Исследование дислокационных потерь ультразвука в облученных монокристаллах Lif в интервале доз облучения 0…400 P
Импульсным методом в интервале доз облучения 0…400 Р в области частот 37,5…232,5 МГц при комнатной температуре исследован дислокационный резонанс в монокристаллах LiF с остаточной деформацией ε = 0,4 %. На основе анализа полученных данных было установлено, что в условиях облучения кристаллов существ...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108232 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование дислокационных потерь ультразвука в облученных монокристаллах Lif в интервале доз облучения 0…400 P / Г.А. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 2. — С. 36-39. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859829260711100416 |
|---|---|
| author | Петченко, Г.А. |
| author_facet | Петченко, Г.А. |
| citation_txt | Исследование дислокационных потерь ультразвука в облученных монокристаллах Lif в интервале доз облучения 0…400 P / Г.А. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 2. — С. 36-39. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Импульсным методом в интервале доз облучения 0…400 Р в области частот 37,5…232,5 МГц при комнатной температуре исследован дислокационный резонанс в монокристаллах LiF с остаточной деформацией ε = 0,4 %. На основе анализа полученных данных было установлено, что в условиях облучения кристаллов существенно изменяется лишь частотная и амплитудная локализации дислокационного резонанса вследствие изменения средней эффективной длины дислокационного сегмента, а величина коэффициента вязкости В остается неизменной.
Імпульсним методом в інтервалі доз опромінення 0…400 Р в області частот 37,5…232,5 МГц при кімнатній температурі досліджено дислокаційний резонанс у монокристалах LiF із залишковою деформацією ε = 0,4 %. На основі аналізу отриманих даних було встановлено, що в умовах опромінення кристалів істотно змінюється лише частотна і амплітудна локалізація дислокаційного резонансу через змінення середньої ефективної довжини дислокаційного сегмента, але величина коефіцієнта в'язкості В залишається незмінною.
The dislocation resonance has been studied in LiF crystals with residual deformations ε = 0,4 % in the interval of irradiation doses 0…400 R in the range of frequencies of 37,5…232,5 MHz at a room temperature using the pulsed technique. Basing on the analysis of the obtained results were determined that the damping factor B is not change in the conditions of crystals irradiation but the frequency and amplitude localization of the dislocation resonance are changed noticeably in these conditions because of change of average effective length of dislocation segment.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:32:12Z |
| format | Article |
| fulltext |
36 ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №2(78)
УДК 539.67:539.374
ИССЛЕДОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННЫХ ПОТЕРЬ УЛЬТРАЗВУКА
В ОБЛУЧЕННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ LiF
В ИНТЕРВАЛЕ ДОЗ ОБЛУЧЕНИЯ 0…400 Р
Г.А. Петченко
Харьковская национальная академия городского хозяйства, Харьков, Украина
E-mail: gdaeron@ukr.net
Импульсным методом в интервале доз облучения 0…400 Р в области частот 37,5…232,5 МГц при комна-
тной температуре исследован дислокационный резонанс в монокристаллах LiF с остаточной деформацией
ε = 0,4 %. На основе анализа полученных данных было установлено, что в условиях облучения кристаллов
существенно изменяется лишь частотная и амплитудная локализации дислокационного резонанса вследст-
вие изменения средней эффективной длины дислокационного сегмента, а величина коэффициента вязкости
В остается неизменной.
ВВЕДЕНИЕ
Исследованию влияния радиационного воздейст-
вия на свойства твердых тел, как следует из обзоров
[1-6], посвящено большое количество эксперимен-
тальных работ. Из их анализа видно, что изменение
физических характеристик кристаллов при таком
воздействии становится ощутимым в тех случаях,
когда применяемая доза облучения является весьма
значительной. Однако, учитывая то, что начало ка-
чественных изменений формируется на самых ран-
них стадиях облучения, получение сведений о нача-
ле изменений и динамике их развития представляет-
ся весьма важным как в прикладном, так и теорети-
ческом аспектах. В частности, эти сведения могут
оказаться полезными для решения технологических
задач, связанных с применением ионных кристаллов
в акустооптике, а также проведения теоретических
оценок последствий радиационного воздействия [2].
