Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой

Изготовлены и исследованы тестовые образцы фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) с p-i-n структурой на основе очень слабо легированных фосфором кристаллов кремния i(n-)-типа проводимости толщиной около 300 мкм с удельным сопротив-лением 4000 Ом см. Слои р- и n-типа толщиной 1,5 мкм с концентрацие...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2007
Main Authors: Шуба, Л.П., Кириченко, М.В., Копач, В.Р., Антонова, В.А., Листратенко, А.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10774
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой / Л.П. Шуба, М.В. Кириченко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 263-267. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine