Buchumschlag

Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах

Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Кириченко, М.В., Зайцев, Р.В., Дейнеко, Н.В., Копач, В.Р., Антонова, В.А., Листратенко, А.М.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
Schlagworte:	Вакуумная и твердотельная электроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10815
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
von: Шуба, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
von: Kushnirenko, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Выбор конструктивно-технологического варианта ГИС
von: Коробов, А.И., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей
von: Ефимов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Perevertaylo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
von: Aзaренков, Н.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

К теории взаимодействия делокализованных носителей заряда с магнитными возбуждениями в высокотемпературных сверхпроводниках
von: Локтев, В.М., et al.
Veröffentlicht: (1995)

О возможности оценки положения порога подвижности для носителей заряда с использованием одночастичных средних
von: Скрипник, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Распределение кислорода в монокристаллах кремния и его влияние на время жизни неравновесных носителей заряда
von: Червоный, И.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
von: Богословский, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Сверхпроводимость в квазидвумерных неадиабатических системах с произвольной плотностью носителей заряда при T = 0
von: Палистрант, М.Е.
Veröffentlicht: (2003)

О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП
von: Сергеева, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Критическая температура и предельная концентрация носителей заряда в плоскостях CuO₂ в медьсодержащих ВТСП
von: Сухаревский, Б.Я., et al.
Veröffentlicht: (1995)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Сверхпроводимость в примесных системах с пониженной плотностью носителей заряда и сильными электронными корреляциями
von: Палистрант, М.Е.
Veröffentlicht: (2002)

Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
von: Маматкаримов, О.О., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Квантовые и поверхностные состояния носителей заряда в оптических спектрах нанокластеров в матрице с низкой диэлектрической постоянной
von: Бондарь, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа
von: Коршунов, Ф.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Конструктивно-продукционные структуры и их грамматические интерпретации. I. Обобщенная формальная конструктивно-продукционная структура
von: Шинкаренко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Новые конструктивно-технологические решения светодиодных модулей для ламп-ретрофитов
von: Борщев, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Конструктивно-продукционное представление геометрических фракталов
von: Шинкаренко, В.И.
Veröffentlicht: (2019)

Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Бифуркации в базовых моделях многомерных систем
von: Никитина, Н.В.
Veröffentlicht: (2018)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
von: Hasanov, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках
von: Даунов, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
von: Гасанов, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Конструктивно-продукционная модель графового представления текста
von: Шинкаренко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Методология имитации радиационных повреждений фотопреобразователей солнечных батарей с помощью ускорителей электронов и протонов
von: Неклюдов, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Об одном классе базовых протоколов
von: Летичевский, А.А.
Veröffentlicht: (2005)

Типологизация базовых наднациональных инновационных систем
von: Кравченко, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2019)

О некоторых базовых установках неоязычества
von: Сысоева, М.С.
Veröffentlicht: (2007)

Аттракторы трехмерных систем в базовых моделях механики
von: Никитина, Н.В.
Veröffentlicht: (2020)

Специализированные БИС на основе базовых матричных кристаллов
von: Грунянская, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Новые решения в конструктивно-технологическом обосновании методов крепления очистных забоев
von: Дегтярь, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Вплив конструктивно-технологічних факторів на ефективність бронеелементів на основі кераміки
von: Вишняков, Л.Р., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)