Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN
Досліджено вплив дефектности епітаксійної плівки нітриду ґалію з концентрацією донорів ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механізми струмоперенесення в бар’єрних контактах на основі Au–TiBx–n-GaN на монокристалічному підложжі Al₂O₃. Исследовано влияние дефектности эпитаксиальной плёнки нитрида галлия с концентрацией...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107290 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN / Р.Я. Кудрик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 3. — С. 449-457. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862636688968253440 |
|---|---|
| author | Кудрик, Р.Я. |
| author_facet | Кудрик, Р.Я. |
| citation_txt | Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN / Р.Я. Кудрик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 3. — С. 449-457. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Досліджено вплив дефектности епітаксійної плівки нітриду ґалію з концентрацією донорів ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механізми струмоперенесення в бар’єрних контактах на основі Au–TiBx–n-GaN на монокристалічному підложжі Al₂O₃.
Исследовано влияние дефектности эпитаксиальной плёнки нитрида галлия с концентрацией доноров ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механизмы токопереноса в барьерных контактах на основе Au–TiBx–n-GaN на монокристаллической подложке Al₂O₃.
The influence of gallium nitride epitaxial-film structure imperfection with donor concentration of ≈ 4∙10¹⁷ cm⁻³ on the charge-transport mechanisms in barrier contacts based on Au–TiBx–n-GaN on a monocrystalline substrate of Al₂O₃ are investigated.
|
| first_indexed | 2025-11-30T21:50:48Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-107290 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-30T21:50:48Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кудрик, Р.Я. 2016-10-17T15:38:19Z 2016-10-17T15:38:19Z 2015 Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN / Р.Я. Кудрик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 3. — С. 449-457. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. 1816-5230 PACS numbers: 71.55.Ak, 73.30.+y, 73.61.Jc, 85.30.Hi, 85.30.Kk, 85.40.Ls, 85.40.Xx https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107290 Досліджено вплив дефектности епітаксійної плівки нітриду ґалію з концентрацією донорів ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механізми струмоперенесення в бар’єрних контактах на основі Au–TiBx–n-GaN на монокристалічному підложжі Al₂O₃. Исследовано влияние дефектности эпитаксиальной плёнки нитрида галлия с концентрацией доноров ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механизмы токопереноса в барьерных контактах на основе Au–TiBx–n-GaN на монокристаллической подложке Al₂O₃. The influence of gallium nitride epitaxial-film structure imperfection with donor concentration of ≈ 4∙10¹⁷ cm⁻³ on the charge-transport mechanisms in barrier contacts based on Au–TiBx–n-GaN on a monocrystalline substrate of Al₂O₃ are investigated. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN Schottky-Barrier Au–TiBx–n-GaN Conta Article published earlier |
| spellingShingle | Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN Кудрик, Р.Я. |
| title | Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN |
| title_alt | Schottky-Barrier Au–TiBx–n-GaN Conta |
| title_full | Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN |
| title_fullStr | Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN |
| title_full_unstemmed | Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN |
| title_short | Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN |
| title_sort | контакти з бар’єром шотткі au–tibx–n-gan |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107290 |
| work_keys_str_mv | AT kudrikrâ kontaktizbarêromšottkíautibxngan AT kudrikrâ schottkybarrierautibxnganconta |