Боцула, О., Прохоров, Э., & Безмаль, И. (2008). Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN. Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Боцула, О.В, Э.Д Прохоров, та И.П Безмаль. Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN. Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України, 2008.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Боцула, О.В, et al. Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN. Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України, 2008.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.