Одними из основных методов, которые приме-
няются для этих целей, являются акустические ме-
тоды [3-5]. С их помощью авторам [3] в условиях
непрерывного облучения образца в реакторе уда-
лось не только зафиксировать начальные, но иссле-
довать дальнейшие значительные изменения неуп-
ругих свойств чистой меди. В работе [3] установле-
но, что при таких радиационных воздействиях мо-
дуль упругости увеличился на несколько процентов,
а величина внутреннего трения уменьшилась при-
близительно в 30 раз. Обнаруженный в [3] эффект
обусловлен взаимодействием радиационных дефек-
тов с легкоподвижными дислокациями, присутст-
вующими в кристалле до его облучения. Эти изме-
рения показали, что исследуя подобный вид неуп-
ругости, можно одновременно получать информа-
цию о поведении радиационных точечных дефектов
и о динамических свойствах дислокаций.
В дальнейшем для исследования эффектов взаи-
модействия «радиационный дефект–дислокация»
стали использовать более информативный метод
высокочастотного резонансного поглощения ульт-
развука [6-8]. С его помощью можно корректно оце-
нить длину дуги и линейное натяжение колеблю-
щейся дислокации, а также постоянную демпфиро-
вания В, выражающую собой эффект взаимодейст-
вия дислокации с элементарными возбуждениями
кристалла, в частности, фононами. Эффективность
высокочастотного импульсного эхо-метода уже бы-
ла продемонстрирована при исследовании радиаци-
онных повреждений в меди [4, 6], а также выявле-
нии влияния радиационного воздействия на поведе-
ние задемпфированного дислокационного резонанса
в кристаллах KCl и LiF [7] и дисперсию скорости
высокочастотного ультразвука в NaCl [8].
Заметим, что, когда чистые кристаллы LiF
[7, 9, 10] облучали рентгеновскими лучами дозой
около 103 Р при Т = 300 К, механические свойства
образцов не менялись [9, 10], однако наблюдалось
заметное снижение уровня дислокационных потерь
ультразвука в образцах и увеличение коэффициента
вязкости В от исходного значения 1,7⋅10-4 до
2,5⋅10-4 Па⋅с после облучения [7]. Аналогичный ре-
зультат в [7] был получен и для кристаллов KCl.
Опытные данные [7], особенно касающиеся полу-
ченных оценок параметра В, носят предварительный
характер и поэтому нуждаются в серьезной допол-
нительной проверке.
МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДИКА
ИССЛЕДОВАНИЯ
В данной работе исследовалось влияние дозы
рентгеновского облучения в интервале 0…400 Р на
частотную зависимость дислокационных потерь
ультразвука в монокристаллах LiF, продеформиро-
ванных до величины остаточной деформации 0,4 %
в области частот 37,5…232,5 МГц при температуре
Т = 300 К. Для опытов использовались кристаллы
чистотой 10-4 вес.% и размером 17×17×29 мм, полу-
ченные путем выкалывания по плоскостям спайно-
сти <100>. После тонкой шлифовки и последующей
оптической полировки непараллельность рабочих
торцов образца составляла приблизительно
± 1 мкм/см. Более подробное описание технологии
эксперимента, касающееся отжига и травления об-
разцов, а также методики выделения дислокацион-
ной части поглощения из общего измеренного зату-
хания, приведено в работе [8]. Для введения в кри-
сталл «свежих» дислокаций образцы предваритель-
но деформировали сжатием вдоль направления
<100> на испытательной машине типа «Инстрон» со
скоростью деформации ∼10-5 с-1. Ранее в работе [8]
ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №2(78) 37
было отмечено, что при таких условиях нагружения
полосы скольжения не возникают, а поверхность
кристалла равномерно покрывается фигурами трав-
ления, что облегчает и делает более точным их под-
счет. Измерение затухания продольного ультразвука
выполняли методом наложения на последователь-
ность затухающих эхо-сигналов калиброванной экс-
поненты. При этом продольная ультразвуковая вол-
на пропускалась вдоль длинной оси кристалла, в
направлении которой осуществлялось и его предва-
рительное деформирование. Рентгенизация кристал-
лов LіF выполнялась на стандартной установке
УРС-55 (40 кВ, 10 мА). Мощность дозы излучения,
определенная с помощью дозиметра КИД-2 в месте
расположения исследуемого кристалла, составляла
0,11 Р/с. Во избежание появления неоднородностей,
вызванных действием внутренних механических на-
пряжений [1], каждую из трех боковых граней, па-
раллельных длинной оси кристалла, облучали по
20 мин, что соответствовало суммарной дозе
∼ 400 Р.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
Результаты исследования частотных зависимо-
стей дислокационного декремента затухания ульт-
развука Δd (f) в кристаллах LiF с остаточной дефор-
мацией ε = 0,4 % до облучения рентгеновскими лу-
чами (кривая 1) и после него (кривые 2–4) при тем-
пературе 300 К приведены на рис. 1.
