Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память. В двобар’єрній кремнієвій n⁺...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108476 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 357-359. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2010)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Явление хемалитоавтотрофии в нефтегазообразовании
von: Авилов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Авилов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Явление политического субъекта в дискурсе
von: Волков, А.Г.
Veröffentlicht: (2007)
von: Волков, А.Г.
Veröffentlicht: (2007)
Явление синонимии в британском сленге
von: Мележик, К.А.
Veröffentlicht: (2005)
von: Мележик, К.А.
Veröffentlicht: (2005)
Миграция (сущность и явление)
von: Бондырева, С.К., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Бондырева, С.К., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Явление семантической дивергенции в экономической терминологии
von: Макарова, О.Н.
Veröffentlicht: (2012)
von: Макарова, О.Н.
Veröffentlicht: (2012)
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Неформальная логика – явление новой логико-философской парадигмы?
von: Тягло, А.В.
Veröffentlicht: (2007)
von: Тягло, А.В.
Veröffentlicht: (2007)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Фототранзистор составной на полевых транзисторах
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Деформация правосознания как социальное явление
von: Пастушенко, О.В.
Veröffentlicht: (2012)
von: Пастушенко, О.В.
Veröffentlicht: (2012)
Этнографический туризм как историко-культурное явление
von: Гранкина, М.А.
Veröffentlicht: (2000)
von: Гранкина, М.А.
Veröffentlicht: (2000)
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
«Бушизмы» как явление американской действительности
von: Баработкина, М.С., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Баработкина, М.С., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Кризис в геологии – явление или следствие?
von: Мартыненко, И.И.
Veröffentlicht: (2009)
von: Мартыненко, И.И.
Veröffentlicht: (2009)
Явление "wedging" в системах с сухим трением
von: Жечев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Жечев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Явление самоорганизации процессов дегазации и деформации углепородного массива после гидродинамического воздействия
von: Софийский, К.К., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Софийский, К.К., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Явление бифуркации в дружинной культуре Древней Руси
von: Орлов, Р.С.
Veröffentlicht: (2010)
von: Орлов, Р.С.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Явление эроса в сравнительном анализе концепций Платона и В. Соловьева
von: Миргородский, А.А.
Veröffentlicht: (2010)
von: Миргородский, А.А.
Veröffentlicht: (2010)
Явление анизотропии сопротивления микросколу углеродистой стали, предварительно деформированной сжатием
von: Котречко, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Котречко, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Критические состояния в динамической модели обмена и явление рецессии
von: Гончар, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Гончар, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Роман как явление поздней античной массовой литературы
von: Рудницкая, Е.С.
Veröffentlicht: (1999)
von: Рудницкая, Е.С.
Veröffentlicht: (1999)
Ähnliche Einträge
-
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)