Поглощение в волноводно-диэлектрических резонаторах с односторонним прямоугольным выступом

• Date: 2007
• Main Author: Рудь, Л.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
• Subjects: Электродинамика СВЧ
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10771
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Поглощение в волноводно-диэлектрических резонаторах с односторонним прямоугольным выступом / Л.А. Рудь // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 299-305. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Исследованы особенности резонансного поглощения и отражения в диэлектрических вставках, у которых одна из границ раздела сред имеет прямоугольный выступ, а другая - перпендикулярна стенкам прямоугольного волновода. Обнаружено, что такие резонансные структуры могут сильно поглощать энергию основной волны из одного плеча и сильно отражать из другого плеча. Показана возможность использования известной качественной модели для определения резонансных значений коэффициентов рассеяния и поглощения для вставок с малыми потерями. По результатам изучения полей дифракции предложена физическая интерпретация механизма резонансного поглощения в таких вставках. Досліджено особливості резонансного поглинання у діелектричних вставках, у яких одна границя поділу середовищ має прямокутний виступ, а друга - перпендикулярна стінкам прямокутного хвилеводу. Знайдено, що такі резонансні структури можуть сильно поглинати енергію основної хвилі з одного плеча та сильно відбивати з другого плеча. Показано можливість використання відомої якісної моделі для визначення резонансних значень коефіцієнтів розсіяння та поглинання для вставок з малими втратами. По результатам вивчення полів дифракції запропоновано фізичну інтерпретацію механізму резонансного поглинання в таких вставках. Features of resonance absorption in dielectric inserts, which one interface has a rectangular ledge and the other is perpendicular to rectangular waveguide walls, are studied. It is found that these resonator structures can provide a strong absorption of the domi-nant mode power from one port and a strong reflection from the other port. A possibility to use the known qualitative model for determining resonance values of the scattering and absorption coefficients is shown in the case of low-loss inserts. By the results of studying the scattered fields, a treatment of the resonance ab-sorption physical mechanism is proposed.