Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов

Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов

Моделируется смеситель СВЧ сигналов на основе резких лавинных Ge, Si и GaAs p-n переходов. В качестве математической модели используются уравнения диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводников. Решение уравнений ДДМ находится модифицированным методом встречных прогонок. Рассмотрен принцип работ...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2008
Main Author: Максимов, П.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2008
Subjects:
Радиофизика твердого тела и плазмы
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10790
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов / П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 529-534. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10790
record_format dspace
spelling Максимов, П.П.
2010-08-06T15:15:19Z
2010-08-06T15:15:19Z
2008
Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов / П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 529-534. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
1028-821X
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10790
53:621.382.029.6
Моделируется смеситель СВЧ сигналов на основе резких лавинных Ge, Si и GaAs p-n переходов. В качестве математической модели используются уравнения диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводников. Решение уравнений ДДМ находится модифицированным методом встречных прогонок. Рассмотрен принцип работы смесителя. Установлена физическая природа искажений сигнала. Рассчитаны коэффициент усиления, амплитудная и частотная характеристики. Приведены спектр частот и фазы выходного сигнала Ge, Si и GaAs p-n переходов.
Моделюється змішувач НВЧ сигналів на основі різких лавинних Ge, Si і GaAs p-n переходів. Як математична модель використовуються рівняння дифузійно-дрейфової моделі (ДДМ) напівпровідників. Рішення рівнянь ДДМ знаходиться модифікованим методом зустрічних прогонів. Розглянуто принцип роботи змішувача. Встановлено фізичну природу спотворень сигналу. Розраховані коефіцієнт посилення, амплітудна і частотна характеристики. Приведено спектр частот і фази вихідного сигналу Ge, Si і GaAs p-n переходів.
The mixer of SHF signals is designed on the basis of abrupt avalanche Ge, Si and GaAs p-n junctions. As a mathematical model the equations of diffusive-drifting model (DDM) of semiconductors are used. The solution of equations of DDM is the modified method of the meeting driving away. The principle of mixer operation is considered. Physical nature of signal distortions is determined. An amplification factor, amplitude and frequency responses, have been calculated. The spectrum of frequencies and phases of output signal of Ge, Si and GaAs p-n junctions have been given.
Автор выражает благодарность К. А. Лукину за плодотворные дискуссии и критические замечания, способствовавшие улучшению работы.
ru
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Радиофизика твердого тела и плазмы
Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов
Моделювання НВЧ змішувачів на основі різких p-n переходів
Modeling of SHF mixerson the basis of abrupt p-n junctions
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов
spellingShingle Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов
Максимов, П.П.
Радиофизика твердого тела и плазмы
title_short Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов
title_full Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов
title_fullStr Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов
title_full_unstemmed Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов
title_sort моделирование свч смесителей на основе резких p-n переходов
author Максимов, П.П.
author_facet Максимов, П.П.
topic Радиофизика твердого тела и плазмы
topic_facet Радиофизика твердого тела и плазмы
publishDate 2008
language Russian
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
format Article
title_alt Моделювання НВЧ змішувачів на основі різких p-n переходів
Modeling of SHF mixerson the basis of abrupt p-n junctions
description Моделируется смеситель СВЧ сигналов на основе резких лавинных Ge, Si и GaAs p-n переходов. В качестве математической модели используются уравнения диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводников. Решение уравнений ДДМ находится модифицированным методом встречных прогонок. Рассмотрен принцип работы смесителя. Установлена физическая природа искажений сигнала. Рассчитаны коэффициент усиления, амплитудная и частотная характеристики. Приведены спектр частот и фазы выходного сигнала Ge, Si и GaAs p-n переходов. Моделюється змішувач НВЧ сигналів на основі різких лавинних Ge, Si і GaAs p-n переходів. Як математична модель використовуються рівняння дифузійно-дрейфової моделі (ДДМ) напівпровідників. Рішення рівнянь ДДМ знаходиться модифікованим методом зустрічних прогонів. Розглянуто принцип роботи змішувача. Встановлено фізичну природу спотворень сигналу. Розраховані коефіцієнт посилення, амплітудна і частотна характеристики. Приведено спектр частот і фази вихідного сигналу Ge, Si і GaAs p-n переходів. The mixer of SHF signals is designed on the basis of abrupt avalanche Ge, Si and GaAs p-n junctions. As a mathematical model the equations of diffusive-drifting model (DDM) of semiconductors are used. The solution of equations of DDM is the modified method of the meeting driving away. The principle of mixer operation is considered. Physical nature of signal distortions is determined. An amplification factor, amplitude and frequency responses, have been calculated. The spectrum of frequencies and phases of output signal of Ge, Si and GaAs p-n junctions have been given.
issn 1028-821X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10790
fulltext
citation_txt Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов / П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 529-534. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT maksimovpp modelirovaniesvčsmesiteleinaosnoverezkihpnperehodov
AT maksimovpp modelûvannânvčzmíšuvačívnaosnovírízkihpnperehodív
AT maksimovpp modelingofshfmixersonthebasisofabruptpnjunctions
first_indexed 2025-11-26T14:13:56Z
last_indexed 2025-11-26T14:13:56Z
_version_ 1850624549847040000

Similar Items