Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память. В двобар’єрній кремнієвій n⁺...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108476 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 357-359. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память.
В двобар’єрній кремнієвій n⁺⁺pnn⁺-структурі в режимі замикання nn⁺-p-переходу в передпробійній області при підсвічуванні одиночним імпульсом виявлено явище оптичної пам’яті, а при подачі прямого порогового струму до p-n-переходу виявляється електрична польова пам’ять.
In double-barrier silicon n⁺⁺pnn⁺-structure in a reverse biasing mode of nn⁺-p-junction in pre-breakdown region at illumination by a single pulse the phenomenon of optical memory is detected, and at submission of a direct threshold current to p-n-junction the electric field memory is found out.
|
|---|---|
| ISSN: | 1999-8074 |