Джозефсоновский π-контакт в структуре MoRe—Ni₂MnGa—I—Pb/Sn

• Veröffentlicht in: Металлофизика и новейшие технологии
• Datum: 2014
• Hauptverfasser: Руденко, Э.М., Короташ, И.В., Краковный, А.А., Перепелица, В.К.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
• Schlagworte: Электронные структура и свойства
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107041
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Джозефсоновский π-контакт в структуре MoRe—Ni₂MnGa—I—Pb/Sn / Э.М. Руденко, И.В. Короташ, А.А. Краковный, В.К. Перепелица // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 11. — С. 1465-1472. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Изготовлены и исследованы джозефсоновские контакты S—F—I—S, в которых в качестве FF-слоя использован ферромагнетик со свойствами памяти формы Ni₂MnGa. Показана возможность создания так называемого π-контакта. Выявлены особенности поведения исследованных гетероструктур. Рассчитана намагниченность наноразмерной тонкой плёнки применённого ферромагнетика. Виготовлено та досліджено Джозефсонові контакти S—F—I—S, в котрих, як FF-шар, використано феромагнетик з властивістю пам’яті форми Ni₂MnGa. Показано можливість створення так званого π-контакту. Виявлено особливості поведінки досліджених гетероструктур. Розраховано намагнетованість нанорозмірної тонкої плівки використаного феромагнетика. Josephson S—F—I—S junctions are fabricated and investigated. In these junctions, the Ni₂MnGa ferromagnet with shape-memory effect is used as the FF layer. Possibility of fabrication of so-called π-junction is shown. Features of behaviour of the studied heterostructures are revealed. Magnetization of used nanoscale ferromagnetic thin film is calculated.