Pulsed Laser Deposition of Thin Iron and Chromium Silicide Films with Large Thermoelectromotive Force Coefficient

Nanostructures in the form of thin films exhibiting the semiconductor properties with a narrow energy-band gap are deposited from the CrSi₂ and β-FeSi₂ targets by means of the pulsed laser deposition (PLD) assisted with an excimer KrF laser. Наноструктури у формі тонких плівок, що проявили напівпров...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Date:2014
Main Author: Mulenko, S.A.
Format: Article
Language:English
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107205
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Pulsed Laser Deposition of Thin Iron and Chromium Silicide Films with Large Thermoelectromotive Force Coefficient / S.A. Mulenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 3. — С. 623–632. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Nanostructures in the form of thin films exhibiting the semiconductor properties with a narrow energy-band gap are deposited from the CrSi₂ and β-FeSi₂ targets by means of the pulsed laser deposition (PLD) assisted with an excimer KrF laser. Наноструктури у формі тонких плівок, що проявили напівпровідникові властивості, з вузькою енергетичною забороненою зоною було осаджено методом імпульсного лазерного осадження (PLD) з мішеней CrSi₂ і β-FeSi₂ із застосуванням ексимерного KrF-лазера. Наноструктуры в форме тонких плёнок, которые проявили полупроводниковые свойства, с узкой энергетической запрещённой зоной были осаждены методом импульсного лазерного осаждения (PLD) из мишеней CrSi₂ и β-FeSi₂ с применением эксимерного KrF-лазера.
ISSN:1816-5230