Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
Проводится теоретическое исследование квантовой эффективности резонансного p-i-n фотодетектора на основе InGaAs/GaAs
 для сверхкоротких оптических соединений. Рассчитана квантовая эффективность для условий резонанса. Математическая модель включает физические параметры фотодетектора и учитыва...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10802 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений / С.В. Грищенко, А.А. Демин, В.В. Лысак, С.И. Петров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 401-407. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862707797623308288 |
|---|---|
| author | Грищенко, С.В. Демин, А.А. Лысак, В.В. Петров, С.И. |
| author_facet | Грищенко, С.В. Демин, А.А. Лысак, В.В. Петров, С.И. |
| citation_txt | Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений / С.В. Грищенко, А.А. Демин, В.В. Лысак, С.И. Петров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 401-407. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Проводится теоретическое исследование квантовой эффективности резонансного p-i-n фотодетектора на основе InGaAs/GaAs
для сверхкоротких оптических соединений. Рассчитана квантовая эффективность для условий резонанса. Математическая модель включает физические параметры фотодетектора и учитывает длину волны излучения, отражательную способность зеркал и оптическое поглощение во всех слоях детектора. Были получены зависимости квантовой эффективности от коэффициента отражения верхнего зеркала
резонатора на основе Al0,65Ga0,35As/GaAs при различных других параметрах структуры. Найдены значения коэффициента отражения
верхнего зеркала в зависимости от физических параметров структуры.
Проводиться теоретичне дослідження квантової єфективності резонансного p-і-n фотодетектора на основі InGaAs/GaAs для надшвидких оптичних з’еднань. Розрахована квантова ефективність для умов резонансу. Математична модель включає до себе фізичні параметри фотодетектора та враховує довжину хвілі випромінювання, відбивну спроможність дзеркал та оптичне поглинання в усіх шарах детектора. Були отримани залежності квантової ефективності від коєфіціента відбивання верхнього дзеркала резонатора на основі Al0,65Ga0,35As/GaAs при різних інших параметрах структури. Знайдено значення коєфіциента відбивання верхнього дзеркала в залежності від фізичних параметрів структури.
We present a theoretical analysis on the quantum efficiency of a resonant cavity enhanced (RCE) InGaAs/GaAs p-i-n detector for the ultrashort optical connections. The quantum efficiency (QE) under resonant condition has been calculated. The math model includes physical parameters of photodetector and takes into account wave-length, reflecting availability of mirrors and optical absorption in all photodetector layers. QE dependence from the top mirror reflectivity coefficient based on Al0,65Ga0,35As/GaAs was obtained. Magnitude of reflectivity coefficient of the top mirror in dependence of different physical parameters was found.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:07:08Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10802 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:07:08Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Грищенко, С.В. Демин, А.А. Лысак, В.В. Петров, С.И. 2010-08-06T15:57:58Z 2010-08-06T15:57:58Z 2007 Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений / С.В. Грищенко, А.А. Демин, В.В. Лысак, С.И. Петров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 401-407. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10802 621.383.52 Проводится теоретическое исследование квантовой эффективности резонансного p-i-n фотодетектора на основе InGaAs/GaAs
 для сверхкоротких оптических соединений. Рассчитана квантовая эффективность для условий резонанса. Математическая модель включает физические параметры фотодетектора и учитывает длину волны излучения, отражательную способность зеркал и оптическое поглощение во всех слоях детектора. Были получены зависимости квантовой эффективности от коэффициента отражения верхнего зеркала
 резонатора на основе Al0,65Ga0,35As/GaAs при различных других параметрах структуры. Найдены значения коэффициента отражения
 верхнего зеркала в зависимости от физических параметров структуры. Проводиться теоретичне дослідження квантової єфективності резонансного p-і-n фотодетектора на основі InGaAs/GaAs для надшвидких оптичних з’еднань. Розрахована квантова ефективність для умов резонансу. Математична модель включає до себе фізичні параметри фотодетектора та враховує довжину хвілі випромінювання, відбивну спроможність дзеркал та оптичне поглинання в усіх шарах детектора. Були отримани залежності квантової ефективності від коєфіціента відбивання верхнього дзеркала резонатора на основі Al0,65Ga0,35As/GaAs при різних інших параметрах структури. Знайдено значення коєфіциента відбивання верхнього дзеркала в залежності від фізичних параметрів структури. We present a theoretical analysis on the quantum efficiency of a resonant cavity enhanced (RCE) InGaAs/GaAs p-i-n detector for the ultrashort optical connections. The quantum efficiency (QE) under resonant condition has been calculated. The math model includes physical parameters of photodetector and takes into account wave-length, reflecting availability of mirrors and optical absorption in all photodetector layers. QE dependence from the top mirror reflectivity coefficient based on Al0,65Ga0,35As/GaAs was obtained. Magnitude of reflectivity coefficient of the top mirror in dependence of different physical parameters was found. Авторы выражают благодарность
 И. А. Сухоиванову за советы в ходе выполнения
 работы и помощь при подготовке рукописи. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Вакуумная и твердотельная электроника Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений Квантова ефективність резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для надкоротких оптичних з’єднань Quantum efficiency of the InGaAs/GaAs resonant cavity enhanced photodetector for the ultrashort optical connection Article published earlier |
| spellingShingle | Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений Грищенко, С.В. Демин, А.А. Лысак, В.В. Петров, С.И. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title | Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений |
| title_alt | Квантова ефективність резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для надкоротких оптичних з’єднань Quantum efficiency of the InGaAs/GaAs resonant cavity enhanced photodetector for the ultrashort optical connection |
| title_full | Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений |
| title_fullStr | Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений |
| title_full_unstemmed | Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений |
| title_short | Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений |
| title_sort | квантовая эффективность резонансного ingaas/gaas фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений |
| topic | Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet | Вакуумная и твердотельная электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10802 |
| work_keys_str_mv | AT griŝenkosv kvantovaâéffektivnostʹrezonansnogoingaasgaasfotodetektoradlâsverhkorotkihoptičeskihsoedinenii AT deminaa kvantovaâéffektivnostʹrezonansnogoingaasgaasfotodetektoradlâsverhkorotkihoptičeskihsoedinenii AT lysakvv kvantovaâéffektivnostʹrezonansnogoingaasgaasfotodetektoradlâsverhkorotkihoptičeskihsoedinenii AT petrovsi kvantovaâéffektivnostʹrezonansnogoingaasgaasfotodetektoradlâsverhkorotkihoptičeskihsoedinenii AT griŝenkosv kvantovaefektivnístʹrezonansnogoingaasgaasfotodetektoradlânadkorotkihoptičnihzêdnanʹ AT deminaa kvantovaefektivnístʹrezonansnogoingaasgaasfotodetektoradlânadkorotkihoptičnihzêdnanʹ AT lysakvv kvantovaefektivnístʹrezonansnogoingaasgaasfotodetektoradlânadkorotkihoptičnihzêdnanʹ AT petrovsi kvantovaefektivnístʹrezonansnogoingaasgaasfotodetektoradlânadkorotkihoptičnihzêdnanʹ AT griŝenkosv quantumefficiencyoftheingaasgaasresonantcavityenhancedphotodetectorfortheultrashortopticalconnection AT deminaa quantumefficiencyoftheingaasgaasresonantcavityenhancedphotodetectorfortheultrashortopticalconnection AT lysakvv quantumefficiencyoftheingaasgaasresonantcavityenhancedphotodetectorfortheultrashortopticalconnection AT petrovsi quantumefficiencyoftheingaasgaasresonantcavityenhancedphotodetectorfortheultrashortopticalconnection |