Pulsed Laser Deposition of Thin Iron and Chromium Silicide Films with Large Thermoelectromotive Force Coefficient
Nanostructures in the form of thin films exhibiting the semiconductor properties with a narrow energy-band gap are deposited from the CrSi₂ and β-FeSi₂ targets by means of the pulsed laser deposition (PLD) assisted with an excimer KrF laser. Наноструктури у формі тонких плівок, що проявили напівпров...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107205 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Pulsed Laser Deposition of Thin Iron and Chromium Silicide Films with Large Thermoelectromotive Force Coefficient / S.A. Mulenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 3. — С. 623–632. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Nanostructures in the form of thin films exhibiting the semiconductor properties with a narrow energy-band gap are deposited from the CrSi₂ and β-FeSi₂ targets by means of the pulsed laser deposition (PLD) assisted with an excimer KrF laser.
Наноструктури у формі тонких плівок, що проявили напівпровідникові властивості, з вузькою енергетичною забороненою зоною було осаджено методом імпульсного лазерного осадження (PLD) з мішеней CrSi₂ і β-FeSi₂ із застосуванням ексимерного KrF-лазера.
Наноструктуры в форме тонких плёнок, которые проявили полупроводниковые свойства, с узкой энергетической запрещённой зоной были осаждены методом импульсного лазерного осаждения (PLD) из мишеней CrSi₂ и β-FeSi₂ с применением эксимерного KrF-лазера.
|
|---|---|
| ISSN: | 1816-5230 |