Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN
Досліджено вплив дефектности епітаксійної плівки нітриду ґалію з концентрацією донорів ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механізми струмоперенесення в бар’єрних контактах на основі Au–TiBx–n-GaN на монокристалічному підложжі Al₂O₃. Исследовано влияние дефектности эпитаксиальной плёнки нитрида галлия с концентрацией...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| 1. Verfasser: | Кудрик, Р.Я. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/107290 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN / Р.Я. Кудрик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 3. — С. 449-457. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs
von: Venger, E.F., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Venger, E.F., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
von: Abdizhaliev, S.K., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Abdizhaliev, S.K., et al.
Veröffentlicht: (2003)
SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n⁺ -GaN ohmic contacts
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
von: Kundu, J., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Kundu, J., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
von: J. O. Akinlami, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: J. O. Akinlami, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
von: Akinlami, J.O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Akinlami, J.O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
von: Vitusevich, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Vitusevich, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
von: Батаев, М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Батаев, М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
von: Koziarskyi, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Koziarskyi, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
von: Red’ko, S.M.
Veröffentlicht: (2015)
von: Red’ko, S.M.
Veröffentlicht: (2015)
MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
von: S. M. Redko
Veröffentlicht: (2015)
von: S. M. Redko
Veröffentlicht: (2015)
Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
von: Oleksenko, P.Ph., et al.
Veröffentlicht: (1998)
von: Oleksenko, P.Ph., et al.
Veröffentlicht: (1998)
Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
von: V. R. Stempitskij, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. R. Stempitskij, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Ähnliche Einträge
-
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015) -
On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs
von: Venger, E.F., et al.
Veröffentlicht: (1999) -
Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
von: Abdizhaliev, S.K., et al.
Veröffentlicht: (2003)