Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов - Максимов, П.П. (Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України, 2008)
Моделируется смеситель СВЧ сигналов на основе резких лавинных Ge, Si и GaAs p-n переходов. В качестве математической модели используются уравнения диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводников. Решение уравнений ДДМ находится модифицированным методом встречных прогонок. Рассмотрен принцип работы смесителя. Установлена физическая природа
искажений сигнала. Рассчитаны коэффициент усиления, амплитудная и частотная характеристики. Приведены спектр частот и
фазы выходного сигнала Ge, Si и GaAs p-n переходов. Моделюється змішувач НВЧ сигналів на основі різких лавинних Ge, Si і GaAs p-n переходів. Як математична
модель використовуються рівняння дифузійно-дрейфової
моделі (ДДМ) напівпровідників. Рішення рівнянь ДДМ знаходиться модифікованим методом зустрічних прогонів. Розглянуто принцип роботи змішувача. Встановлено фізичну природу спотворень сигналу. Розраховані коефіцієнт посилення,
амплітудна і частотна характеристики. Приведено спектр
частот і фази вихідного сигналу Ge, Si і GaAs p-n переходів. The mixer of SHF signals is designed on the basis of
abrupt avalanche Ge, Si and GaAs p-n junctions. As a mathematical
model the equations of diffusive-drifting model (DDM) of
semiconductors are used. The solution of equations of DDM is the
modified method of the meeting driving away. The principle of
mixer operation is considered. Physical nature of signal distortions
is determined. An amplification factor, amplitude and frequency
responses, have been calculated. The spectrum of frequencies and
phases of output signal of Ge, Si and GaAs p-n junctions have
been given.