Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами
Разработан алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели обратносмещенных pn-i-pn структур с резкими p-n переходами. За основу алгоритма взяты разностные уравнения модифицированного метода встречных прогонок, метода расчета полупроводниковых pn-i-pn структур с резкими p-n переходами и мет...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10791 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами / П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 523-528. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10791 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Максимов, П.П. 2010-08-06T15:18:15Z 2010-08-06T15:18:15Z 2008 Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами / П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 523-528. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10791 53.072:51:621.373.12 Разработан алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели обратносмещенных pn-i-pn структур с резкими p-n переходами. За основу алгоритма взяты разностные уравнения модифицированного метода встречных прогонок, метода расчета полупроводниковых pn-i-pn структур с резкими p-n переходами и метода расчета резких p-n переходов в режиме автоколебаний. Оценена погрешность расчета электрического поля Ge, Si и GaAs pn-i-pn структур с обратной связью. Показано, что относительная погрешность уменьшается с увеличением числа узлов разностной сетки и ограничена погрешностью аппроксимации дифференциальных операторов разностными. Приведены автоколебания электрического поля и плотности тока этих структур и их спектр. Рассмотрен предельный случай малых лавинных токов. Розроблено алгоритм рішення рівнянь дифузійно-дрейфової моделі зворотнозміщених pn-i-pn структур з різкими p-n переходами. За основу алгоритму взяті різницеві рівняння модифікованого методу зустрічних прогонів, методу розрахунку напівпровідникових pn-i-pn структур з різкими p-n переходами і методу розрахунку різких p-n переходів в режимі автоколивань. Оцінена відносна погрішність розрахунку електричного поля Ge, Si і GaAs pn-i-pn структур із зворотним зв'язком. Показано, що вона зменшується із збільшенням числа вузлів різницевої сітки і обмежена погрішністю апроксимації диференціальних операторів різницевими. Приведено автоколивання електричного поля, щільність струму, їх спектр і фазовий портрет. The algorithm of solution of equations of diffusive-drifting model of the back biased pn-i-pn structures with abrupt p-n junctions has been developed. As a basis of the algorithm the following difference equations were taken: equation of modified method of the meeting drive away, equation of computing method of semiconductor pn-i-pn structures with abrupt p-n transitions and equation of computing method of abrupt p-n transitions in self-oscillation mode. Inaccuracy of calculating the electric field of Ge, Si and GaAs pn-i-pn structures with a feedback is appraised. It is shown that a relative error diminishes with the increase of number of knots of difference net and limited by the error of approximation of differential operators difference. Self-oscillations of the electric field, density of current, and their spectrum and phase portrait are given. Key words: semiconductor, algorithm, pn-i-pn structure, avalanche-cascade amplification, impact ionization, difference method, SHF self-oscillations. Автор выражает благодарность К. А. Лукину за полезные дискуссии и критические замечания, способствовавшие улучшению работы. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радиофизика твердого тела и плазмы Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами Алгоритм рішення рівнянь дифузійно-дрейфової моделі напівпровідникових структур з лавинними p-n переходами Algorithm of solution of equations of diffusive-drifting model of semiconductors structures with avalanche p-n junctions Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами |
| spellingShingle |
Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами Максимов, П.П. Радиофизика твердого тела и плазмы |
| title_short |
Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами |
| title_full |
Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами |
| title_fullStr |
Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами |
| title_full_unstemmed |
Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами |
| title_sort |
алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами |
| author |
Максимов, П.П. |
| author_facet |
Максимов, П.П. |
| topic |
Радиофизика твердого тела и плазмы |
| topic_facet |
Радиофизика твердого тела и плазмы |
| publishDate |
2008 |
| language |
Russian |
| publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Алгоритм рішення рівнянь дифузійно-дрейфової моделі напівпровідникових структур з лавинними p-n переходами Algorithm of solution of equations of diffusive-drifting model of semiconductors structures with avalanche p-n junctions |
| description |
Разработан алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели обратносмещенных pn-i-pn структур с резкими p-n переходами. За основу алгоритма взяты разностные уравнения модифицированного метода встречных прогонок, метода
расчета полупроводниковых pn-i-pn структур с резкими p-n переходами и метода расчета резких p-n переходов в режиме автоколебаний. Оценена погрешность расчета электрического поля Ge, Si и GaAs pn-i-pn структур с обратной связью. Показано, что относительная погрешность уменьшается с увеличением числа узлов разностной сетки и ограничена погрешностью аппроксимации
дифференциальных операторов разностными. Приведены автоколебания электрического поля и плотности тока этих структур и их
спектр. Рассмотрен предельный случай малых лавинных токов.
Розроблено алгоритм рішення рівнянь дифузійно-дрейфової моделі зворотнозміщених pn-i-pn структур з різкими p-n переходами. За основу алгоритму взяті різницеві рівняння модифікованого методу зустрічних прогонів, методу розрахунку напівпровідникових pn-i-pn структур з різкими p-n переходами і методу розрахунку різких p-n переходів в режимі автоколивань. Оцінена відносна погрішність розрахунку електричного поля Ge, Si і GaAs pn-i-pn структур із зворотним зв'язком. Показано, що вона зменшується із збільшенням числа вузлів різницевої сітки і обмежена погрішністю апроксимації диференціальних операторів різницевими. Приведено автоколивання електричного поля, щільність струму, їх спектр і фазовий портрет.
The algorithm of solution of equations of diffusive-drifting model of the back biased pn-i-pn structures with abrupt p-n junctions has been developed. As a basis of the algorithm the following difference equations were taken: equation of modified method of the meeting drive away, equation of computing method of semiconductor pn-i-pn structures with abrupt p-n transitions and equation of computing method of abrupt p-n transitions in self-oscillation mode. Inaccuracy of calculating the electric field of Ge, Si and GaAs pn-i-pn structures with a feedback is appraised. It is shown that a relative error diminishes with the increase of number of knots of difference net and limited by the error of approximation of differential operators difference. Self-oscillations of the electric field, density of current, and their spectrum and phase portrait are given. Key words: semiconductor, algorithm, pn-i-pn structure, avalanche-cascade amplification, impact ionization, difference method, SHF self-oscillations.
|
| issn |
1028-821X |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10791 |
| citation_txt |
Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами / П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 523-528. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT maksimovpp algoritmrešeniâuravneniidiffuzionnodreifovoimodelipoluprovodnikovyhstrukturslavinnymipnperehodami AT maksimovpp algoritmríšennârívnânʹdifuzíinodreifovoímodelínapívprovídnikovihstrukturzlavinnimipnperehodami AT maksimovpp algorithmofsolutionofequationsofdiffusivedriftingmodelofsemiconductorsstructureswithavalanchepnjunctions |
| first_indexed |
2025-12-07T15:28:42Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:28:42Z |
| _version_ |
1850863855766339584 |