Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память. В двобар’єрній кремнієвій n⁺...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108476 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 357-359. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862627735316201472 |
|---|---|
| author | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
| author_facet | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
| citation_txt | Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 357-359. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память.
В двобар’єрній кремнієвій n⁺⁺pnn⁺-структурі в режимі замикання nn⁺-p-переходу в передпробійній області при підсвічуванні одиночним імпульсом виявлено явище оптичної пам’яті, а при подачі прямого порогового струму до p-n-переходу виявляється електрична польова пам’ять.
In double-barrier silicon n⁺⁺pnn⁺-structure in a reverse biasing mode of nn⁺-p-junction in pre-breakdown region at illumination by a single pulse the phenomenon of optical memory is detected, and at submission of a direct threshold current to p-n-junction the electric field memory is found out.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:39:22Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108476 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:39:22Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. 2016-11-05T17:44:40Z 2016-11-05T17:44:40Z 2014 Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 357-359. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108476 621.383.52:535.243 В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память. В двобар’єрній кремнієвій n⁺⁺pnn⁺-структурі в режимі замикання nn⁺-p-переходу в передпробійній області при підсвічуванні одиночним імпульсом виявлено явище оптичної пам’яті, а при подачі прямого порогового струму до p-n-переходу виявляється електрична польова пам’ять. In double-barrier silicon n⁺⁺pnn⁺-structure in a reverse biasing mode of nn⁺-p-junction in pre-breakdown region at illumination by a single pulse the phenomenon of optical memory is detected, and at submission of a direct threshold current to p-n-junction the electric field memory is found out. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре Явище пам’яті в двобар’єрній n⁺⁺pnn⁺-структурі Memory phenomenon in two-barrier n⁺⁺pnn⁺-structures Article published earlier |
| spellingShingle | Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
| title | Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре |
| title_alt | Явище пам’яті в двобар’єрній n⁺⁺pnn⁺-структурі Memory phenomenon in two-barrier n⁺⁺pnn⁺-structures |
| title_full | Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре |
| title_fullStr | Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре |
| title_full_unstemmed | Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре |
| title_short | Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре |
| title_sort | явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108476 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav âvleniepamâtivdvuhbarʹernoinpnnstrukture AT edgorovadm âvleniepamâtivdvuhbarʹernoinpnnstrukture AT abdulhaevoa âvleniepamâtivdvuhbarʹernoinpnnstrukture AT karimovav âviŝepamâtívdvobarêrníinpnnstrukturí AT edgorovadm âviŝepamâtívdvobarêrníinpnnstrukturí AT abdulhaevoa âviŝepamâtívdvobarêrníinpnnstrukturí AT karimovav memoryphenomenonintwobarriernpnnstructures AT edgorovadm memoryphenomenonintwobarriernpnnstructures AT abdulhaevoa memoryphenomenonintwobarriernpnnstructures |