Зображення обкладинки

Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений

Проводится теоретическое исследование квантовой эффективности резонансного p-i-n фотодетектора на основе InGaAs/GaAs для сверхкоротких оптических соединений. Рассчитана квантовая эффективность для условий резонанса. Математическая модель включает физические параметры фотодетектора и учитыва...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Грищенко, С.В., Демин, А.А., Лысак, В.В., Петров, С.И.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
Теми:	Вакуумная и твердотельная электроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10802
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений / С.В. Грищенко, А.А. Демин, В.В. Лысак, С.И. Петров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 401-407. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Возбуждение резонансного клинотрона при очень низких анодных напряжениях
за авторством: Мильчо, М.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)

Статический домен в приборе с междолинным переносом электронов на основе варизонного AlGaAs
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2015)

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
за авторством: Москалюк, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)

Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2007)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2012)

Magnetooptics of heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and a ferromagnetic Mn deltalayer
за авторством: S. V. Zajtsev
Опубліковано: (2012)

Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)

Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)

Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)

The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013)

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2015)

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2013)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
за авторством: Гудина, С.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Подавление щелевого вида колебаний в коаксиальных магнетронах миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Омиров, А.А.
Опубліковано: (2013)

Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
за авторством: Шуба, Л.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Мультипакторные разряды в зазорах ускоряющего канала и других областях резонаторной структуры линейного ускорителя ионов
за авторством: Лобзов, Л.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

О работе генератора дифракционного излучения на высших пространственных гармониках
за авторством: Корнеенков, В.К., та інші
Опубліковано: (2008)

Влияние поля излучения Смита-Парселла на электронный поток в приборах типа ГДИ
за авторством: Хуторян, Э.М., та інші
Опубліковано: (2008)