Зображення обкладинки

Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах

Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Кириченко, М.В., Зайцев, Р.В., Дейнеко, Н.В., Копач, В.Р., Антонова, В.А., Листратенко, А.М.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
Теми:	Вакуумная и твердотельная электроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10815
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
за авторством: Шуба, Л.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
за авторством: Kushnirenko, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Выбор конструктивно-технологического варианта ГИС
за авторством: Коробов, А.И., та інші
Опубліковано: (1999)

Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей
за авторством: Ефимов, В.П., та інші
Опубліковано: (2010)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2009)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
за авторством: Perevertaylo, V. L., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
за авторством: Aзaренков, Н.A., та інші
Опубліковано: (2018)

К теории взаимодействия делокализованных носителей заряда с магнитными возбуждениями в высокотемпературных сверхпроводниках
за авторством: Локтев, В.М., та інші
Опубліковано: (1995)

О возможности оценки положения порога подвижности для носителей заряда с использованием одночастичных средних
за авторством: Скрипник, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2018)

Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)

Распределение кислорода в монокристаллах кремния и его влияние на время жизни неравновесных носителей заряда
за авторством: Червоный, И.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
за авторством: Богословский, Н.А., та інші
Опубліковано: (2019)

Сверхпроводимость в квазидвумерных неадиабатических системах с произвольной плотностью носителей заряда при T = 0
за авторством: Палистрант, М.Е.
Опубліковано: (2003)

О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП
за авторством: Сергеева, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Критическая температура и предельная концентрация носителей заряда в плоскостях CuO₂ в медьсодержащих ВТСП
за авторством: Сухаревский, Б.Я., та інші
Опубліковано: (1995)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)

Сверхпроводимость в примесных системах с пониженной плотностью носителей заряда и сильными электронными корреляциями
за авторством: Палистрант, М.Е.
Опубліковано: (2002)

Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
за авторством: Маматкаримов, О.О., та інші
Опубліковано: (2012)

Квантовые и поверхностные состояния носителей заряда в оптических спектрах нанокластеров в матрице с низкой диэлектрической постоянной
за авторством: Бондарь, Н.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа
за авторством: Коршунов, Ф.П., та інші
Опубліковано: (2001)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Конструктивно-продукционные структуры и их грамматические интерпретации. I. Обобщенная формальная конструктивно-продукционная структура
за авторством: Шинкаренко, В.И., та інші
Опубліковано: (2014)

Новые конструктивно-технологические решения светодиодных модулей для ламп-ретрофитов
за авторством: Борщев, В.Н., та інші
Опубліковано: (2016)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)

Конструктивно-продукционное представление геометрических фракталов
за авторством: Шинкаренко, В.И.
Опубліковано: (2019)

Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)

Бифуркации в базовых моделях многомерных систем
за авторством: Никитина, Н.В.
Опубліковано: (2018)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках
за авторством: Даунов, М.И., та інші
Опубліковано: (2009)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Гасанов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Конструктивно-продукционная модель графового представления текста
за авторством: Шинкаренко, В.И., та інші
Опубліковано: (2016)

Методология имитации радиационных повреждений фотопреобразователей солнечных батарей с помощью ускорителей электронов и протонов
за авторством: Неклюдов, И.М., та інші
Опубліковано: (2003)

Об одном классе базовых протоколов
за авторством: Летичевский, А.А.
Опубліковано: (2005)

Типологизация базовых наднациональных инновационных систем
за авторством: Кравченко, С.И., та інші
Опубліковано: (2019)

О некоторых базовых установках неоязычества
за авторством: Сысоева, М.С.
Опубліковано: (2007)

Аттракторы трехмерных систем в базовых моделях механики
за авторством: Никитина, Н.В.
Опубліковано: (2020)

Специализированные БИС на основе базовых матричных кристаллов
за авторством: Грунянская, В.П., та інші
Опубліковано: (2000)

Новые решения в конструктивно-технологическом обосновании методов крепления очистных забоев
за авторством: Дегтярь, Р.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Вплив конструктивно-технологічних факторів на ефективність бронеелементів на основі кераміки
за авторством: Вишняков, Л.Р., та інші
Опубліковано: (2004)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)