Рис. 1. Частотные зависимости дислокационных
потерь ультразвука для различного времени
облучения: теоретические кривые 1–4 [3]
и их высокочастотные асимптоты
Можно видеть, что действие облучения сказыва-
ется в том, что резонансные кривые Δd (f), снижаясь
по амплитуде, монотонно смещаются в область вы-
соких частот. Характерной особенностью наблю-
даемого эффекта является то, что под воздействием
рентгеновского облучения, в отличие от влияния
температуры [8] или деформации [11], эксперимен-
тальные кривые Δd (f) смещаются так, что их высо-
кочастотные асимптоты практически совпадают
между собой. Более наглядное смещение резонанс-
ного максимума по высоте и частоте продемонстри-
ровано на рис. 2 (кривыми 1 и 2 соответственно).
Ход кривых Δm(t) и fm(t) показывает, что в усло-
виях нарастания дозы облучения в исследуемом ин-
тервале величина дислокационного декремента Δm в
максимуме резко снижается, а его резонансная час-
тота fm при этом возростает.
Рис. 2. Зависимости параметров резонансного
максимума Δm и fm от времени облучения
Анализируя экспериментальные данные (см.
рис. 1), можно отметить, что вид частотных кривых
Δd(f) для дислокационного декремента носит харак-
тер задемпфированного резонанса [12]. Полученные
экспериментальные точки хорошо укладываются на
теоретический частотный профиль, рассчитанный в
[13] для случая экспоненциального закона распре-
деления дислокационных петель по длинам. При со-
поставлении измеренных кривых Δd(f) с теоретиче-
ским профилем привязка последнего велась пре-
имущественно с ориентацией на те эксперименталь-
ные точки, которые лежали на нисходящей ветви
экспериментальной кривой и в области резонанса.
Для обработки приведенных на рис. 1 и 2 экспери-
ментальных данных в работе была использована
дислокационная теория резонансного внутреннего
трения [12], согласно которой уравнения, описы-
вающие положение резонансного максимума и его
нисходящей ветви, имеют вид:
2
0m L2,2 ΛΔΩΔ = ; (1)
2m LB2
C084,0f π
= ; (2)
fB
bG4
2
2
π
ΛΩΔ =∞ , (3)
где Δ∞ – значение декремента для частот f >> fm;
Ω – ориентационный фактор, учитывающий, что
приведенное сдвиговое напряжение в плоскости
скольжения меньше приложенного напряжения;
L – средняя эффективная длина дислокационного
сегмента; Δ0 = (8Gb2) /(π3C), C – эффективное натя-
жение изогнутой дислокации (C = 2⋅Gb2/π(1-ν));
Λ – плотность дислокаций; ν – коэффициент Пуас-
сона; G – модуль сдвига действующей системы
скольжения; b – величина вектора Бюргерса;
В – константа динамического торможения дислока-
ций.
Как видно из формулы (3), для расчета зависи-
мости В от времени облучения необходимо знать
0 10 20 30 40 50 60
10
20
Т = 300 К
2
1
f m
, М
ГцΔ m
, 1
0
- 4
t, мин
20
40
1 - Δm(t)
2 - fm(t)
ε = 0, 4 %
10 100
10
10 100
10
1 - 0 мин.
2 - 20 мин.
3 - 40 мин.
4 - 60 мин.
3
4
1 Т = 300 К
2
10 100
10 100
10
10 100
10
f, МГц10 100
10
10 100
10
10 100
10
10 100
10
10
-
4
Δ d ,
ε = 0,4 %
38 ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №2(78)
плотность дислокаций в кристалле, семейство резо-
нансных кривых Δd (f) для разных доз облучений, а
также значения других физических характеристик –
Ω, G и b. Плотность подвижных дислокаций была
определена методом избирательного травления [8,
11] и для нашего значения предварительной дефор-
мации составила Λ = 14,5⋅109 м-2. Чтобы значение Λ
в нашем эксперименте наверняка оставалось неиз-
менным, все опыты проводились в амплитудно-
независимой области (что гарантирует невозмож-
ность деформирования кристалла ультразвуком
[12]) и условиях, исключающих появление тепловых
градиентов на образце. В данной работе для расчета
коэффициента демпфирования во всем интервале
доз облучения были использованы значения G110 =
3,533⋅1010 Па; Ω = 0,311; b = 2,85⋅10-10 м, взятые из
нашей недавней работы [14].
Результаты вычислений по формуле (3) абсо-
лютных значений В приведены на кривой 2 рис. 3.
Рис. 3. Зависимости средней эффективной
длины дислокационного сегмента L
и коэффициента динамического торможения
дислокаций B от времени облучения
Как и ожидалось, найденные значения коэффи-
циента вязкости В, полученные на образце до и по-
сле облучения при неизменных температуре и плот-
ности дислокаций, являются практически одинако-
выми. Среднее значение параметра В, найденное по
данным рис. 3, составляет 3,65⋅10-5 Па⋅с. Оценка же
величины В, выполненная авторами [7] на необлу-
ченном кристалле при Т = 300 К, является завышен-
ной приблизительно в 5 раз по сравнению с данны-
ми настоящей работы. Вероятно, такое расхождение
данных связано с использованием в [7] завышенного
значения Λ = 2,8⋅1010 м-2, найденного авторами на
образцах с остаточной деформацией ε = 0,1 %. Од-
нако, как показывают опыты [11], при такой малой
деформации в кристаллах LiF в основном происхо-
дят процессы открепления от примесей старых
«ростовых» дислокаций, а новые дислокации при-
сутствуют пока в малом количестве. Остается неяс-
ным, за счет чего в [7] могла увеличиться величина
В после облучения, если вышеупомянутая величина
Λ в образце до и после его рентгенизации была оди-
наковой. Попытка авторов [7] объяснить возраста-
ние В в результате возможного изменения фононно-
го распределения вблизи радиационных дефектов,
вызванных облучением, является необоснованной.
Согласно теории фононного торможения дислока-
ций [15] для изменения абсолютной величины ко-
эффициента торможения В требуется изменение
температуры, а она в указанных опытах была фик-
сированной. По мнению авторов [6], единственным
параметром, который меняется в течение облучения,
является длина дислокационного сегмента L вслед-
ствие его блокирования теми дефектами, которые
наиболее подвижны при температуре облучения.
Для выяснения механизма, контролирующего
эффект смещения дислокационного резонанса по
высоте и частоте, в настоящей работе изучалось по-
ведение дислокационного параметра L в кристаллах
LiF под воздействием различных доз облучения.
Расчет величин L производился по формуле (2) с
подстановкой значений для коэффициента Пуассона
ν = 0,27, найденного из соотношения ν = С12/С11+С12
[14], и величины С = 2,5⋅109 Н, рассчитанной с уче-
том значения Gb2 = 2,87⋅10-10 Па⋅м2. Кроме этого,
использовались данные для резонансной частоты fm
и константы демпфирования В, приведенные на
рис. 2 и 3 соответственно.
В результате произведенных расчетов был уста-
новлен график зависимости длины дислокационного
сегмента L от времени облучения (см. рис. 3, кри-
вая 1). Видно, что с ростом дозы облучения длина
дислокационного сегмента L монотонно убывает от
исходного значения 8,1⋅10-7 м (для необлученного
кристалла) до значения 4,3⋅10-7 м, полученного по-
сле его рентгенизации в течение 1 ч. (см. эти значе-
ния в разд. Выводы).
Из анализа уравнений (1) и (2) видно, что сокра-
щение длины дуги L должно на опыте проявляться в
сдвиге резонансного максимума к высоким частотам
и уменьшении его амплитуды. Кроме того, высоко-
частотная асимптота максимума в соответствии с
(3) должна быть одинаковой для всех стадий облу-
чения. Это связано с тем, что в уравнении (3) значе-
ние Δ∞ зависит не от длины дислокационной петли
L, а от плотности дислокаций Λ, которая не меняет-
ся при таких дозах облучения.
Экспериментальные данные, приведенные на
рис. 1, убедительно свидетельствуют в пользу того,
что предсказания теории [12] выполняются. Не-
большое несовпадение высокочастотных асимптот
при смещении резонансных кривых Δd(f) связано с
допускаемой погрешностью измерений.
Наблюдаемый в данной работе эффект укороче-
ния свободной длины дислокационной петли под
действием облучения согласуется с выводами рабо-
ты [6] относительно закрепляющего действия ра-
диационных дефектов на дислокации в кристаллах.
Следует отметить, что для более детального объ-
яснения указанного эффекта желательно проведение
дополнительных исследований в этом направлении,
которые бы позволили расширить существующие
представления о природе и количестве оседающих
на дислокациях радиационных дефектов. Кроме то-
го, для обобщения результатов настоящей работы и
работы [14] требуются дополнительные исследова-
ния зависимости В(t) для образцов LiF с иной плот-
ностью дислокационной структуры.
0 10 20 30 40 50 60
3
4
5
6
7
8
9
ε = 0, 4 %
L,
1
0
- 6
м
Т = 300 К
2
1 1 - L(t)
2 - B(t)
2
3
4
5
6
7
8
t, мин
.
В
10
5
, П
а
с
ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2012. №2(78) 39
ВЫВОДЫ
1. Исследовано воздействие рентгеновского об-
лучения дозами 0…400 Р на локализацию частотных
спектров дислокационного поглощения ультразвука
в монокристаллах LiF в области частот
37,5…232,5 МГц при Т = 300 К. Установлено, что
резонансные кривые Δd(f), снижаясь по амплитуде,
монотонно смещаются в область высоких частот.
3. Показано, что при этих условиях величина
дислокационного декремента Δm в максимуме резко
снижается, а его резонансная частота fm при этом
возрастает приблизительно в 4 раза.
3. Установлена независимость коэффициента ди-
намической вязкости В от дозы облучения в иссле-
дованном интервале доз облучения.
4. Определена зависимость длины дислокацион-
ного сегмента L от времени облучения. Показано,
что с ростом дозы облучения длина дислокационно-
го сегмента L, вследствие ее закрепления радиаци-
онными дефектами, монотонно убывает от исходно-
го значения 8,1⋅10-7 м (для необлученного кристал-
ла) до значения 4,3⋅10-7 м, полученного после его
рентгенизации в течение 1 ч.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. А.А. Воробьев. Механические и тепловые
свойства щелочно-галоидных монокристаллов. М.:
«Высшая школа», 1968, 270 с.
2. А.А. Ботаки, А.А. Воробьев, В.Л. Ульянов. Ра-
диационная физика ионных кристаллов. М.: «Атом-
издат», 1980, 208 с.
3. Д. Томпсон, В. Парэ. Использование явлений
неупругости при исследовании радиационных по-
вреждений и диффузии точечных дефектов // Физи-
ческая акустика. М.: «Мир», 1969, т. 3, ч. А, с. 206-
216.
