Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
Рассматриваются резонансно-туннельные диоды (РТД) на основе двойных и тройных соединений нитридов AlN, GaN, InN c большим количеством энергетических уровней в квантовых ямах. Расчитаны вольтамперные характеристики резонансно- туннельных диодов с числом уровней в квантовой яме до пяти. Показано, чт...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10798 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN / О.В. Боцула, Э.Д. Прохоров, И.П. Безмаль // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 518-522. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |