Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами

Моделируется усиление импульса в фотоумножителе на основе pn-i-pn структуры с внутренним (лавинно-каскадным) усилением. Рассчитаны коэффициент усиления, быстродействие и шум лавинного умножения. Показано, что рассматриваемые фотоумножители имеют высокий коэффициент усиления, низкий порог чувствите...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2007
Автори: Лукин, К.А., Сердейра, Х.A., Максимов, П.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10830
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами моделювання імпульсного / K.A. Лукин, Х.A. Сердейра, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 444-450. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Моделируется усиление импульса в фотоумножителе на основе pn-i-pn структуры с внутренним (лавинно-каскадным) усилением. Рассчитаны коэффициент усиления, быстродействие и шум лавинного умножения. Показано, что рассматриваемые фотоумножители имеют высокий коэффициент усиления, низкий порог чувствительности по току и более надежны в работе по сравнению с лавинными фотодиодами. Моделюється імпульсний фотопомножувач на основі лавинної pn-i-pn структури з внутрішнім (лавинно-каскадним) посиленням. Розраховані коефіцієнт посилення, швидкодія і шум лавинного множення. Показано, що фотопомножувачі на основі цих структур мають високий коефіцієнпосилення, низький поріг чутливості по струму і надійніші в роботі в порівнянні з лавинними фотодіодами. An impulsive photomultiplier is designed on the basis of avalanches pn-i-pn structures with the internal (avalanche-cascade) amplification. An amplification coefficient, fast-acting and noise of avalanche multiplication are expected. It is shown that photomultipliers on the basis of pn-i-pn structures have a high amplification coefficient, low threshold of sensitiveness on a current and more reliable in work as compared to avalanches photodiodes.
ISSN:1028-821X