Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами

Моделируется усиление импульса в фотоумножителе на основе pn-i-pn структуры с внутренним (лавинно-каскадным)
 усилением. Рассчитаны коэффициент усиления, быстродействие и шум лавинного умножения. Показано, что рассматриваемые
 фотоумножители имеют высокий коэффициент усиления, низкий...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2007
Main Authors: Лукин, К.А., Сердейра, Х.A., Максимов, П.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10830
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами моделювання імпульсного / K.A. Лукин, Х.A. Сердейра, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 444-450. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Моделируется усиление импульса в фотоумножителе на основе pn-i-pn структуры с внутренним (лавинно-каскадным)
 усилением. Рассчитаны коэффициент усиления, быстродействие и шум лавинного умножения. Показано, что рассматриваемые
 фотоумножители имеют высокий коэффициент усиления, низкий порог чувствительности по току и более надежны в работе по
 сравнению с лавинными фотодиодами. Моделюється імпульсний фотопомножувач на основі лавинної pn-i-pn структури з внутрішнім (лавинно-каскадним) посиленням. Розраховані коефіцієнт посилення,
 швидкодія і шум лавинного множення. Показано, що фотопомножувачі на основі цих структур мають високий коефіцієнпосилення, низький поріг чутливості по струму і надійніші в
 роботі в порівнянні з лавинними фотодіодами. An impulsive photomultiplier is designed on the basis of avalanches
 pn-i-pn structures with the internal (avalanche-cascade)
 amplification. An amplification coefficient, fast-acting and noise
 of avalanche multiplication are expected. It is shown that photomultipliers
 on the basis of pn-i-pn structures have a high amplification
 coefficient, low threshold of sensitiveness on a current and
 more reliable in work as compared to avalanches photodiodes.
ISSN:1028-821X