Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)

• Дата: 2007
• Автор: Стороженко, И.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2007
• Теми: Вакуумная и твердотельная электроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/10841
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z) / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 243-249. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Исследовано возникновение и дрейф волн объёмного заряда в диоде Ганна на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z) с n+-n катодом. Показано, что в варизонных диодах Ганна существуют эффекты, которых нет в диодах на основе пространственно-однородных по составу полупроводников. Сделано обобщение тройных варизонных полупроводников А3В5. Досліджено виникнення та дрейф хвиль об’ємного заряду в діоді Ганна на основі варізонного GaPx(z)As1-x(z). з n+-n катодом. Показано, що у варізонних діодах існують ефекти, яких нема у діодах Ганна на основі просторово-однорідних за складом напівпровідників. Зроблено узагальнення потрійних варізонних напівпровідників А3В5. Singularities formation and drift of volume charge wave in based variband GaPx(z)As1-x(z) Gunn diodes with n+-n cathode has been studied. These diodes are shown exist of phenomena’s which not in employing spatially efficiency homogeneous semiconductors. To made extension of А3В5 variband threefold semiconductors.