Джозефсоновский π-контакт в структуре MoRe—Ni₂MnGa—I—Pb/Sn
Изготовлены и исследованы джозефсоновские контакты S—F—I—S, в которых в качестве FF-слоя использован ферромагнетик со свойствами памяти формы Ni₂MnGa. Показана возможность создания так называемого π-контакта. Выявлены особенности поведения исследованных гетероструктур. Рассчитана намагниченность нан...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107041 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Джозефсоновский π-контакт в структуре MoRe—Ni₂MnGa—I—Pb/Sn / Э.М. Руденко, И.В. Короташ, А.А. Краковный, В.К. Перепелица // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 11. — С. 1465-1472. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Изготовлены и исследованы джозефсоновские контакты S—F—I—S, в которых в качестве FF-слоя использован ферромагнетик со свойствами памяти формы Ni₂MnGa. Показана возможность создания так называемого π-контакта. Выявлены особенности поведения исследованных гетероструктур. Рассчитана намагниченность наноразмерной тонкой плёнки применённого ферромагнетика.
Виготовлено та досліджено Джозефсонові контакти S—F—I—S, в котрих, як FF-шар, використано феромагнетик з властивістю пам’яті форми Ni₂MnGa. Показано можливість створення так званого π-контакту. Виявлено особливості поведінки досліджених гетероструктур. Розраховано намагнетованість нанорозмірної тонкої плівки використаного феромагнетика.
Josephson S—F—I—S junctions are fabricated and investigated. In these junctions, the Ni₂MnGa ferromagnet with shape-memory effect is used as the FF layer. Possibility of fabrication of so-called π-junction is shown. Features of behaviour of the studied heterostructures are revealed. Magnetization of used nanoscale ferromagnetic thin film is calculated.
|
|---|---|
| ISSN: | 1024-1809 |