Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду
Досліджено вплив товщини чистих і легованих бісмутом плівкок станум телуриду, осадженого на свіжих сколах (0001) слюди мусковіт на їх наноструктуру і механізми розсіювання носіїв струму. Встановлено, що домінуючу роль відіграє розсіювання на поверхні і міжзеренних межах, відносний внесок яких визнач...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108482 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, І.І. Чав’як, В.І. Маковишин, І.А. Арсенюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 405-411. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862571521744044032 |
|---|---|
| author | Фреїк, Д.М. Дзундза, Б.С. Чав’як, І.І. Маковишин, В.І. Арсенюк, І.А. |
| author_facet | Фреїк, Д.М. Дзундза, Б.С. Чав’як, І.І. Маковишин, В.І. Арсенюк, І.А. |
| citation_txt | Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, І.І. Чав’як, В.І. Маковишин, І.А. Арсенюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 405-411. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Досліджено вплив товщини чистих і легованих бісмутом плівкок станум телуриду, осадженого на свіжих сколах (0001) слюди мусковіт на їх наноструктуру і механізми розсіювання носіїв струму. Встановлено, що домінуючу роль відіграє розсіювання на поверхні і міжзеренних межах, відносний внесок яких визначається вмістом легуючої домішки. Запропоновано кристалохімічні механізми легування, пов’язані із розміщенням атомів вісмуту в катіонних структурах.
Исследовано влияние толщины чистых и легированных висмутом пленок станум теллурида, осажденного на свежих сколах (0001) слюды мусковит на их наноструктуру и механизмы рассеяния носителей тока. Установлено, что доминирующую роль играет рассеяние на поверхности и межзеренных границах, относительный вклад которых определяется содержанием легирующей примеси. Предложены кристаллохимические механизмы легирования, связанные с размещением атомов висмута в катионных структурах.
The influence of the thickness pure and bismuth doped tin telluride films deposited on fresh mica substrates (0001) for their nanostructure and scattering mechanisms of charge carrier are researched. Established that the dominant scattering mechanism is surface scattering and scattering on the intergrain boundaries which determined by the dopant content. Crystal chemistry doping mechanisms which associated with placement of Bi atoms in cationic structures are proposed.
Автори висловлюють влячність проф. Мудрому С. І. за проведення АСМ-досліджень, к. ф. -м. н. Яворському Я. С. за допомогу при отриманні конденсатів, а Ткачуку А. І. — при дослідженні термоелектричних параметрів. Робота виконана згідно комплексного наукового проекту МОН України (державний реєстраційний номер 0113U000185, та ДФФД України (державний реєстраційний номер 0113U003689).
|
| first_indexed | 2025-11-26T04:46:14Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108482 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-26T04:46:14Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Фреїк, Д.М. Дзундза, Б.С. Чав’як, І.І. Маковишин, В.І. Арсенюк, І.А. 2016-11-05T18:09:21Z 2016-11-05T18:09:21Z 2014 Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду / Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, І.І. Чав’як, В.І. Маковишин, І.А. Арсенюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 405-411. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108482 621.315.592 Досліджено вплив товщини чистих і легованих бісмутом плівкок станум телуриду, осадженого на свіжих сколах (0001) слюди мусковіт на їх наноструктуру і механізми розсіювання носіїв струму. Встановлено, що домінуючу роль відіграє розсіювання на поверхні і міжзеренних межах, відносний внесок яких визначається вмістом легуючої домішки. Запропоновано кристалохімічні механізми легування, пов’язані із розміщенням атомів вісмуту в катіонних структурах. Исследовано влияние толщины чистых и легированных висмутом пленок станум теллурида, осажденного на свежих сколах (0001) слюды мусковит на их наноструктуру