Джозефсоновский π-контакт в структуре MoRe—Ni₂MnGa—I—Pb/Sn

Изготовлены и исследованы джозефсоновские контакты S—F—I—S, в которых в качестве FF-слоя использован ферромагнетик со свойствами памяти формы Ni₂MnGa. Показана возможность создания так называемого π-контакта. Выявлены особенности поведения исследованных гетероструктур. Рассчитана намагниченность нан...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Металлофизика и новейшие технологии
Date:2014
Main Authors: Руденко, Э.М., Короташ, И.В., Краковный, А.А., Перепелица, В.К.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107041
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Джозефсоновский π-контакт в структуре MoRe—Ni₂MnGa—I—Pb/Sn / Э.М. Руденко, И.В. Короташ, А.А. Краковный, В.К. Перепелица // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 11. — С. 1465-1472. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Изготовлены и исследованы джозефсоновские контакты S—F—I—S, в которых в качестве FF-слоя использован ферромагнетик со свойствами памяти формы Ni₂MnGa. Показана возможность создания так называемого π-контакта. Выявлены особенности поведения исследованных гетероструктур. Рассчитана намагниченность наноразмерной тонкой плёнки применённого ферромагнетика. Виготовлено та досліджено Джозефсонові контакти S—F—I—S, в котрих, як FF-шар, використано феромагнетик з властивістю пам’яті форми Ni₂MnGa. Показано можливість створення так званого π-контакту. Виявлено особливості поведінки досліджених гетероструктур. Розраховано намагнетованість нанорозмірної тонкої плівки використаного феромагнетика. Josephson S—F—I—S junctions are fabricated and investigated. In these junctions, the Ni₂MnGa ferromagnet with shape-memory effect is used as the FF layer. Possibility of fabrication of so-called π-junction is shown. Features of behaviour of the studied heterostructures are revealed. Magnetization of used nanoscale ferromagnetic thin film is calculated.
ISSN:1024-1809