли внаслідок йонного бомбування по- верхні металу, складаються з поодиноких вакансій, скупчень вака- нсій (чи вакансійних кластерів), комплексів вакансія—йон, міжву- зловинних аґломератів, Френкелевих дефектів, сходинок і дисло- каційних петель [1, 12, 25—27]. Співвідношення між різними типа- ми дефектів залежить від типу металу та йона, а також від енергії й дози бомбування. Надійною методою вивчення процесу низькоенергетичного йон- ного руйнування поверхневої области, що включає кілька атомових ҐЕНЕРАЦІЯ ДЕФЕКТІВ ПОВЕРХНІ Al(111) ПІД ВПЛИВОМ ЙОНІВ Ar 1373 шарів, є дифракція повільних електронів (ДПЕ). Метода ДПЕ уможливлює одержати інформацію про висоту атомових сходинок і, до певної міри, про ширину терас на атомно-чистих поверхнях [27]. Попередні дослідження методою ДПЕ дефектів поверхні, ви- кликаних йонним бомбуванням, показали, що таке оброблення може змінити як інтенсивність, так і ширину дифракційних пучків [17, 19—21, 25]. Якобсон і Вехнер [17] уперше досліджували вплив бомбування йонами Ar  з енергіями до 1 кеВ поверхні Ge(111) на розподіл інтенсивности рефлексів ДПЕ в енергетичному діяпазоні 15—200 еВ. Було встановлено, що при збільшенні йонної дози спо- стерігається експоненційне зменшення інтенсивности дифракцій- ного рефлексу. Ці результати було пояснено за допомогою моделю, в якому зроблено припущення, що кожен спадний йон відповідає за певну зруйновану (дефектну) площу розміром a . Відповідно до цього моделю частка зруйнованої поверхні  визначається як / (1 ) ,d dD a    (1) де D – доза йонного бомбування. Розв’язком даного рівняння є 1 exp( ),aD    (2) тобто непошкоджена площа (1  ) експоненційно зменшується зі збільшенням дози. У роботах [20, 21] за допомогою методи ДПЕ було також вивчено руйнування поверхонь Mo(011), Мо(110) і W(110), що викликані бомбуванням йонами Ne  , Ar  , Kr  або Хe  . Було показано, що зме- ншення інтенсивности дифракційних піків у діяпазоні 25—1000 еВ є функцією йонної дози й енергії. За допомогою методи Якобсона і Вехнера [17] було визначено середню площу руйнування поверхні на один спадний йон, яка за енергії йонів у 50 еВ дорівнює 0,610 15 см2/йон як для йонів Ne  , так і для Хe  , а при енергії йонів у 1000 еВ для Ne  дорівнює 2510 15 см 2/йон, а для Хe  – 910 15 см 2/йон. Кар- тину ДПЕ з поверхонь Mo було відновлено нагріванням при 873— 923 К. Також було знайдено, що розширення пучка відбувалося тільки при бомбуванні йонами Ne  , і воно залежало від йонної дози. В роботах [23, 24] термічний відпал дефектів поверхні Al(111) було вивчено за допомогою методи спектроскопії йонного розсіян- ня. Вплив термічних процесів було досліджено шляхом виміру ви- соти піків йонного розсіяння після припинення опромінювання для різних температур зразка. Для повного відпалу зруйнованої повер- хні зразок необхідно було нагріти до температури 450 К. У наведених роботах всі експерименти виконувалися з великою затримкою в часі між процесом опромінювання йонами і вимірами. Така методика не дозволяє одержувати достовірні дані про кіль- 1374 М. О. ВАСИЛЬЄВ, І. М. МАКЕЄВА, В. О. ТІНЬКОВ, С. М. ВОЛОШКО кість дефектів і про кінетику подальшого відпалу. Мета даної роботи – вивчення структурних дефектів атомно- чистої поверхні Al(111) безпосередньо під час процесу низькоенер- гетичного йонного опромінювання і наступного відпалу за допомо- гою методи ДПЕ. Передбачається утворення тільки точкових дефе- ктів внаслідок того, що використовувалися тільки низькоенергети- чні йони і малі дози опромінення. 