и механизмы рассеяния носителей тока. Установлено, что доминирующую роль играет рассеяние на поверхности и межзеренных границах, относительный вклад которых определяется содержанием легирующей примеси. Предложены кристаллохимические механизмы легирования, связанные с размещением атомов висмута в катионных структурах. The influence of the thickness pure and bismuth doped tin telluride films deposited on fresh mica substrates (0001) for their nanostructure and scattering mechanisms of charge carrier are researched. Established that the dominant scattering mechanism is surface scattering and scattering on the intergrain boundaries which determined by the dopant content. Crystal chemistry doping mechanisms which associated with placement of Bi atoms in cationic structures are proposed. Автори висловлюють влячність проф. Мудрому С. І. за проведення АСМ-досліджень, к. ф. -м. н. Яворському Я. С. за допомогу при отриманні конденсатів, а Ткачуку А. І. — при дослідженні термоелектричних параметрів. Робота виконана згідно комплексного наукового проекту МОН України (державний реєстраційний номер 0113U000185, та ДФФД України (державний реєстраційний номер 0113U003689). uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду Влияние поверхности и межзеренных границ на рассеяние носителей тока в тонких пленках на основе станум теллурида Influence of surface and intergrain boundaries scattering mechanisms of current carriers in thin films based on tin telluride Article published earlier |
| spellingShingle | Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду Фреїк, Д.М. Дзундза, Б.С. Чав’як, І.І. Маковишин, В.І. Арсенюк, І.А. |
| title | Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду |
| title_alt | Влияние поверхности и межзеренных границ на рассеяние носителей тока в тонких пленках на основе станум теллурида Influence of surface and intergrain boundaries scattering mechanisms of current carriers in thin films based on tin telluride |
| title_full | Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду |
| title_fullStr | Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду |
| title_full_unstemmed | Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду |
| title_short | Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду |
| title_sort | вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108482 |
| work_keys_str_mv | AT freíkdm vplivpoverhnítamížzerennihmežnarozsíûvannânosíívstrumuutonkihplívkahnaosnovístanumteluridu AT dzundzabs vplivpoverhnítamížzerennihmežnarozsíûvannânosíívstrumuutonkihplívkahnaosnovístanumteluridu AT čavâkíí vplivpoverhnítamížzerennihmežnarozsíûvannânosíívstrumuutonkihplívkahnaosnovístanumteluridu AT makovišinví vplivpoverhnítamížzerennihmežnarozsíûvannânosíívstrumuutonkihplívkahnaosnovístanumteluridu AT arsenûkía vplivpoverhnítamížzerennihmežnarozsíûvannânosíívstrumuutonkihplívkahnaosnovístanumteluridu AT freíkdm vliâniepoverhnostiimežzerennyhgranicnarasseânienositeleitokavtonkihplenkahnaosnovestanumtellurida AT dzundzabs vliâniepoverhnostiimežzerennyhgranicnarasseânienositeleitokavtonkihplenkahnaosnovestanumtellurida AT čavâkíí vliâniepoverhnostiimežzerennyhgranicnarasseânienositeleitokavtonkihplenkahnaosnovestanumtellurida AT makovišinví vliâniepoverhnostiimežzerennyhgranicnarasseânienositeleitokavtonkihplenkahnaosnovestanumtellurida AT arsenûkía vliâniepoverhnostiimežzerennyhgranicnarasseânienositeleitokavtonkihplenkahnaosnovestanumtellurida AT freíkdm influenceofsurfaceandintergrainboundariesscatteringmechanismsofcurrentcarriersinthinfilmsbasedontintelluride AT dzundzabs influenceofsurfaceandintergrainboundariesscatteringmechanismsofcurrentcarriersinthinfilmsbasedontintelluride AT čavâkíí influenceofsurfaceandintergrainboundariesscatteringmechanismsofcurrentcarriersinthinfilmsbasedontintelluride AT makovišinví influenceofsurfaceandintergrainboundariesscatteringmechanismsofcurrentcarriersinthinfilmsbasedontintelluride AT arsenûkía influenceofsurfaceandintergrainboundariesscatteringmechanismsofcurrentcarriersinthinfilmsbasedontintelluride |