Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна
Рассматривается диод Ганна с резонансно-туннельным катодом с одним энергетическим уровнем в квантовой яме. Использование такого катода приводит к тому, что вольтамперные характеристики диода имеют два участка отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП), на каждом из которых возможно получение...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10803 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна / О.В. Боцула, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 394-400. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |