Мультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою
Представлено результати досліджень характеристик інтеркаляційно розширених напівпровідникових матриць InSe та GaSe з інкапсульованим між їхніми шарами β-циклодекстрином (β-СD). Встановлено характер змін частотної дисперсії імпедансу, тангенса кута втрат та діелектричної проникності синтезованих архі...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108477 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Мультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою / Т.М. Біщанюк, І.І. Григорчак, Ф.О. Іващишин // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 360-371. — Бібліогр.: 24 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862709073590353920 |
|---|---|
| author | Біщанюк, Т.М. Григорчак, І.І Іващишин, Ф.О. |
| author_facet | Біщанюк, Т.М. Григорчак, І.І Іващишин, Ф.О. |
| citation_txt | Мультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою / Т.М. Біщанюк, І.І. Григорчак, Ф.О. Іващишин // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 360-371. — Бібліогр.: 24 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Представлено результати досліджень характеристик інтеркаляційно розширених напівпровідникових матриць InSe та GaSe з інкапсульованим між їхніми шарами β-циклодекстрином (β-СD). Встановлено характер змін частотної дисперсії імпедансу, тангенса кута втрат та діелектричної проникності синтезованих архітектур залежно від вмісту органічного кавітанду при освітленні і в магнітному полі. Знайдено умови, при яких синтезовані наногібриди будуть цікавими з точки зору сенсорів електромагнітного поля та квантових акумуляторів електричної енергії.
Представлены результаты исследований характеристик интеркаляционных расширенных полупроводниковых матриц InSe и GaSe с инкапсулированным между их слоями β-циклодекстрином (β-СD). Установлен характер изменений частотной дисперсии импеданса, тангенса угла потерь и диэлектрической проницаемости синтезированных архитектур в зависимости от содержания органического кавитанда при освещении и в магнитном поле. Найдены условия, при которых синтезированы наногибриды будут интересны с точки зрения сенсоров электромагнитного поля и квантовых аккумуляторов электрической энергии.
The research results of characteristics of extended semiconductor InSe and GaSe matrix by intercalation with encapsulated between their layers of β-cyclodextrin (β-CD) were presented. The character of changes of the impedance frequency dispersion, loss tangent and dielectric constant of the synthesized architectures depending on the content of organic kavitand at light and in the magnetic field was set. The conditions under which synthesized nanohybrides will be interesting in terms of electromagnetic field sensors and quantum battery electric energy were found.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:15:30Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108477 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:15:30Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Біщанюк, Т.М. Григорчак, І.І Іващишин, Ф.О. 2016-11-05T17:48:51Z 2016-11-05T17:48:51Z 2014 Мультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою / Т.М. Біщанюк, І.І. Григорчак, Ф.О. Іващишин // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 360-371. — Бібліогр.: 24 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108477 621.315.5 Представлено результати досліджень характеристик інтеркаляційно розширених напівпровідникових матриць InSe та GaSe з інкапсульованим між їхніми шарами β-циклодекстрином (β-СD). Встановлено характер змін частотної дисперсії імпедансу, тангенса кута втрат та діелектричної проникності синтезованих архітектур залежно від вмісту органічного кавітанду при освітленні і в магнітному полі. Знайдено умови, при яких синтезовані наногібриди будуть цікавими з точки зору сенсорів електромагнітного поля та квантових акумуляторів електричної енергії. Представлены результаты исследований характеристик интеркаляционных расширенных полупроводниковых матриц InSe и GaSe с инкапсулированным между их слоями β-циклодекстрином (β-СD). Установлен характер изменений частотной дисперсии импеданса, тангенса угла потерь и диэлектрической проницаемости синтезированных архитектур в зависимости от содержания органического кавитанда при освещении и в магнитном поле. Найдены условия, при которых синтезированы наногибриды будут интересны с точки зрения сенсоров электромагнитного поля и квантовых аккумуляторов электрической энергии. The research results of characteristics of extended semiconductor InSe and GaSe matrix by intercalation with encapsulated between their layers of β-cyclodextrin (β-CD) were presented. The character of changes of the impedance frequency dispersion, loss tangent and dielectric constant of the synthesized architectures depending on the content of organic kavitand at light and in the magnetic field was set. The conditions under which synthesized nanohybrides will be interesting in terms of electromagnetic field sensors and quantum battery electric energy were found. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Мультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою Мультипошаровые полупроводниковые клатрато-кавитандные комплексы из фрактализованой гостевой системой Multilayer semiconductor clathrates-cavitand complex with a fraktal guest system Article published earlier |
| spellingShingle | Мультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою Біщанюк, Т.М. Григорчак, І.І Іващишин, Ф.О. |
| title | Мультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою |
| title_alt | Мультипошаровые полупроводниковые клатрато-кавитандные комплексы из фрактализованой гостевой системой Multilayer semiconductor clathrates-cavitand complex with a fraktal guest system |
| title_full | Мультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою |
| title_fullStr | Мультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою |
| title_full_unstemmed | Мультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою |
| title_short | Мультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою |
| title_sort | мультипошарові напівпровідникові клатрато-кавітандні комплекси з фракталізованою гостьовою системою |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108477 |
| work_keys_str_mv | AT bíŝanûktm mulʹtipošarovínapívprovídnikovíklatratokavítandníkompleksizfraktalízovanoûgostʹovoûsistemoû AT grigorčakíí mulʹtipošarovínapívprovídnikovíklatratokavítandníkompleksizfraktalízovanoûgostʹovoûsistemoû AT ívaŝišinfo mulʹtipošarovínapívprovídnikovíklatratokavítandníkompleksizfraktalízovanoûgostʹovoûsistemoû AT bíŝanûktm mulʹtipošarovyepoluprovodnikovyeklatratokavitandnyekompleksyizfraktalizovanoigostevoisistemoi AT grigorčakíí mulʹtipošarovyepoluprovodnikovyeklatratokavitandnyekompleksyizfraktalizovanoigostevoisistemoi AT ívaŝišinfo mulʹtipošarovyepoluprovodnikovyeklatratokavitandnyekompleksyizfraktalizovanoigostevoisistemoi AT bíŝanûktm multilayersemiconductorclathratescavitandcomplexwithafraktalguestsystem AT grigorčakíí multilayersemiconductorclathratescavitandcomplexwithafraktalguestsystem AT ívaŝišinfo multilayersemiconductorclathratescavitandcomplexwithafraktalguestsystem |