4. G.A. Alers, D.O. Thompson. Dislocation contri-
bution to the modulus and damping in copper at mega-
cucle frequencies // J. Appl. Phys. 1961, v. 32, №2,
р. 283-293.
5. А. Сосин. Блокировка облучением и термиче-
ская разблокировка дислокаций // Внутреннее тре-
ние и дефекты в металлах. М.: «Металлургия»,
1965, с. 206-216.
6. Р.М. Штерн, А.В. Гранато. Задемпфированный
дислокационный резонанс в меди // Внутреннее
трение и дефекты в металлах. М.: «Металлургия»,
1965, с. 149-191.
7. T. Suzuki, A. Ikushima, and M. Aoki. Acoustic
attenuation studies of the frictional forse on a fast mov-
ing dislocation // Acta met. 1964, v. 12, №11, p. 1231-
1240.
8. А.М. Петченко. Взаимодействие дислокаций с
фононами в кристаллах LiF // Кристаллография.
1992, т. 37, №2, с. 458-462.
9. Г.Г. Кнаб, А.А. Урусовская. Изучение меха-
низма примесного и радиационного упрочнения
кристаллов LiF методом термостимулированной
эмиссии электронов // Кристаллография. 1971, т. 16,
в. 2, с. 382-387.
10. Г.Г. Кнаб, А.А. Урусовская. Механические и
эмиссионные свойства LiF с индием, введенным пу-
тем диффузии // Кристаллография. 1972, т. 17, в. 4,
с. 828-832.
11. А.М. Петченко, Г.А. Петченко. Особенности
поглощения ультразвука в кристаллах LiF при варь-
ировании плотности дислокаций // Вісник ХНУ.
Серія «Фізика». 2009, №865, в. 12, с. 39-44.
12. А. Гранато, К. Люкке. Струнная модель дис-
локации и дислокационное поглощение ультразвука
// Физическая акустика. М.: «Мир», 1969, т. 4, ч. А,
с. 261-321.
13. O.S. Oen, D.K. Holmes, M.T. Robinson. US
AEC Report NORNL-3017, 3, 1960.
14. Г.О. Петченко. Акустичні дослідження впли-
ву рентгенівського опромінення на динамічне галь-
мування дислокацій у кристалах LiF // УФЖ. 2011,
т. 56, №4, с. 340-345.
15. В.И. Альшиц, В.Л. Инденбом. Динамическое
торможение дислокаций // УФН. 1975, т. 115, №1,
с. 3-39.
Статья поступила в редакцию 06.02.2012 г.
ДОСЛІДЖЕННЯ ДИСЛОКАЦІЙНИХ ВТРАТ УЛЬТРАЗВУКУ В ОПРОМІНЕНИХ
МОНОКРИСТАЛАХ LiF В ІНТЕРВАЛІ ДОЗ ОПРОМІНЕННЯ 0…400 Р
Г.О. Петченко
Імпульсним методом в інтервалі доз опромінення 0…400 Р в області частот 37,5…232,5 МГц при кімнат-
ній температурі досліджено дислокаційний резонанс у монокристалах LiF із залишковою деформацією
ε = 0,4 %. На основі аналізу отриманих даних було встановлено, що в умовах опромінення кристалів істотно
змінюється лише частотна і амплітудна локалізація дислокаційного резонансу через змінення середньої ефе-
ктивної довжини дислокаційного сегмента, але величина коефіцієнта в'язкості В залишається незмінною.
