Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
Рассматриваются резонансно-туннельные диоды (РТД) на основе двойных и тройных соединений нитридов AlN, GaN,
 InN c большим количеством энергетических уровней в квантовых ямах. Расчитаны вольтамперные характеристики резонансно-
 туннельных диодов с числом уровней в квантовой яме до пя...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10798 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN / О.В. Боцула, Э.Д. Прохоров, И.П. Безмаль // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 518-522. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862558081704001536 |
|---|---|
| author | Боцула, О.В. Прохоров, Э.Д. Безмаль, И.П. |
| author_facet | Боцула, О.В. Прохоров, Э.Д. Безмаль, И.П. |
| citation_txt | Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN / О.В. Боцула, Э.Д. Прохоров, И.П. Безмаль // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 518-522. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Рассматриваются резонансно-туннельные диоды (РТД) на основе двойных и тройных соединений нитридов AlN, GaN,
InN c большим количеством энергетических уровней в квантовых ямах. Расчитаны вольтамперные характеристики резонансно-
туннельных диодов с числом уровней в квантовой яме до пяти. Показано, что такие РТД могут иметь до пяти участков с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП). Определены возможные эффективности генерации на всех участках ОДП.
Сделаны оценки максимальных частот генерации на каждом участке ОДП.
Розглядаються резонансно-тунельні діоди (РТД) на основі подвійних і потрійних сполук нітридів AlN, GaN, InN з великою кількістю енергетичних рівнів у квантових ямах. Розраховано вольтамперні характеристики резонансно-тунельних діодів із числом рівнів у квантовій ямі до п'яти. Показано, що вольтамперні характеристики РТД можуть мати до п'яти ділянок з негативною диференційною провідністю (НДП). Визначено можливі ефективності генерації на всіх ділянках НДП. Зроблено оцінки максимальных частот генерації на кожній ділянці НДП.
Resonance tunnelling diodes (RTD) on the base nitrides AlN, GaN, InN have being investigated. Сurrent-voltage characteristics of RTD with five energy levels were calculated. The current-voltage characteristics RTD was demonstrade to have five negative resistance region. The possible oscillation efficiencies for all negative resistance region was determined.The estimation of maximal oscillation frequency for each negative resistance region has been determined.
|
| first_indexed | 2025-11-25T22:46:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10798 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T22:46:27Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Боцула, О.В. Прохоров, Э.Д. Безмаль, И.П. 2010-08-06T15:45:46Z 2010-08-06T15:45:46Z 2008 Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN / О.В. Боцула, Э.Д. Прохоров, И.П. Безмаль // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 518-522. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10798 537.311.322:621.382.2 Рассматриваются резонансно-туннельные диоды (РТД) на основе двойных и тройных соединений нитридов AlN, GaN,
 InN c большим количеством энергетических уровней в квантовых ямах. Расчитаны вольтамперные характеристики резонансно-
 туннельных диодов с числом уровней в квантовой яме до пяти. Показано, что такие РТД могут иметь до пяти участков с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП). Определены возможные эффективности генерации на всех участках ОДП.
 Сделаны оценки максимальных частот генерации на каждом участке ОДП. Розглядаються резонансно-тунельні діоди (РТД) на основі подвійних і потрійних сполук нітридів AlN, GaN, InN з великою кількістю енергетичних рівнів у квантових ямах. Розраховано вольтамперні характеристики резонансно-тунельних діодів із числом рівнів у квантовій ямі до п'яти. Показано, що вольтамперні характеристики РТД можуть мати до п'яти ділянок з негативною диференційною провідністю (НДП). Визначено можливі ефективності генерації на всіх ділянках НДП. Зроблено оцінки максимальных частот генерації на кожній ділянці НДП. Resonance tunnelling diodes (RTD) on the base nitrides AlN, GaN, InN have being investigated. Сurrent-voltage characteristics of RTD with five energy levels were calculated. The current-voltage characteristics RTD was demonstrade to have five negative resistance region. The possible oscillation efficiencies for all negative resistance region was determined.The estimation of maximal oscillation frequency for each negative resistance region has been determined. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радиофизика твердого тела и плазмы Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN Резонансно-тунельні діоди на основі нітридів AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN Resonance tunnelling diodes on ALN/ALxGA1-xN, GAN/INxGA1-xN Article published earlier |
| spellingShingle | Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN Боцула, О.В. Прохоров, Э.Д. Безмаль, И.П. Радиофизика твердого тела и плазмы |
| title | Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN |
| title_alt | Резонансно-тунельні діоди на основі нітридів AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN Resonance tunnelling diodes on ALN/ALxGA1-xN, GAN/INxGA1-xN |
| title_full | Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN |
| title_fullStr | Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN |
| title_full_unstemmed | Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN |
| title_short | Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN |
| title_sort | резонансно-туннельные диоды на основе нитридов aln/alxga1-xn, gan/inxga1-xn |
| topic | Радиофизика твердого тела и плазмы |
| topic_facet | Радиофизика твердого тела и плазмы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10798 |
| work_keys_str_mv | AT boculaov rezonansnotunnelʹnyediodynaosnovenitridovalnalxga1xnganinxga1xn AT prohorovéd rezonansnotunnelʹnyediodynaosnovenitridovalnalxga1xnganinxga1xn AT bezmalʹip rezonansnotunnelʹnyediodynaosnovenitridovalnalxga1xnganinxga1xn AT boculaov rezonansnotunelʹnídíodinaosnovínítridívalnalxga1xnganinxga1xn AT prohorovéd rezonansnotunelʹnídíodinaosnovínítridívalnalxga1xnganinxga1xn AT bezmalʹip rezonansnotunelʹnídíodinaosnovínítridívalnalxga1xnganinxga1xn AT boculaov resonancetunnellingdiodesonalnalxga1xnganinxga1xn AT prohorovéd resonancetunnellingdiodesonalnalxga1xnganinxga1xn AT bezmalʹip resonancetunnellingdiodesonalnalxga1xnganinxga1xn |