Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений

• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Грищенко, С.В., Демин, А.А., Лысак, В.В., Петров, С.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
• Schlagworte: Вакуумная и твердотельная электроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10802
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений / С.В. Грищенко, А.А. Демин, В.В. Лысак, С.И. Петров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 401-407. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Проводится теоретическое исследование квантовой эффективности резонансного p-i-n фотодетектора на основе InGaAs/GaAs для сверхкоротких оптических соединений. Рассчитана квантовая эффективность для условий резонанса. Математическая модель включает физические параметры фотодетектора и учитывает длину волны излучения, отражательную способность зеркал и оптическое поглощение во всех слоях детектора. Были получены зависимости квантовой эффективности от коэффициента отражения верхнего зеркала резонатора на основе Al0,65Ga0,35As/GaAs при различных других параметрах структуры. Найдены значения коэффициента отражения верхнего зеркала в зависимости от физических параметров структуры. Проводиться теоретичне дослідження квантової єфективності резонансного p-і-n фотодетектора на основі InGaAs/GaAs для надшвидких оптичних з’еднань. Розрахована квантова ефективність для умов резонансу. Математична модель включає до себе фізичні параметри фотодетектора та враховує довжину хвілі випромінювання, відбивну спроможність дзеркал та оптичне поглинання в усіх шарах детектора. Були отримани залежності квантової ефективності від коєфіціента відбивання верхнього дзеркала резонатора на основі Al0,65Ga0,35As/GaAs при різних інших параметрах структури. Знайдено значення коєфіциента відбивання верхнього дзеркала в залежності від фізичних параметрів структури. We present a theoretical analysis on the quantum efficiency of a resonant cavity enhanced (RCE) InGaAs/GaAs p-i-n detector for the ultrashort optical connections. The quantum efficiency (QE) under resonant condition has been calculated. The math model includes physical parameters of photodetector and takes into account wave-length, reflecting availability of mirrors and optical absorption in all photodetector layers. QE dependence from the top mirror reflectivity coefficient based on Al0,65Ga0,35As/GaAs was obtained. Magnitude of reflectivity coefficient of the top mirror in dependence of different physical parameters was found.