2. ДОСЛІДЖУВАНИЙ МАТЕРІЯЛ ТА МЕТОДИКА АНАЛІЗИ Досліджуваним зразком був монокристал Al(111), виготовлений за стандартною технологією. Кристал, що мав розміри 10103 мм, був механічно відполірований за допомогою алмазної пасти, а потім піддавався електрополіруванню. Дослідження були виконані у надвисоковакуумному електронному спектрометрі, що уможлив- лював досліджувати зразки методами дифракції повільних елект- ронів та Оже-електронної спектроскопії [28]. Підготовка зразка у надвисоковакуумній камері спектрометра складалася з декількох циклів розпорошення йонами Ar  з енергією 600 еВ і відпалу при температурі 350С. Поверхня вважалася чистою, якщо (11) – ка- ртина ДПЕ не змінювалася після подальшого оброблення. З метою дослідження поведінки рефлексів ДПЕ у процесі йонного бомбу- вання і наступного нагрівання були виміряні інтенсивність і форма рефлексів за допомогою точкового фотометра. Поверхня зразка бомбувалася йонами Ar  під кутом падіння 45. Тиск арґону під час опромінювання в надвисоковакуумній камері був (2—4)10 3 Па. Під час бомбування енергія йонів Еi і доза опромі- нення D змінювалися від 100 до 400 еВ та від 1013 до 1016 йон/см 2 ві- дповідно. Міряння методою ДПЕ виконано при енергіях пучка пер- винних електронів 90 еВ для дзеркально відбитого рефлексу (00). Важливим моментом роботи є те, що рефлекси ДПЕ виміряні безпосередньо в ході йонного бомбування та наступного відпалу. 3. РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕННЯ ТА ЇХ ОБГОВОРЕННЯ На першій стадії дослідження були виконані детальні виміри інтен- сивности та ширини дифракційного рефлексу (00) залежно від йон- ної дози. Було показано, що форма просторового профілю дифрак- ційного рефлексу (00) не змінюється при йонних дозах D  21015 йон/см2. Лише при більш високих дозах на I00(Ei)-кривих спостері- галися незначні зміни ширини дифракційного рефлексу та зсув енергетичного піка в бік більш високих енергій на величину 2—5 еВ. Проте набагато сильніше йонне опромінення при дозах D  21015 йон/см2 впливає на інтенсивність дифракційних рефлексів. Основ- ҐЕНЕРАЦІЯ ДЕФЕКТІВ ПОВЕРХНІ Al(111) ПІД ВПЛИВОМ ЙОНІВ Ar 1375 ним ефектом при цьому є зменшення їх інтенсивности зі збільшен- ням дози опромінення і енергії спадних йонів. На рисунку 1 наве- дено приклад типової залежности інтенсивности рефлексу (00) від часу бомбування, тобто дозова залежність, для Еi  300 еВ. Аналіза великого числа експериментальних залежностей I(D) показала, що для кожної енергії йонів Еi є власне максимальне значення дози, вище якої інтенсивність I не змінюється. Це кінцеве значення інте- нсивности, звичайно, складає 0,13 від початкової інтенсивности I0. Ми використовували методу, подібну тій, що була використана Якобсоном і Вехнером [17], де функція I(D), відповідно до формули (1), була представлена експоненційною залежністю: I/I0  exp(2a D). (3) До того ж було зроблено припущення, що руйнування поверхні ви- кликано утворенням тільки точкових дефектів в умовах малих доз опромінення. Графік залежностей відношення інтенсивностей I/I0 від значення дози при різних енергіях бомбівних йонів на напівло- Рис. 1. Залежність інтенсивности дифракційного рефлексу (00) від часу бомбування йонами Ar  поверхніAl(111):Еi  300 еВ,Е0  90 еВ. 1376 М. О. ВАСИЛЬЄВ, І. М. МАКЕЄВА, В. О. ТІНЬКОВ, С. М. ВОЛОШКО гарифмічній шкалі представляє собою, принаймні, в області малих доз, прямі лінії. Низку характерних прямих ліній залежности ln(I/I0)  f(D) для поверхні Al (111) при декількох значеннях енергії бомбівних йонів представлено на рис. 2. Середня площа руйнування поверхні, що припадає на один спадний йон (a ), може бути