Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах - Кириченко, М.В.; Зайцев, Р.В.; Дейнеко, Н.В.; Копач, В.Р.; Антонова, В.А.; Листратенко, А.М. (Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України, 2007)
Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений ? и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП. Наведено результати досліджень часу життя та дифузійної довжини L неосновних носіїв заряду у базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП), виготовлених згідно до різних варіантів конструктивно-технологічного рішення. На підставі проведеного порівняльного аналізу отриманих значень ? і L обґрунтовано вибір оптимального варіанту конструктивно-технологічного рішення вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП. The investigated values of lifetime and diffusion length L of minor-ity charge carriers in base crystals of silicon solar cells (Si-SC) according to their various construction-technological solutions are presented. The optimal construction-technological solution version for Ukrainian monocrystalline Si-SC was suggested on the basis of the carried out comparative analysis of received ? and L values.