Использование метода диэлектрометрии для определения компонентного состава смесей сыпучих веществ

• Дата: 2007
• Автори: Кривенко, Е.В., Кириченко, А.Я., Луценко, В.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
• Теми: Прикладная радиофизика
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10801
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Использование метода диэлектрометрии для определения компонентного состава смесей сыпучих веществ / Е.В. Кривенко, А.Я. Кириченко, В.И. Луценко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 416-420. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Исследованы добротности собственных колебаний аксиально-слоистой структуры, состоящей из слоя смеси портланд-цемента с песком, расположенного параллельно торцевой поверхности частично экранированного полудискового диэлектрического резонатора. Установлено, что внесение в поле резонатора параллельно его боковой поверхности исследуемого образца приводит к изменению собственных частот резонатора и его добротности тем больше, чем выше значения действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости исследуемого материала. Исследовано влияние компонентного состава диэлектрика, прицельного расстояния на частоту и добротность резонанса. Получены зависимости изменения частоты и крутизны электронной перестройки автогенератора на основе диода Ганна, стабилизированного аксиально-слоистой структурой от компонентного состава и влажности диэлектрика. Досліджено добротності власних коливань аксиально-шаруватої структури, що складається із шару суміші портландцементу та піску, розташованого паралельно торцевій поверхні частково екранованого напівдискового діелектричного резонатора. Встановлено, що внесення в поле резонатора паралельно його бічної поверхні досліджуваного зразка приводить до зміни власних частот резонатора і його добротності тим більше, чим вище значення дійсної і уявної частин діелектричної проникності досліджуваного матеріалу. Досліджено вплив компонентного складу діелектрика, прицільної відстані на частоту і добротність резонансу. Отримано залежності зміни частоти і крутості електронної перебудови автогенератора на основі діода Ганна, стабілізованого аксиально-шаруватою структурою від компонентного складу і вологості, діелектрика. The Q-factors of characteristic oscillations of axialflaky structure that consist of dielectric layer is parallel to faceplate of partially shielded half-disk dielectric resonators are investigated. We ascertained that bringing into the resonator field parallel to its lateral face at some aiming distance of dielectric example leads to resonator eigenfrequencies and Q-factor changing the more, the higher the real and imaginary parts of investigated material permittivity. Influence of dielectric component composition, its thickness and aiming distance on resonance frequency and Q-factor is investigated. The dependences of frequency and electronic tuning steepness of self-excited oscillator on basis of Gunn diode stabilized of axially flaky structure on dielectric component composition and moisture are obtained.