Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов

• Datum: 2008
• 1. Verfasser: Максимов, П.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2008
• Schlagworte: Радиофизика твердого тела и плазмы
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10790
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов / П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 529-534. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Моделируется смеситель СВЧ сигналов на основе резких лавинных Ge, Si и GaAs p-n переходов. В качестве математической модели используются уравнения диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводников. Решение уравнений ДДМ находится модифицированным методом встречных прогонок. Рассмотрен принцип работы смесителя. Установлена физическая природа
 искажений сигнала. Рассчитаны коэффициент усиления, амплитудная и частотная характеристики. Приведены спектр частот и
 фазы выходного сигнала Ge, Si и GaAs p-n переходов. Моделюється змішувач НВЧ сигналів на основі різких лавинних Ge, Si і GaAs p-n переходів. Як математична
 модель використовуються рівняння дифузійно-дрейфової
 моделі (ДДМ) напівпровідників. Рішення рівнянь ДДМ знаходиться модифікованим методом зустрічних прогонів. Розглянуто принцип роботи змішувача. Встановлено фізичну природу спотворень сигналу. Розраховані коефіцієнт посилення,
 амплітудна і частотна характеристики. Приведено спектр
 частот і фази вихідного сигналу Ge, Si і GaAs p-n переходів. The mixer of SHF signals is designed on the basis of
 abrupt avalanche Ge, Si and GaAs p-n junctions. As a mathematical
 model the equations of diffusive-drifting model (DDM) of
 semiconductors are used. The solution of equations of DDM is the
 modified method of the meeting driving away. The principle of
 mixer operation is considered. Physical nature of signal distortions
 is determined. An amplification factor, amplitude and frequency
 responses, have been calculated. The spectrum of frequencies and
 phases of output signal of Ge, Si and GaAs p-n junctions have
 been given.