THE INVESTIGATION OF THE DISLOCATIONS RESONANT LOSSES OF ULTRASONIC SOUND
IN IRRADIATED LiF SINGLE CRYSTALS IN THE INTERVAL OF IRRADIATION DOSES 0…400 R
G.А. Petchenko
The dislocation resonance has been studied in LiF crystals with residual deformations ε = 0,4 % in the interval of
irradiation doses 0…400 R in the range of frequencies of 37,5…232,5 MHz at a room temperature using the pulsed
technique. Basing on the analysis of the obtained results were determined that the damping factor B is not change in
the conditions of crystals irradiation but the frequency and amplitude localization of the dislocation resonance are
changed noticeably in these conditions because of change of average effective length of dislocation segment.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108232 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:32:12Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Петченко, Г.А. 2016-11-01T10:39:23Z 2016-11-01T10:39:23Z 2012 Исследование дислокационных потерь ультразвука в облученных монокристаллах Lif в интервале доз облучения 0…400 P / Г.А. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 2. — С. 36-39. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108232 539.67:539.374 Импульсным методом в интервале доз облучения 0…400 Р в области частот 37,5…232,5 МГц при комнатной температуре исследован дислокационный резонанс в монокристаллах LiF с остаточной деформацией ε = 0,4 %. На основе анализа полученных данных было установлено, что в условиях облучения кристаллов существенно изменяется лишь частотная и амплитудная локализации дислокационного резонанса вследствие изменения средней эффективной длины дислокационного сегмента, а величина коэффициента вязкости В остается неизменной. Імпульсним методом в інтервалі доз опромінення 0…400 Р в області частот 37,5…232,5 МГц при кімнатній температурі досліджено дислокаційний резонанс у монокристалах LiF із залишковою деформацією ε = 0,4 %. На основі аналізу отриманих даних було встановлено, що в умовах опромінення кристалів істотно змінюється лише частотна і амплітудна локалізація дислокаційного резонансу через змінення середньої ефективної довжини дислокаційного сегмента, але величина коефіцієнта в'язкості В залишається незмінною. The dislocation resonance has been studied in LiF crystals with residual deformations ε = 0,4 % in the interval of irradiation doses 0…400 R in the range of frequencies of 37,5…232,5 MHz at a room temperature using the pulsed technique. Basing on the analysis of the obtained results were determined that the damping factor B is not change in the conditions of crystals irradiation but the frequency and amplitude localization of the dislocation resonance are changed noticeably in these conditions because of change of average effective length of dislocation segment. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Исследование дислокационных потерь ультразвука в облученных монокристаллах Lif в интервале доз облучения 0…400 P Дослідження дислокаційних втрат ультразвуку в опромінених монокристалах Lif в інтервалі доз опромінення 0…400 P The investigation of the dislocations resonant losses of ultrasonic sound in irradiated Lif single crystals in the interval of irradiation doses 0…400 R Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование дислокационных потерь ультразвука в облученных монокристаллах Lif в интервале доз облучения 0…400 P Петченко, Г.А. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Исследование дислокационных потерь ультразвука в облученных монокристаллах Lif в интервале доз облучения 0…400 P |
| title_alt | Дослідження дислокаційних втрат ультразвуку в опромінених монокристалах Lif в інтервалі доз опромінення 0…400 P The investigation of the dislocations resonant losses of ultrasonic sound in irradiated Lif single crystals in the interval of irradiation doses 0…400 R |
| title_full | Исследование дислокационных потерь ультразвука в облученных монокристаллах Lif в интервале доз облучения 0…400 P |
| title_fullStr | Исследование дислокационных потерь ультразвука в облученных монокристаллах Lif в интервале доз облучения 0…400 P |
| title_full_unstemmed | Исследование дислокационных потерь ультразвука в облученных монокристаллах Lif в интервале доз облучения 0…400 P |
| title_short | Исследование дислокационных потерь ультразвука в облученных монокристаллах Lif в интервале доз облучения 0…400 P |
| title_sort | исследование дислокационных потерь ультразвука в облученных монокристаллах lif в интервале доз облучения 0…400 p |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108232 |
| work_keys_str_mv | AT petčenkoga issledovaniedislokacionnyhpoterʹulʹtrazvukavoblučennyhmonokristallahlifvintervaledozoblučeniâ0400p AT petčenkoga doslídžennâdislokacíinihvtratulʹtrazvukuvopromínenihmonokristalahlifvíntervalídozopromínennâ0400p AT petčenkoga theinvestigationofthedislocationsresonantlossesofultrasonicsoundinirradiatedlifsinglecrystalsintheintervalofirradiationdoses0400r |