Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами
Моделируется усиление импульса в фотоумножителе на основе pn-i-pn структуры с внутренним (лавинно-каскадным) усилением. Рассчитаны коэффициент усиления, быстродействие и шум лавинного умножения. Показано, что рассматриваемые фотоумножители имеют высокий коэффициент усиления, низкий порог чувствите...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10830 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами моделювання імпульсного / K.A. Лукин, Х.A. Сердейра, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 444-450. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Моделируется усиление импульса в фотоумножителе на основе pn-i-pn структуры с внутренним (лавинно-каскадным)
усилением. Рассчитаны коэффициент усиления, быстродействие и шум лавинного умножения. Показано, что рассматриваемые
фотоумножители имеют высокий коэффициент усиления, низкий порог чувствительности по току и более надежны в работе по
сравнению с лавинными фотодиодами.
Моделюється імпульсний фотопомножувач на основі лавинної pn-i-pn структури з внутрішнім (лавинно-каскадним) посиленням. Розраховані коефіцієнт посилення,
швидкодія і шум лавинного множення. Показано, що фотопомножувачі на основі цих структур мають високий коефіцієнпосилення, низький поріг чутливості по струму і надійніші в
роботі в порівнянні з лавинними фотодіодами.
An impulsive photomultiplier is designed on the basis of avalanches
pn-i-pn structures with the internal (avalanche-cascade)
amplification. An amplification coefficient, fast-acting and noise
of avalanche multiplication are expected. It is shown that photomultipliers
on the basis of pn-i-pn structures have a high amplification
coefficient, low threshold of sensitiveness on a current and
more reliable in work as compared to avalanches photodiodes.
|
|---|---|
| ISSN: | 1028-821X |