Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10815 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862704576766935040 |
|---|---|
| author | Кириченко, М.В. Зайцев, Р.В. Дейнеко, Н.В. Копач, В.Р. Антонова, В.А. Листратенко, А.М. |
| author_facet | Кириченко, М.В. Зайцев, Р.В. Дейнеко, Н.В. Копач, В.Р. Антонова, В.А. Листратенко, А.М. |
| citation_txt | Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений ? и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП.
Наведено результати досліджень часу життя та дифузійної довжини L неосновних носіїв заряду у базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП), виготовлених згідно до різних варіантів конструктивно-технологічного рішення. На підставі проведеного порівняльного аналізу отриманих значень ? і L обґрунтовано вибір оптимального варіанту конструктивно-технологічного рішення вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП.
The investigated values of lifetime and diffusion length L of minor-ity charge carriers in base crystals of silicon solar cells (Si-SC) according to their various construction-technological solutions are presented. The optimal construction-technological solution version for Ukrainian monocrystalline Si-SC was suggested on the basis of the carried out comparative analysis of received ? and L values.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:51:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-10815 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:51:27Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кириченко, М.В. Зайцев, Р.В. Дейнеко, Н.В. Копач, В.Р. Антонова, В.А. Листратенко, А.М. 2010-08-06T16:45:39Z 2010-08-06T16:45:39Z 2007 Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10815 539.2:648.75 Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений ? и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП. Наведено результати досліджень часу життя та дифузійної довжини L неосновних носіїв заряду у базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП), виготовлених згідно до різних варіантів конструктивно-технологічного рішення. На підставі проведеного порівняльного аналізу отриманих значень ? і L обґрунтовано вибір оптимального варіанту конструктивно-технологічного рішення вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП. The investigated values of lifetime and diffusion length L of minor-ity charge carriers in base crystals of silicon solar cells (Si-SC) according to their various construction-technological solutions are presented. The optimal construction-technological solution version for Ukrainian monocrystalline Si-SC was suggested on the basis of the carried out comparative analysis of received ? and L values. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Вакуумная и твердотельная электроника Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах Вплив конструктивно-технологічного рішення кремнієвих фотоперетворювачів на параметри неосновних носіїв заряду у їх базових кристалах Influence of construction-technological solutions of silicon solar cells on minority charge carriers parameters in their base crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах Кириченко, М.В. Зайцев, Р.В. Дейнеко, Н.В. Копач, В.Р. Антонова, В.А. Листратенко, А.М. Вакуумная и твердотельная электроника |
| title | Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах |
| title_alt | Вплив конструктивно-технологічного рішення кремнієвих фотоперетворювачів на параметри неосновних носіїв заряду у їх базових кристалах Influence of construction-technological solutions of silicon solar cells on minority charge carriers parameters in their base crystals |
| title_full | Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах |
| title_fullStr | Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах |
| title_full_unstemmed | Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах |
| title_short | Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах |
| title_sort | влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах |
| topic | Вакуумная и твердотельная электроника |
| topic_facet | Вакуумная и твердотельная электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10815 |
| work_keys_str_mv | AT kiričenkomv vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovateleinaparametryneosnovnyhnositeleizarâdavihbazovyhkristallah AT zaicevrv vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovateleinaparametryneosnovnyhnositeleizarâdavihbazovyhkristallah AT deinekonv vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovateleinaparametryneosnovnyhnositeleizarâdavihbazovyhkristallah AT kopačvr vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovateleinaparametryneosnovnyhnositeleizarâdavihbazovyhkristallah AT antonovava vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovateleinaparametryneosnovnyhnositeleizarâdavihbazovyhkristallah AT listratenkoam vliâniekonstruktivnotehnologičeskogorešeniâkremnievyhfotopreobrazovateleinaparametryneosnovnyhnositeleizarâdavihbazovyhkristallah AT kiričenkomv vplivkonstruktivnotehnologíčnogoríšennâkremníêvihfotoperetvorûvačívnaparametrineosnovnihnosíívzarâduuíhbazovihkristalah AT zaicevrv vplivkonstruktivnotehnologíčnogoríšennâkremníêvihfotoperetvorûvačívnaparametrineosnovnihnosíívzarâduuíhbazovihkristalah AT deinekonv vplivkonstruktivnotehnologíčnogoríšennâkremníêvihfotoperetvorûvačívnaparametrineosnovnihnosíívzarâduuíhbazovihkristalah AT kopačvr vplivkonstruktivnotehnologíčnogoríšennâkremníêvihfotoperetvorûvačívnaparametrineosnovnihnosíívzarâduuíhbazovihkristalah AT antonovava vplivkonstruktivnotehnologíčnogoríšennâkremníêvihfotoperetvorûvačívnaparametrineosnovnihnosíívzarâduuíhbazovihkristalah AT listratenkoam vplivkonstruktivnotehnologíčnogoríšennâkremníêvihfotoperetvorûvačívnaparametrineosnovnihnosíívzarâduuíhbazovihkristalah AT kiričenkomv influenceofconstructiontechnologicalsolutionsofsiliconsolarcellsonminoritychargecarriersparametersintheirbasecrystals AT zaicevrv influenceofconstructiontechnologicalsolutionsofsiliconsolarcellsonminoritychargecarriersparametersintheirbasecrystals AT deinekonv influenceofconstructiontechnologicalsolutionsofsiliconsolarcellsonminoritychargecarriersparametersintheirbasecrystals AT kopačvr influenceofconstructiontechnologicalsolutionsofsiliconsolarcellsonminoritychargecarriersparametersintheirbasecrystals AT antonovava influenceofconstructiontechnologicalsolutionsofsiliconsolarcellsonminoritychargecarriersparametersintheirbasecrystals AT listratenkoam influenceofconstructiontechnologicalsolutionsofsiliconsolarcellsonminoritychargecarriersparametersintheirbasecrystals |