Зображення обкладинки

Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре

В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память. В двобар’єрній кремнієвій n⁺...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физическая инженерия поверхности
Дата:	2014
Автори:	Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108476
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 357-359. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры
за авторством: Бузруков, У. М.
Опубліковано: (2005)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2010)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Явление хемалитоавтотрофии в нефтегазообразовании
за авторством: Авилов, В.И., та інші
Опубліковано: (2008)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Явление коллоквиализации в рекламных текстах
за авторством: Кагья, А.М.
Опубліковано: (2000)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Миграция (сущность и явление)
за авторством: Бондырева, С.К., та інші
Опубліковано: (2008)

Миграция (сущность и явление)
за авторством: Бондырева, С.К., та інші
Опубліковано: (2007)

Явление синонимии в британском сленге
за авторством: Мележик, К.А.
Опубліковано: (2005)

Явление политического субъекта в дискурсе
за авторством: Волков, А.Г.
Опубліковано: (2007)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2018)

Фототранзистор составной на полевых транзисторах
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)

Интеллигенция как уникальное русское явление
за авторством: Чемшит, А.А.
Опубліковано: (2008)

Явление семантической дивергенции в экономической терминологии
за авторством: Макарова, О.Н.
Опубліковано: (2012)

Неформальная логика – явление новой логико-философской парадигмы?
за авторством: Тягло, А.В.
Опубліковано: (2007)

Деформация правосознания как социальное явление
за авторством: Пастушенко, О.В.
Опубліковано: (2012)

Этнографический туризм как историко-культурное явление
за авторством: Гранкина, М.А.
Опубліковано: (2000)

«Бушизмы» как явление американской действительности
за авторством: Баработкина, М.С., та інші
Опубліковано: (2008)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Кризис в геологии – явление или следствие?
за авторством: Мартыненко, И.И.
Опубліковано: (2009)

Явление "wedging" в системах с сухим трением
за авторством: Жечев, М.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Обобщенные решения импульсных систем и явление биений
за авторством: Самойленко, А.М., та інші
Опубліковано: (1991)

Явление самоорганизации процессов дегазации и деформации углепородного массива после гидродинамического воздействия
за авторством: Софийский, К.К., та інші
Опубліковано: (2009)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2010)