Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
Проводится теоретическое исследование квантовой эффективности резонансного p-i-n фотодетектора на основе InGaAs/GaAs
 для сверхкоротких оптических соединений. Рассчитана квантовая эффективность для условий резонанса. Математическая модель включает физические параметры фотодетектора и учитыва...
Saved in:
| Date: | 2007 |
|---|---|
| Main Authors: | Грищенко, С.В., Демин, А.А., Лысак, В.В., Петров, С.И. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10802 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений / С.В. Грищенко, А.А. Демин, В.В. Лысак, С.И. Петров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 401-407. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2007)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2007)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013)
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013)
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013)
Возбуждение резонансного клинотрона при очень низких анодных напряжениях
by: Мильчо, М.В., et al.
Published: (2008)
by: Мильчо, М.В., et al.
Published: (2008)
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014)
Статический домен в приборе с междолинным переносом электронов на основе варизонного AlGaAs
by: Стороженко, И.П.
Published: (2015)
by: Стороженко, И.П.
Published: (2015)
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
by: Москалюк, В.А., et al.
Published: (2003)
by: Москалюк, В.А., et al.
Published: (2003)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
by: Iliash, S.A., et al.
Published: (2016)
by: Iliash, S.A., et al.
Published: (2016)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
by: Круковский, С.И.
Published: (2002)
by: Круковский, С.И.
Published: (2002)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
by: A. P. Savelev, et al.
Published: (2017)
by: A. P. Savelev, et al.
Published: (2017)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
by: S. A. Iliash, et al.
Published: (2016)
by: S. A. Iliash, et al.
Published: (2016)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2003)
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2003)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
by: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Published: (1999)
by: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Published: (1999)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2004)
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2004)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
by: Николаенко, Ю.Е., et al.
Published: (2002)
by: Николаенко, Ю.Е., et al.
Published: (2002)
Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)
by: Стороженко, И.П.
Published: (2007)
by: Стороженко, И.П.
Published: (2007)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2007)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2007)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: M. M. Vinoslavskii, et al.
Published: (2018)
by: M. M. Vinoslavskii, et al.
Published: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: Vinoslavskii, M.M., et al.
Published: (2018)
by: Vinoslavskii, M.M., et al.
Published: (2018)
Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2012)
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2012)
Magnetooptics of heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and a ferromagnetic Mn deltalayer
by: S. V. Zajtsev
Published: (2012)
by: S. V. Zajtsev
Published: (2012)
Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2014)
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2014)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
by: Masselink, W.T., et al.
Published: (2000)
by: Masselink, W.T., et al.
Published: (2000)
Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
by: A. P. Savelyev, et al.
Published: (2021)
by: A. P. Savelyev, et al.
Published: (2021)
Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
by: Ju. G. Arapov, et al.
Published: (2013)
by: Ju. G. Arapov, et al.
Published: (2013)
Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
by: Ju. G. Arapov, et al.
Published: (2015)
by: Ju. G. Arapov, et al.
Published: (2015)
The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
by: S. V. Gudina, et al.
Published: (2013)
by: S. V. Gudina, et al.
Published: (2013)
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
by: Ju. G. Arapov, et al.
Published: (2013)
by: Ju. G. Arapov, et al.
Published: (2013)
The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
by: M. N. Vinoslavskij, et al.
Published: (2020)
by: M. N. Vinoslavskij, et al.
Published: (2020)
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
by: Савельев, А.П., et al.
Published: (2017)
by: Савельев, А.П., et al.
Published: (2017)
Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2013)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2013)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
by: Sghaier, H., et al.
Published: (2012)
by: Sghaier, H., et al.
Published: (2012)
Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
by: Гудина, С.В., et al.
Published: (2013)
by: Гудина, С.В., et al.
Published: (2013)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
by: Karimov, A.V., et al.
Published: (2005)
by: Karimov, A.V., et al.
Published: (2005)
Подавление щелевого вида колебаний в коаксиальных магнетронах миллиметрового диапазона длин волн
by: Омиров, А.А.
Published: (2013)
by: Омиров, А.А.
Published: (2013)
Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
by: Шуба, Л.П., et al.
Published: (2007)
by: Шуба, Л.П., et al.
Published: (2007)
Мультипакторные разряды в зазорах ускоряющего канала и других областях резонаторной структуры линейного ускорителя ионов
by: Лобзов, Л.Д., et al.
Published: (2014)
by: Лобзов, Л.Д., et al.
Published: (2014)
О работе генератора дифракционного излучения на высших пространственных гармониках
by: Корнеенков, В.К., et al.
Published: (2008)
by: Корнеенков, В.К., et al.
Published: (2008)
Влияние поля излучения Смита-Парселла на электронный поток в приборах типа ГДИ
by: Хуторян, Э.М., et al.
Published: (2008)
by: Хуторян, Э.М., et al.
Published: (2008)
Similar Items
-
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2007) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013) -
Возбуждение резонансного клинотрона при очень низких анодных напряжениях
by: Мильчо, М.В., et al.
Published: (2008) -
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014)