Использование метода диэлектрометрии для определения компонентного состава смесей сыпучих веществ - Кривенко, Е.В.; Кириченко, А.Я.; Луценко, В.И. (Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України, 2007)
Исследованы добротности собственных колебаний аксиально-слоистой структуры, состоящей из слоя смеси портланд-цемента с песком, расположенного параллельно торцевой поверхности частично экранированного полудискового диэлектрического резонатора. Установлено, что внесение в поле резонатора параллельно его боковой поверхности исследуемого образца приводит к изменению собственных частот резонатора и его добротности тем больше, чем выше значения действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости исследуемого материала. Исследовано влияние компонентного состава диэлектрика, прицельного расстояния на частоту и добротность резонанса. Получены зависимости изменения частоты и крутизны электронной перестройки автогенератора на основе диода Ганна, стабилизированного аксиально-слоистой структурой от компонентного состава и влажности диэлектрика. Досліджено добротності власних коливань аксиально-шаруватої структури, що складається із шару суміші портландцементу та піску, розташованого паралельно торцевій поверхні частково екранованого напівдискового діелектричного резонатора. Встановлено, що внесення в поле резонатора паралельно його бічної поверхні досліджуваного зразка приводить до зміни власних частот резонатора і його добротності тим більше, чим вище значення дійсної і уявної частин діелектричної проникності досліджуваного матеріалу. Досліджено вплив компонентного складу діелектрика, прицільної відстані на частоту і добротність резонансу. Отримано залежності зміни частоти і крутості електронної перебудови автогенератора на основі діода Ганна, стабілізованого аксиально-шаруватою структурою від компонентного складу і вологості, діелектрика. The Q-factors of characteristic oscillations of axialflaky structure
that consist of dielectric layer is parallel to faceplate of partially
shielded half-disk dielectric resonators are investigated. We ascertained
that bringing into the resonator field parallel to its lateral
face at some aiming distance of dielectric example leads to resonator
eigenfrequencies and Q-factor changing the more, the higher
the real and imaginary parts of investigated material permittivity.
Influence of dielectric component composition, its thickness and
aiming distance on resonance frequency and Q-factor is investigated.
The dependences of frequency and electronic tuning steepness of self-excited oscillator on basis of Gunn diode stabilized of axially flaky structure on dielectric component composition and moisture are obtained.