Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
Изготовлены и исследованы тестовые образцы фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) с p-i-n структурой на основе очень слабо легированных фосфором кристаллов кремния i(n-)-типа проводимости толщиной около 300 мкм с удельным сопротив-лением 4000 Ом см. Слои р- и n-типа толщиной 1,5 мкм с концентрацие...
Saved in:
| Date: | 2007 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10774 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой / Л.П. Шуба, М.В. Кириченко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 263-267. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862540315309637632 |
|---|---|
| author | Шуба, Л.П. Кириченко, М.В. Копач, В.Р. Антонова, В.А. Листратенко, А.М. |
| author_facet | Шуба, Л.П. Кириченко, М.В. Копач, В.Р. Антонова, В.А. Листратенко, А.М. |
| citation_txt | Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой / Л.П. Шуба, М.В. Кириченко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 263-267. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Изготовлены и исследованы тестовые образцы фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) с p-i-n структурой на основе очень слабо легированных фосфором кристаллов кремния i(n-)-типа проводимости толщиной около 300 мкм с удельным сопротив-лением 4000 Ом см. Слои р- и n-типа толщиной 1,5 мкм с концентрацией бора и фосфора 1020 см-3 соответственно образованы согласно технологии, используемой в серийном производстве отечественных монокристаллических Si-ФЭП. Плотность фототока JФ, выходные и диодные параметры ФЭП определялись по нагрузочным световым вольт-амперным характеристикам, измеренным при 25 оС в условиях заатмосферного солнечного излучения (режим АМ0 - атмосферная масса равна нулю). Обнаруженное значение JФ = 48,6 мА/см2 является рекордным для отечественных монокристаллических Si-ФЭП, что обусловливает целесообразность разработки серийных Si-ФЭП с p-i-n структурой. Изучено влияние слабоконцентрированного излучения на эффективность работы ФЭП такого типа. Обоснованы предложения по усовершенствованию конструкции Si-ФЭП с p-i-n структурой, обеспечивающему увеличение их КПД до 20%.
Виготовлені та досліджені тестові зразки фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) з p-i-n структурою на основі дуже слабо легованих фосфором кристалів кремнію i(n-)-типу провідності товщиною близько 300 мкм з питомим опором 4000 Омсм. Шари р- та n-типу товщиною 1,5 мкм з концентрацією бору та фосфору 1020 см-3 відповідно сформовані згідно до технології, що використовується при серійному виробництві вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП. Густина фотоструму JФ, вихідні та діодні параметри ФЕП визначалися за навантажувальними світ-ловими вольт-амперними характеристиками, виміряними при 25оС в умовах заатмосферного сонячного опромінення (режим АМ0 - атмосферна маса дорівнює нулю). Виявлене значення JФ = 48,6 мА/см2 є рекордним для вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП, що обумовлює доцільність розробки серійних Si-ФЕП з p-i-n структурою. Вивчено вплив слабоконцентрованого опромінення на ефективність роботи ФЕП такого типу. Обґрунтовано пропозиції по вдосконаленню конструкції Si-ФЕП з p-i-n структурою, що забезпечує збільшення їх ККД до 20%.
Test samples of solar cells (SC) with p-i-n structure on the basis of very poorly phosphorus doped silicon crystals of i (n-)-type conductivity by thickness about 300 ?m with resistivity of 4000 Ohm cm were manufactured and investigated. The р- and n-type layers by thickness 1,5 ?m with boron and phosphorus concentration ~ 1020 cm-3 were prepared according to technology used in serial production of Ukrainian monocrystalline Si-SC. Photocurrent density JP, output and diode parameters of SC were determined from the loading illuminated current-voltage characteristics measured at 25оС and in conditions of extratmospheric solar radiation (АМ0 regime – air mass equals zero). The found out value JP = 48,6 mА/cm2 is the record for Ukrainian monocrystalline Si-SC that causes the expediency of serial Si-SC development with p-i-n structure. The influence of weakly concentrated radiation on the efficiency of such type SC was investigated. The proposals on improvement of Si-SC design with p-i-n structure ensuring their efficiency increasing up to 20% were grounded.
