Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
Проводится теоретическое исследование квантовой эффективности резонансного p-i-n фотодетектора на основе InGaAs/GaAs
 для сверхкоротких оптических соединений. Рассчитана квантовая эффективность для условий резонанса. Математическая модель включает физические параметры фотодетектора и учитыва...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Грищенко, С.В., Демин, А.А., Лысак, В.В., Петров, С.И. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10802 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений / С.В. Грищенко, А.А. Демин, В.В. Лысак, С.И. Петров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 401-407. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Варизонный AlGaInAs-диод Ганна
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Возбуждение резонансного клинотрона при очень низких анодных напряжениях
von: Мильчо, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Мильчо, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Статический домен в приборе с междолинным переносом электронов на основе варизонного AlGaAs
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2015)
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2015)
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
von: Москалюк, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Москалюк, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2007)
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2007)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovskiy, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Krukovskiy, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Magnetooptics of heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and a ferromagnetic Mn deltalayer
von: S. V. Zajtsev
Veröffentlicht: (2012)
von: S. V. Zajtsev
Veröffentlicht: (2012)
Modeling the intermixing effects in highly strained asymmetric InGaAs/GaAs quantum well
von: Souaf, M., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Souaf, M., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
von: A. P. Savelyev, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: A. P. Savelyev, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Магнитооптика гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и ферромагнитным дельта-слоем Mn
von: Зайцев, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
von: Зайцев, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
von: S. V. Gudina, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: S. V. Gudina, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
von: M. N. Vinoslavskij, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: M. N. Vinoslavskij, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Ähnliche Einträge
-
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Варизонный AlGaInAs-диод Ганна
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)