Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN

Рассматриваются резонансно-туннельные диоды (РТД) на основе двойных и тройных соединений нитридов AlN, GaN, InN c большим количеством энергетических уровней в квантовых ямах. Расчитаны вольтамперные характеристики резонансно- туннельных диодов с числом уровней в квантовой яме до пяти. Показано, чт...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Боцула, О.В., Прохоров, Э.Д., Безмаль, И.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2008
Теми:
Радиофизика твердого тела и плазмы
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10798
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN / О.В. Боцула, Э.Д. Прохоров, И.П. Безмаль // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 518-522. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10798
record_format dspace
fulltext
spelling nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-107982025-02-09T12:01:26Z Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN Резонансно-тунельні діоди на основі нітридів AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN Resonance tunnelling diodes on ALN/ALxGA1-xN, GAN/INxGA1-xN Боцула, О.В. Прохоров, Э.Д. Безмаль, И.П. Радиофизика твердого тела и плазмы Рассматриваются резонансно-туннельные диоды (РТД) на основе двойных и тройных соединений нитридов AlN, GaN, InN c большим количеством энергетических уровней в квантовых ямах. Расчитаны вольтамперные характеристики резонансно- туннельных диодов с числом уровней в квантовой яме до пяти. Показано, что такие РТД могут иметь до пяти участков с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП). Определены возможные эффективности генерации на всех участках ОДП. Сделаны оценки максимальных частот генерации на каждом участке ОДП. Розглядаються резонансно-тунельні діоди (РТД) на основі подвійних і потрійних сполук нітридів AlN, GaN, InN з великою кількістю енергетичних рівнів у квантових ямах. Розраховано вольтамперні характеристики резонансно-тунельних діодів із числом рівнів у квантовій ямі до п'яти. Показано, що вольтамперні характеристики РТД можуть мати до п'яти ділянок з негативною диференційною провідністю (НДП). Визначено можливі ефективності генерації на всіх ділянках НДП. Зроблено оцінки максимальных частот генерації на кожній ділянці НДП. Resonance tunnelling diodes (RTD) on the base nitrides AlN, GaN, InN have being investigated. Сurrent-voltage characteristics of RTD with five energy levels were calculated. The current-voltage characteristics RTD was demonstrade to have five negative resistance region. The possible oscillation efficiencies for all negative resistance region was determined.The estimation of maximal oscillation frequency for each negative resistance region has been determined. 2008 Article Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN / О.В. Боцула, Э.Д. Прохоров, И.П. Безмаль // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 518-522. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10798 537.311.322:621.382.2 ru application/pdf Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Радиофизика твердого тела и плазмы
Радиофизика твердого тела и плазмы
spellingShingle Радиофизика твердого тела и плазмы
Радиофизика твердого тела и плазмы
Боцула, О.В.
Прохоров, Э.Д.
Безмаль, И.П.
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
description Рассматриваются резонансно-туннельные диоды (РТД) на основе двойных и тройных соединений нитридов AlN, GaN, InN c большим количеством энергетических уровней в квантовых ямах. Расчитаны вольтамперные характеристики резонансно- туннельных диодов с числом уровней в квантовой яме до пяти. Показано, что такие РТД могут иметь до пяти участков с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП). Определены возможные эффективности генерации на всех участках ОДП. Сделаны оценки максимальных частот генерации на каждом участке ОДП.
format Article
author Боцула, О.В.
Прохоров, Э.Д.
Безмаль, И.П.
author_facet Боцула, О.В.
Прохоров, Э.Д.
Безмаль, И.П.
author_sort Боцула, О.В.
title Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
title_short Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
title_full Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
title_fullStr Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
title_full_unstemmed Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
title_sort резонансно-туннельные диоды на основе нитридов aln/alxga1-xn, gan/inxga1-xn
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
publishDate 2008
topic_facet Радиофизика твердого тела и плазмы
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10798
citation_txt Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN / О.В. Боцула, Э.Д. Прохоров, И.П. Безмаль // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 518-522. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT boculaov rezonansnotunnelʹnyediodynaosnovenitridovalnalxga1xnganinxga1xn
AT prohorovéd rezonansnotunnelʹnyediodynaosnovenitridovalnalxga1xnganinxga1xn
AT bezmalʹip rezonansnotunnelʹnyediodynaosnovenitridovalnalxga1xnganinxga1xn
AT boculaov rezonansnotunelʹnídíodinaosnovínítridívalnalxga1xnganinxga1xn
AT prohorovéd rezonansnotunelʹnídíodinaosnovínítridívalnalxga1xnganinxga1xn
AT bezmalʹip rezonansnotunelʹnídíodinaosnovínítridívalnalxga1xnganinxga1xn
AT boculaov resonancetunnellingdiodesonalnalxga1xnganinxga1xn
AT prohorovéd resonancetunnellingdiodesonalnalxga1xnganinxga1xn
AT bezmalʹip resonancetunnellingdiodesonalnalxga1xnganinxga1xn
first_indexed 2025-11-25T22:46:27Z
last_indexed 2025-11-25T22:46:27Z
_version_ 1849804232777007104

Схожі ресурси