Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах

Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах

Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2007
Main Authors: Кириченко, М.В., Зайцев, Р.В., Дейнеко, Н.В., Копач, В.Р., Антонова, В.А., Листратенко, А.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
Subjects:
Вакуумная и твердотельная электроника
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10815
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10815
record_format dspace
spelling Кириченко, М.В.
Зайцев, Р.В.
Дейнеко, Н.В.
Копач, В.Р.
Антонова, В.А.
Листратенко, А.М.
2010-08-06T16:45:39Z
2010-08-06T16:45:39Z
2007
Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
1028-821X
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10815
539.2:648.75
Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений ? и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП.
Наведено результати досліджень часу життя та дифузійної довжини L неосновних носіїв заряду у базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП), виготовлених згідно до різних варіантів конструктивно-технологічного рішення. На підставі проведеного порівняльного аналізу отриманих значень ? і L обґрунтовано вибір оптимального варіанту конструктивно-технологічного рішення вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП.
The investigated values of lifetime and diffusion length L of minor-ity charge carriers in base crystals of silicon solar cells (Si-SC) according to their various construction-technological solutions are presented. The optimal construction-technological solution version for Ukrainian monocrystalline Si-SC was suggested on the basis of the carried out comparative analysis of received ? and L values.
ru
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Вакуумная и твердотельная электроника
Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
Вплив конструктивно-технологічного рішення кремнієвих фотоперетворювачів на параметри неосновних носіїв заряду у їх базових кристалах
Influence of construction-technological solutions of silicon solar cells on minority charge carriers parameters in their base crystals
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
spellingShingle Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
Кириченко, М.В.
Зайцев, Р.В.
Дейнеко, Н.В.
Копач, В.Р.
Антонова, В.А.
Листратенко, А.М.
Вакуумная и твердотельная электроника
title_short Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
title_full Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
title_fullStr Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
title_full_unstemmed Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
title_sort влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
author Кириченко, М.В.
Зайцев, Р.В.
Дейнеко, Н.В.
Копач, В.Р.
Антонова, В.А.
Листратенко, А.М.
author_facet Кириченко, М.В.
Зайцев, Р.В.
Дейнеко, Н.В.
Копач, В.Р.
Антонова, В.А.
Листратенко, А.М.
topic Вакуумная и твердотельная электроника
topic_facet Вакуумная и твердотельная электроника
publishDate 2007
language Russian
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
format Article
title_alt Вплив конструктивно-технологічного рішення кремнієвих фотоперетворювачів на параметри неосновних носіїв заряду у їх базових кристалах
Influence of construction-technological solutions of silicon solar cells on minority charge carriers parameters in their base crystals
description Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений ? и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП. Наведено результати досліджень часу життя та дифузійної довжини L неосновних носіїв заряду у базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП), виготовлених згідно до різних варіантів конструктивно-технологічного рішення. На підставі проведеного порівняльного аналізу отриманих значень ? і L обґрунтовано вибір оптимального варіанту конструктивно-технологічного рішення вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП. The investigated values of lifetime and diffusion length L of minor-ity charge carriers in base crystals of silicon solar cells (Si-SC) according to their various construction-technological solutions are presented. The optimal construction-technological solution version for Ukrainian monocrystalline Si-SC was suggested on the basis of the carried out comparative analysis of received ? and L values.
issn 1028-821X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10815
citation_txt Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kiričenkomv vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovateleinaparametryneosnovnyhnositeleizarâdavihbazovyhkristallah
AT zaicevrv vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovateleinaparametryneosnovnyhnositeleizarâdavihbazovyhkristallah
AT deinekonv vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovateleinaparametryneosnovnyhnositeleizarâdavihbazovyhkristallah
AT kopačvr vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovateleinaparametryneosnovnyhnositeleizarâdavihbazovyhkristallah
AT antonovava vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovateleinaparametryneosnovnyhnositeleizarâdavihbazovyhkristallah
AT listratenkoam vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovateleinaparametryneosnovnyhnositeleizarâdavihbazovyhkristallah
AT kiričenkomv vplivkonstruktivnotehnologíčnogoríšennâkremníêvihfotoperetvorûvačívnaparametrineosnovnihnosíívzarâduuíhbazovihkristalah
AT zaicevrv vplivkonstruktivnotehnologíčnogoríšennâkremníêvihfotoperetvorûvačívnaparametrineosnovnihnosíívzarâduuíhbazovihkristalah
AT deinekonv vplivkonstruktivnotehnologíčnogoríšennâkremníêvihfotoperetvorûvačívnaparametrineosnovnihnosíívzarâduuíhbazovihkristalah
AT kopačvr vplivkonstruktivnotehnologíčnogoríšennâkremníêvihfotoperetvorûvačívnaparametrineosnovnihnosíívzarâduuíhbazovihkristalah
AT antonovava vplivkonstruktivnotehnologíčnogoríšennâkremníêvihfotoperetvorûvačívnaparametrineosnovnihnosíívzarâduuíhbazovihkristalah
AT listratenkoam vplivkonstruktivnotehnologíčnogoríšennâkremníêvihfotoperetvorûvačívnaparametrineosnovnihnosíívzarâduuíhbazovihkristalah
AT kiričenkomv influenceofconstructiontechnologicalsolutionsofsiliconsolarcellsonminoritychargecarriersparametersintheirbasecrystals
AT zaicevrv influenceofconstructiontechnologicalsolutionsofsiliconsolarcellsonminoritychargecarriersparametersintheirbasecrystals
AT deinekonv influenceofconstructiontechnologicalsolutionsofsiliconsolarcellsonminoritychargecarriersparametersintheirbasecrystals
AT kopačvr influenceofconstructiontechnologicalsolutionsofsiliconsolarcellsonminoritychargecarriersparametersintheirbasecrystals
AT antonovava influenceofconstructiontechnologicalsolutionsofsiliconsolarcellsonminoritychargecarriersparametersintheirbasecrystals
AT listratenkoam influenceofconstructiontechnologicalsolutionsofsiliconsolarcellsonminoritychargecarriersparametersintheirbasecrystals
first_indexed 2025-12-07T16:51:27Z
last_indexed 2025-12-07T16:51:27Z
_version_ 1850869062004899840

Similar Items