одержана з кута на- хилу прямих. Як показано на рис. 3, для поверхні Al(111) a моно- тонно зростає в діяпазоні Ei від 100 до 300 еВ. При більших значен- нях Ei процес дефектоутворення істотно уповільнюється. Треба зазначити, що значення a , яке було одержано за кімнатної температури через 15 хвилин після закінчення йонного бомбуван- ня, було менше на один порядок порівняно з даними на рис. 3. Ці результати чітко вказують на те, що швидкий термічно- активований процес відбувається навіть за кімнатної температури. На другому етапі даної роботи за допомогою методи ДПЕ вивча- лася кінетика відпалу дефектів, що створюються йонним бомбу- ванням. З метою визначення параметрів відпалу дефектів були ви- міряні інтенсивності рефлексу (00) при Е0  90 еВ безпосередньо при ізотермічному відпалі опроміненого монокристалу Al(111). Рис. 2. Залежність ln(I/I0) від дози бомбування дляAl(111):Е0  90 еВ. ҐЕНЕРАЦІЯ ДЕФЕКТІВ ПОВЕРХНІ Al(111) ПІД ВПЛИВОМ ЙОНІВ Ar 1377 Дефекти були створені за кімнатної температури бомбуванням йонами Ar  з енергією Еi  300 еВ при дозі 61014 йон/см 2. Як тільки монокристал Al(111) одержав вказану дозу опромінення, йонний пучок виключався і зразок нагрівали до температури відпалу. Інте- нсивність дифракційного рефлексу (00) була записана від часу по- чатку відпалу доти, поки досягалося постійне значення Iв. Декілька ізотермічних кривих для температур відпалу в діяпазоні 150—350С показано на рис. 4. Спостерігається значне збільшення інтенсивно- сти дифракційного рефлексу в межах усього використовуваного ді- япазону температур, тобто від 150С до 350С. З рисунка 4 також випливає, що функція залежности інтенсивности рефлексу (00) від часу відпалу I(t) уможливлює охарактеризувати криві при постій- ному часі, вище якого руйнування поверхні не спостерігається. Як видно з рис. 4, криві для різних температур досягають значення на- сичення. З іншого боку, час, необхідний для насичення, істотно за- лежить від температури відпалу. Для того, щоб визначити парамет- ри відпалу дефектів, ми використовували відношення між інтенси- вністю ДПЕ і концентрацією точкових дефектів n [17]: Рис. 3. Залежність середньої площі руйнування a , що створює один спад- ний йон, від енергії йонів Ar  дляAl(111). 1378 М. О. ВАСИЛЬЄВ, І. М. МАКЕЄВА, В. О. ТІНЬКОВ, С. М. ВОЛОШКО 2 в 1 ( ) . T I I an t    (4) Графік величини  1/2 в ln 1 / ,TI I   як функції часу ізотермічного відпалу t для фіксованої a , дає можливість визначити безпосеред- ню залежність концентрації дефектів n від t. Одержані залежності є системою ізотерм у вигляді прямих ліній (рис. 5). Отже, можна стверджувати, що концентрація дефектів при ізотермічному відпа- лі змінюється за експоненційним законом, тобто:  0 exp / ,n n t   (5) де  – це середній час життя дефекту, що залежить від температу- ри. Як відомо [29], режим відпалу дефектів для одиничної енергії ак- тивації  описується рівнянням: Рис. 4. Залежність інтенсивности дифракційного рефлексу (00) від часу t при ізотермічному відпалі для Al(111) при температурах: 1 – 150С, 2 – 250С, 3 – 350С. ҐЕНЕРАЦІЯ ДЕФЕКТІВ ПОВЕРХНІ Al(111) ПІД ВПЛИВОМ ЙОНІВ Ar 1379 0 / exp{ /( )},dn dt K n kT  (6) де K0 – кінетичний коефіцієнт, k – Больцманнова стала,  – по- рядок реакції відпалу. Дифузія дефектів до фіксованого числа стоків відповідає реакції першого порядку (  1). Анігіляція вакансії та атома проникнення при однаковій концентрації цих дефектів відповідає другому по- рядку (  2). Важливо знати чисельні значення порядку реакції для того, щоб проаналізувати режим відпалу дефектів. Інтеґруван- ня рівняння (6) дає: 0 exp( / ),n n t   (7) 1 0 exp{ /( )}K kT   для   1, (8) 1 1 0 0 0 (1/ ) (1/ ) ( 1) ( ) exp{ /( )}n n K t t kT       для   1. (9) Отже, в нашому випадку експоненційна залежність концентрації дефектів від часу в ході ізотермічного відпалу вказує на те, що реа- кція відпалу відповідає 1-му порядку. Застосувавши методу перері- Рис. 5. Залежність 1/2 в ln[1 ( / ) ] T I I  від часу t за ізотермічного відпалу для Al (111) при температурах: 1 – 150С, 2 – 250С, 3 – 350С. 1380 М. О. ВАСИЛЬЄВ, І. М. МАКЕЄВА, В. О. ТІНЬКОВ, С. М. ВОЛОШКО зів [30] до системи ізотерм, можна побудувати залежність у вигляді прямої лінії з кутом нахилу /k (рис. 6). За цими даними було ви- значено, що значення енергії активації відпалу  для Al(111) дорів- нює 0,19 еВ. Добре відомо, що значення інтенсивности рефлексів ДПЕ дуже чутливі до руйнування поверхні бомбуванням низькоенергетич- ними йонами, але розрізнити різні типи поверхневих дефектів не- можливо. Однак, ґрунтуючись на низькому порядку реакції відпа- лу, ми можемо очікувати, що йонне бомбування при низьких зна- ченнях Еi і D призводить до утворення тільки простих точкових де- фектів, в основному, вакансій і закритих Френкелевих пар. У про- цесі термічної активації Френкелевої пари зникають без реакції з іншими типами дефектів, і енергія активації  може мати значення порядку енергії міґрації міжвузловинного атома завдяки силі при- тягання, що діє між вакансією та міжвузловинним атомом [30]. То- чкові дефекти у вигляді вакансій можуть бути одержані низькоене- ргетичним бомбуванням при низьких дозах, коли розпорошуються тільки 1—2 моношари поверхні. Добре відомо, що вакансії контро- люють процес дифузії в твердому тілі. Зокрема, енергія активації самодифузії ED, дана в роботі [29]: ,V V D f m E E E  (10) де V f E – енергія формування вакансії, V m E – енергія міґрації вака- нсії. З іншого боку, співвідношення між енергією формування вакан- сії й енергією активації самодифузії дано в роботі [31]: Рис. 6. Залежність ln від 1/Т дляAl(111). ҐЕНЕРАЦІЯ ДЕФЕКТІВ ПОВЕРХНІ Al(111) ПІД ВПЛИВОМ ЙОНІВ Ar 1381 0,55 .V f D E E (11) Оскільки енергія міґрації дефектів невідома для алюмінію, ми використовували співвідношення (10) і (11) для розрахунку цього параметра. Було знайдено, що значення V m E для Al(111) дорівнює 0,23 еВ. Одержані результати становлять великий інтерес для розуміння механізму ґенерації і міґрації точкових дефектів при плазмовому обробленні поверхні легких металів і стопів з метою її хімічної ак- тивації перед нанесенням високоміцних покриттів. 4. ВИСНОВКИ За допомогою методи дифракції повільних електронів вивчено ґе- нерацію та відпал дефектів, індукованих бомбуванням поверхні монокристалу Al(111) йонами Ar  з енергією 600 еВ безпосередньо під час бомбування та наступного відпалу. Це уможливило подола- ти експериментальні труднощі, пов’язані з відпалом дефектів при кімнатній температурі під час настройки апаратури, та одержувати достовірні дані щодо кількости дефектів і кінетики подальшого ві- дпалу. Встановлено, що низькі енергії бомбівних йонів, а також малі до- зи опромінення призводять до утворення точкових дефектів. Як слідує з параметрів процесу відпалу, цими простими дефектами можуть бути як вакансії, так і близькі Френкелеві пари. При термі- чній активації, мабуть, відбувається рекомбінація близьких Френ- келевих пар або ж міґрація вакансій до поверхні як до стоку. На ос- нові аналізи дифракційних рефлексів одержано значення енергії активації точкових дефектів. Роботу виконано в рамках проекту № 1.1.1.7 Державної цільової науково-технічної програми «Нанотехнології та наноматеріали». ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА 1. G. Carter, J. S. Colligon, W. A. Grant, and J. L. Whitton, Radiat. Res. Rev., 3: 1 (1997). 2. M. A. Vasiliev, J. Phys. D, 30: 3037 (1997). 3. N. Lam, Surf. Interface Anal., 12: 65 (1998). 4. M. Hill, Surf. Interface Anal., 12: 21 (1998). 5. П. І. Мельник, С. П. Новосядлий, В. М. Бережанський, В. М. Вівчарук, Фі- зика і хімія твердого тіла, 8, № 4: 791 (2007). 6. H. Carstanjen, Nucl. Instrum. Methods B, 136—138: 1183 (1998). 7. D. O’Connor, B. King, R. J. MacDonald, Y. Shen, and X. Chen, J. Phys., 43: 601 (1990). 8. A. Webb and J. Smith, Surf. Interface Anal., 12: 303 (1998). 1382 М. О. ВАСИЛЬЄВ, І. М. МАКЕЄВА, В. О. ТІНЬКОВ, С. М. ВОЛОШКО 9. B. Svensson, M. Linnarsson, J. Cardenas, and M. Petravic, Nucl. Instrum. Methods B, 136—138: 1034 (1998). 10. S. Matsui and Y. Ochiai, Nanotechnology, 7: 247 (1996). 11. V. T. Cherepin, A. A. Kosyachkov, and M. A. Vasiliev, Surf. Sci., 58: 609 (1976). 12. R. Miranda and J. Rojo, Vacuum, 34: 1069 (1984). 13. S. P. Chenakin, Vacuum, 36: 635 (1986). 14 J. Treglio, A. Perry, and R. Stinner, Adv. Mater. Proc., 5: 29 (1995). 15. X. Wang and B. Chen, Vacuum, 45: 23 (1994). 16. И. И. Аксенов, Вакуумная дуга. Источники плазмы, осаждение покрытий, поверхностное модифицирование (Киев: Наукова думка: 2012). 17. R. Jacobson and K. G. Wehner, J. Appl. Phys., 36: 2674 (1965). 18. S. J. Davidson, Mater. Sci., 7: 473 (1972). 19. R. J. Park, Appl. Phys., 37: 295 (1966). 20. H. Farnsworth and K. Hayek, Surf. Sci., 8: 35 (1967). 21. J. Bellina and H. J. Farnsworth, Vacuum Sci. Technol., 9: 616 (1972). 22. W. Heiland and E. Taglauer, Radiat. Effects, 19: 1 (1973). 23. L. K. Verheij, Surf. Sci., 114: 667 (1982). 24. L. K. Verheij, J. A. Van den Berg, and D. G. Armour, Surf. Sci., 122: 216 (1982). 25. D. S. Karpuzov and D. G. Armour, J. Phys. D, 17: 853 (1984). 26. G. V. Kornich, G. Betz, and A. I. Bazhin, Phys. Solid State, 43: 29 (2001). 27. O. Rodriguez de la Fuente, M. A. Gonzalez-Barrio, V. Navarro, B. M. Pabon, I. Palacio, and A. Mascaraque, J. Phys.: Condens. Matter, 25, No. 48: 134 (2013). 28. M. Henzler, Appl. Surf. Sci., 11—12: 450 (1982). 29. M. A. Vasiliev and S. D. Gorodetsky, Vacuum, 37: 723 (1987). 30. P. Wynblatt and N. A. Gjostein, Surf. Sci., 12: 109 (1968). 31. М. Томпсон, Дефекты и радиационные повреждения в металлах (Москва: Мир: 1971). 32. M. Doyama and J. S. Koehle, Acta Met., 24: 871 (1976). REFERENCES 1. G. Carter, J. S. Colligon, W. A. Grant, and J. L. Whitton, Radiat. Res. Rev., 3: 1 (1997). 2. M. A. Vasiliev, J. Phys. D, 30: 3037 (1997). 3. N. Lam, Surf. Interface Anal., 12: 65 (1998). 4. M. Hill, Surf. Interface Anal., 12: 21 (1998). 5. P. I. Mel’nyk, S. P. Novosyadlyy, V. M. Berezhans’kyy, and V. M. Vivcharuk, Fizyka i Khimiya Tverdoho Tila, 8, No. 4: 791 (2007) (in Ukrainian). 6. H. Carstanjen, Nucl. Instrum. Methods B, 136—138: 1183 (1998). 7. D. O’Connor, B. King, R. J. MacDonald, Y. Shen, and X. Chen, J. Phys., 43: 601 (1990). 8. A. Webb and J. Smith, Surf. Interface Anal., 12: 303 (1998). 9. B. Svensson, M. Linnarsson, J. Cardenas, and M. Petravic, Nucl. Instrum. Methods B, 136—138: 1034 (1998). 10. S. Matsui and Y. Ochiai, Nanotechnology, 7: 247 (1996). ҐЕНЕРАЦІЯ ДЕФЕКТІВ ПОВЕРХНІ Al(111) ПІД ВПЛИВОМ ЙОНІВ Ar 1383 11. V. T. Cherepin, A. A. Kosyachkov, and M. A. Vasiliev, Surf. Sci., 58: 609 (1976). 12. R. Miranda and J. Rojo, Vacuum, 34: 1069 (1984). 13. S. P. Chenakin, Vacuum, 36: 635 (1986). 14 J. Treglio, A. Perry, and R. Stinner, Adv. Mater. Proc., 5: 29 (1995). 15. X. Wang and B. Chen, Vacuum, 45: 23 (1994). 16. I. I. Aksenov, Vakuumnaya Duga. Istochniki Plazmy, Osazhdenie Pokrytiy, Poverhnostnoe Modifitsirovanie (Vacuum Arch. Plasma Sources, Coatings Deposition, Surface Modifying) (Kiev: Naukova Dumka: 2012) (in Russian). 17. R. Jacobson and K. G. Wehner, J. Appl. Phys., 36: 2674 (1965). 18. S. J. Davidson, Mater. Sci., 7: 473 (1972). 19. R. J. Park, Appl. Phys., 37: 295 (1966). 20. H. Farnsworth and K. Hayek, Surf. Sci., 8: 35 (1967). 21. J. Bellina and H. J. Farnsworth, Vacuum Sci. Technol., 9: 616 (1972). 22. W. Heiland and E. Taglauer, Radiat. Effects, 19: 1 (1973). 23. L. K. Verheij, Surf. Sci., 114: 667 (1982). 24. L. K. Verheij, J. A. Van den Berg, and D. G. Armour, Surf. Sci., 122: 216 (1982). 25. D. S. Karpuzov and D. G. Armour, J. Phys. D, 17: 853 (1984). 26. G. V. Kornich, G. Betz, and A. I. Bazhin, Phys. Solid State, 43: 29 (2001). 27. O. Rodriguez de la Fuente, M. A. Gonzalez-Barrio, V. Navarro, B. M. Pabon, I. Palacio, and A. Mascaraque, J. Phys.: Condens. Matter, 25, No. 48: 134 (2013). 28. M. Henzler, Appl. Surf. Sci., 11—12: 450 (1982). 29. M. A. Vasiliev and S. D. Gorodetsky, Vacuum, 37: 723 (1987). 30. P. Wynblatt and N. A. Gjostein, Surf. Sci., 12: 109 (1968). 31. M. Tompson, Defekty i Radiatsionnye Povrezhdeniya v Metallakh (Defects and Radiation Damages in Metals) (Mosсow: Mir: 1971) (in Russian). 32. M. Doyama and J. S. Koehle, Acta Met., 24: 871 (1976). << /ASCII85EncodePages false /AllowTransparency false /AutoPositionEPSFiles true /AutoRotatePages /None /Binding /Left /CalGrayProfile (Dot Gain 20%) /CalRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1) /CalCMYKProfile (U.S. Web Coated \050SWOP\051 v2) /sRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1) /CannotEmbedFontPolicy /Error /CompatibilityLevel 1.4 /CompressObjects /Tags /CompressPages true /ConvertImagesToIndexed true /PassThroughJPEGImages true /CreateJobTicket false /DefaultRenderingIntent /Default /DetectBlends true /DetectCurves 0.0000 /ColorConversionStrategy /CMYK /DoThumbnails false /EmbedAllFonts true /EmbedOpenType false /ParseICCProfilesInComments true /EmbedJobOptions true /DSCReportingLevel 0 /EmitDSCWarnings false /EndPage -1 /ImageMemory 1048576 /LockDistillerParams false /MaxSubsetPct 100 /Optimize true /OPM 1 /ParseDSCComments true /ParseDSCCommentsForDocInfo true /PreserveCopyPage true /PreserveDICMYKValues true /PreserveEPSInfo true /PreserveFlatness true /PreserveHalftoneInfo false /PreserveOPIComments true /PreserveOverprintSettings true /StartPage 1 /SubsetFonts true /TransferFunctionInfo /Apply /UCRandBGInfo /Preserve /UsePrologue false /ColorSettingsFile () /AlwaysEmbed [ true ] /NeverEmbed [ true ] /AntiAliasColorImages false /CropColorImages true /ColorImageMinResolution 300 /ColorImageMinResolutionPolicy /OK /DownsampleColorImages true /ColorImageDownsampleType /Bicubic /ColorImageResolution 300 /ColorImageDepth -1 /ColorImageMinDownsampleDepth 1 /ColorImageDownsampleThreshold 1.50000 /EncodeColorImages true /ColorImageFilter /DCTEncode /AutoFilterColorImages true /ColorImageAutoFilterStrategy /JPEG /ColorACSImageDict << /QFactor 0.15 /HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1] >> /ColorImageDict << /QFactor 0.15 /HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1] >> /JPEG2000ColorACSImageDict << /TileWidth 256 /TileHeight 256 /Quality 30 >> /JPEG2000ColorImageDict << /TileWidth 256 /TileHeight 256 /Quality 30 >> /AntiAliasGrayImages false /CropGrayImages true /GrayImageMinResolution 300 /GrayImageMinResolutionPolicy /OK /DownsampleGrayImages true /GrayImageDownsampleType /Bicubic /GrayImageResolution 300 /GrayImageDepth -1 /GrayImageMinDownsampleDepth 2 /GrayImageDownsampleThreshold 1.50000 /EncodeGrayImages true /GrayImageFilter /DCTEncode /AutoFilterGrayImages true /GrayImageAutoFilterStrategy /JPEG /GrayACSImageDict << /QFactor 0.15 /HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1] >> /GrayImageDict << /QFactor 0.15 /HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1] >> /JPEG2000GrayACSImageDict << /TileWidth 256 /TileHeight 256 /Quality 30 >> /JPEG2000GrayImageDict << /TileWidth 256 /TileHeight 256 /Quality 30 >> /AntiAliasMonoImages false /CropMonoImages true /MonoImageMinResolution 1200 /MonoImageMinResolutionPolicy /OK /DownsampleMonoImages true /MonoImageDownsampleType /Bicubic /MonoImageResolution 1200 /MonoImageDepth -1 /MonoImageDownsampleThreshold 1.50000 /EncodeMonoImages true /MonoImageFilter /CCITTFaxEncode /MonoImageDict << /K -1 >> /AllowPSXObjects false /CheckCompliance [ /None ] /PDFX1aCheck false /PDFX3Check false /PDFXCompliantPDFOnly false /PDFXNoTrimBoxError true /PDFXTrimBoxToMediaBoxOffset [ 0.00000 0.00000 0.00000 0.00000 ] /PDFXSetBleedBoxToMediaBox true /PDFXBleedBoxToTrimBoxOffset [ 0.00000 0.00000 0.00000 0.00000 ] /PDFXOutputIntentProfile () /PDFXOutputConditionIdentifier () /PDFXOutputCondition () /PDFXRegistryName () /PDFXTrapped /False /CreateJDFFile false /Description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> /CHS <FEFF4f7f75288fd94e9b8bbe5b9a521b5efa7684002000410064006f006200650020005000440046002065876863900275284e8e9ad88d2891cf76845370524d53705237300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c676562535f00521b5efa768400200050004400460020658768633002> /CHT <FEFF4f7f752890194e9b8a2d7f6e5efa7acb7684002000410064006f006200650020005000440046002065874ef69069752865bc9ad854c18cea76845370524d5370523786557406300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c4f86958b555f5df25efa7acb76840020005000440046002065874ef63002> /CZE <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> /DAN <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> /DEU <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> /ESP <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> /ETI <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> /FRA <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> /GRE <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a stvaranje Adobe PDF dokumenata najpogodnijih za visokokvalitetni ispis prije tiskanja koristite ove postavke. Stvoreni PDF dokumenti mogu se otvoriti Acrobat i Adobe Reader 5.0 i kasnijim verzijama.) /HUN <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> /ITA <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> /JPN <FEFF9ad854c18cea306a30d730ea30d730ec30b951fa529b7528002000410064006f0062006500200050004400460020658766f8306e4f5c6210306b4f7f75283057307e305930023053306e8a2d5b9a30674f5c62103055308c305f0020005000440046002030d530a130a430eb306f3001004100630072006f0062006100740020304a30883073002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee5964d3067958b304f30533068304c3067304d307e305930023053306e8a2d5b9a306b306f30d530a930f330c8306e57cb30818fbc307f304c5fc59808306730593002> /KOR <FEFFc7740020c124c815c7440020c0acc6a9d558c5ec0020ace0d488c9c80020c2dcd5d80020c778c1c4c5d00020ac00c7a50020c801d569d55c002000410064006f0062006500200050004400460020bb38c11cb97c0020c791c131d569b2c8b2e4002e0020c774b807ac8c0020c791c131b41c00200050004400460020bb38c11cb2940020004100630072006f0062006100740020bc0f002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020c774c0c1c5d0c11c0020c5f40020c2180020c788c2b5b2c8b2e4002e> /LTH <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> /LVI <FEFF0049007a006d0061006e0074006f006a00690065007400200161006f00730020006900650073007400610074012b006a0075006d00750073002c0020006c0061006900200076006500690064006f00740075002000410064006f00620065002000500044004600200064006f006b0075006d0065006e007400750073002c0020006b006100730020006900720020012b00700061016100690020007000690065006d01130072006f00740069002000610075006700730074006100730020006b00760061006c0069007401010074006500730020007000690072006d007300690065007300700069006501610061006e006100730020006400720075006b00610069002e00200049007a0076006500690064006f006a006900650074002000500044004600200064006f006b0075006d0065006e007400750073002c0020006b006f002000760061007200200061007400760113007200740020006100720020004100630072006f00620061007400200075006e002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e0030002c0020006b0101002000610072012b00200074006f0020006a00610075006e0101006b0101006d002000760065007200730069006a0101006d002e> /NLD (Gebruik deze instellingen om Adobe PDF-documenten te maken die zijn geoptimaliseerd voor prepress-afdrukken van hoge kwaliteit. De gemaakte PDF-documenten kunnen worden geopend met Acrobat en Adobe Reader 5.0 en hoger.) /NOR <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> /POL <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> /PTB <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> /RUM <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> /RUS <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> /SKY <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> /SLV <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> /SUO <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> /SVE <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> /TUR <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> /UKR <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> /ENU (Use these settings to create Adobe PDF documents best suited for high-quality prepress printing. Created PDF documents can be opened with Acrobat and Adobe Reader 5.0 and later.) >> /Namespace [ (Adobe) (Common) (1.0) ] /OtherNamespaces [ << /AsReaderSpreads false /CropImagesToFrames true /ErrorControl /WarnAndContinue /FlattenerIgnoreSpreadOverrides false /IncludeGuidesGrids false /IncludeNonPrinting false /IncludeSlug false /Namespace [ (Adobe) (InDesign) (4.0) ] /OmitPlacedBitmaps false /OmitPlacedEPS false /OmitPlacedPDF false /SimulateOverprint /Legacy >> << /AddBleedMarks false /AddColorBars false /AddCropMarks false /AddPageInfo false /AddRegMarks false /ConvertColors /ConvertToCMYK /DestinationProfileName () /DestinationProfileSelector /DocumentCMYK /Downsample16BitImages true /FlattenerPreset << /PresetSelector /MediumResolution >> /FormElements false /GenerateStructure false /IncludeBookmarks false /IncludeHyperlinks false /IncludeInteractive false /IncludeLayers false /IncludeProfiles false /MultimediaHandling /UseObjectSettings /Namespace [ (Adobe) (CreativeSuite) (2.0) ] /PDFXOutputIntentProfileSelector /DocumentCMYK /PreserveEditing true /UntaggedCMYKHandling /LeaveUntagged /UntaggedRGBHandling /UseDocumentProfile /UseDocumentBleed false >> ] >> setdistillerparams << /HWResolution [2400 2400] /PageSize [612.000 792.000] >> setpagedevice

Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії

Institution

Similar Items