|
| first_indexed | 2025-11-24T16:02:15Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10774 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T16:02:15Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Шуба, Л.П. Кириченко, М.В. Копач, В.Р. Антонова, В.А. Листратенко, А.М. 2010-08-06T14:22:47Z 2010-08-06T14:22:47Z 2007 Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой / Л.П. Шуба, М.В. Кириченко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 263-267. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10774 539.2:648.75 Изготовлены и исследованы тестовые образцы фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) с p-i-n структурой на основе очень слабо легированных фосфором кристаллов кремния i(n-)-типа проводимости толщиной около 300 мкм с удельным сопротив-лением 4000 Ом см. Слои р- и n-типа толщиной 1,5 мкм с концентрацией бора и фосфора 1020 см-3 соответственно образованы согласно технологии, используемой в серийном производстве отечественных монокристаллических Si-ФЭП. Плотность фототока JФ, выходные и диодные параметры ФЭП определялись по нагрузочным световым вольт-амперным характеристикам, измеренным при 25 оС в условиях заатмосферного солнечного излучения (режим АМ0 - атмосферная масса равна нулю). Обнаруженное значение JФ = 48,6 мА/см2 является рекордным для отечественных монокристаллических Si-ФЭП, что обусловливает целесообразность разработки серийных Si-ФЭП с p-i-n структурой. Изучено влияние слабоконцентрированного излучения на эффективность работы ФЭП такого типа. Обоснованы предложения по усовершенствованию конструкции Si-ФЭП с p-i-n структурой, обеспечивающему увеличение их КПД до 20%. Виготовлені та досліджені тестові зразки фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) з p-i-n структурою на основі дуже слабо легованих фосфором кристалів кремнію i(n-)-типу провідності товщиною близько 300 мкм з питомим опором 4000 Омсм. Шари р- та n-типу товщиною 1,5 мкм з концентрацією бору та фосфору 1020 см-3 відповідно сформовані згідно до технології, що використовується при серійному виробництві вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП. Густина фотоструму JФ, вихідні та діодні параметри ФЕП визначалися за навантажувальними світ-ловими вольт-амперними характеристиками, виміряними при 25оС в умовах заатмосферного сонячного опромінення (режим АМ0 - атмосферна маса дорівнює нулю). Виявлене значення JФ = 48,6 мА/см2 є рекордним для вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП, що обумовлює доцільність розробки серійних Si-ФЕП з p-i-n структурою. Вивчено вплив слабоконцентрованого опромінення на ефективність роботи ФЕП такого типу. Обґрунтовано пропозиції по вдосконаленню конструкції Si-ФЕП з p-i-n структурою, що забезпечує збільшення їх ККД до 20%. Test samples of solar cells (SC) with p-i-n structure on the basis of very poorly phosphorus doped silicon crystals of i (n-)-type conductivity by thickness about 300 ?m with resistivity of 4000 Ohm cm were manufactured and investigated. The р- and n-type layers by thickness 1,5 ?m with boron and phosphorus concentration ~ 1020 cm-3 were prepared according to technology used in serial production of Ukrainian monocrystalline Si-SC. Photocurrent density JP, output and diode parameters of SC were determined from the loading illuminated current-voltage characteristics measured at 25оС and in conditions of extratmospheric solar radiation (АМ0 regime – air mass equals zero). The found out value JP = 48,6 mА/cm2 is the record for Ukrainian monocrystalline Si-SC that causes the expediency of serial Si-SC development with p-i-n structure. The influence of weakly concentrated radiation on the efficiency of such type SC was investigated. The proposals on improvement of Si-SC design with p-i-n structure ensuring their efficiency increasing up to 20% were grounded. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Вакуумная и твердотельная электроника Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой Дослідження можливості розробки високоефективних кремнієвих фотоперетворювачів з базовою p-i-n структурою Investigation of the development capability of high efficiency silicon solar cells with p-i-n base structure Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой Шуба, Л.П. Кириченко, М.В. Копач, В.Р. Антонова, В.А. Листратенко, А.М. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title | Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой |
| title_alt | Дослідження можливості розробки високоефективних кремнієвих фотоперетворювачів з базовою p-i-n структурою Investigation of the development capability of high efficiency silicon solar cells with p-i-n base structure |
| title_full | Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой |
| title_fullStr | Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой |
| title_full_unstemmed | Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой |
| title_short | Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой |
| title_sort | исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой |
| topic | Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet | Вакуумная и твердотельная электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10774 |
| work_keys_str_mv | AT šubalp issledovanievozmožnostirazrabotkivysokoéffektivnyhkremnievyhfotopreobrazovateleisbazovoipinstrukturoi AT kiričenkomv issledovanievozmožnostirazrabotkivysokoéffektivnyhkremnievyhfotopreobrazovateleisbazovoipinstrukturoi AT kopačvr issledovanievozmožnostirazrabotkivysokoéffektivnyhkremnievyhfotopreobrazovateleisbazovoipinstrukturoi AT antonovava issledovanievozmožnostirazrabotkivysokoéffektivnyhkremnievyhfotopreobrazovateleisbazovoipinstrukturoi AT listratenkoam issledovanievozmožnostirazrabotkivysokoéffektivnyhkremnievyhfotopreobrazovateleisbazovoipinstrukturoi AT šubalp doslídžennâmožlivostírozrobkivisokoefektivnihkremníêvihfotoperetvorûvačívzbazovoûpinstrukturoû AT kiričenkomv doslídžennâmožlivostírozrobkivisokoefektivnihkremníêvihfotoperetvorûvačívzbazovoûpinstrukturoû AT kopačvr doslídžennâmožlivostírozrobkivisokoefektivnihkremníêvihfotoperetvorûvačívzbazovoûpinstrukturoû AT antonovava doslídžennâmožlivostírozrobkivisokoefektivnihkremníêvihfotoperetvorûvačívzbazovoûpinstrukturoû AT listratenkoam doslídžennâmožlivostírozrobkivisokoefektivnihkremníêvihfotoperetvorûvačívzbazovoûpinstrukturoû AT šubalp investigationofthedevelopmentcapabilityofhighefficiencysiliconsolarcellswithpinbasestructure AT kiričenkomv investigationofthedevelopmentcapabilityofhighefficiencysiliconsolarcellswithpinbasestructure AT kopačvr investigationofthedevelopmentcapabilityofhighefficiencysiliconsolarcellswithpinbasestructure AT antonovava investigationofthedevelopmentcapabilityofhighefficiencysiliconsolarcellswithpinbasestructure AT listratenkoam investigationofthedevelopmentcapabilityofhighefficiencysiliconsolarcellswithpinbasestructure |