Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2014
• Main Authors: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108476
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 357-359. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память. В двобар’єрній кремнієвій n⁺...