Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN
Досліджено вплив дефектности епітаксійної плівки нітриду ґалію з концентрацією донорів ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механізми струмоперенесення в бар’єрних контактах на основі Au–TiBx–n-GaN на монокристалічному підложжі Al₂O₃. Исследовано влияние дефектности эпитаксиальной плёнки нитрида галлия с концентрацией...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107290 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN / Р.Я. Кудрик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 3. — С. 449-457. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Досліджено вплив дефектности епітаксійної плівки нітриду ґалію з концентрацією донорів ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механізми струмоперенесення в бар’єрних контактах на основі Au–TiBx–n-GaN на монокристалічному підложжі Al₂O₃.
Исследовано влияние дефектности эпитаксиальной плёнки нитрида галлия с концентрацией доноров ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механизмы токопереноса в барьерных контактах на основе Au–TiBx–n-GaN на монокристаллической подложке Al₂O₃.
The influence of gallium nitride epitaxial-film structure imperfection with donor concentration of ≈ 4∙10¹⁷ cm⁻³ on the charge-transport mechanisms in barrier contacts based on Au–TiBx–n-GaN on a monocrystalline substrate of Al₂O₃ are investigated.
|
|---|---|
| ISSN: | 1816-5230 |