Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе. У даній роботі методом анодного електрохімічного травлі...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108493 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления / А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 484-486. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862611475710869504 |
|---|---|
| author | Дяденчук, А.Ф. Кидалов, В.В. |
| author_facet | Дяденчук, А.Ф. Кидалов, В.В. |
| citation_txt | Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления / А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 484-486. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе.
У даній роботі методом анодного електрохімічного травління була отримана періодична пориста структура напівпровідника GaAs (001) n-типу провідності. Поперечний переріз отриманої структури вивчався на скануючому електронному мікроскопі.
In this study, the method of anodic electrochemical etching was received periodic porous structure semiconductor GaAs (001) n-type conductivity. The cross section of the resultant structure was studied by SEM.
|
| first_indexed | 2025-11-29T01:24:30Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108493 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-29T01:24:30Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Дяденчук, А.Ф. Кидалов, В.В. 2016-11-05T21:27:43Z 2016-11-05T21:27:43Z 2014 Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления / А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 484-486. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108493 539.217; 544.723 В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе. У даній роботі методом анодного електрохімічного травління була отримана періодична пориста структура напівпровідника GaAs (001) n-типу провідності. Поперечний переріз отриманої структури вивчався на скануючому електронному мікроскопі. In this study, the method of anodic electrochemical etching was received periodic porous structure semiconductor GaAs (001) n-type conductivity. The cross section of the resultant structure was studied by SEM. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления Отримання періодичних шарів GaAs методом електрохімічного травлення Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching Article published earlier |
| spellingShingle | Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления Дяденчук, А.Ф. Кидалов, В.В. |
| title | Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления |
| title_alt | Отримання періодичних шарів GaAs методом електрохімічного травлення Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching |
| title_full | Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления |
| title_fullStr | Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления |
| title_full_unstemmed | Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления |
| title_short | Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления |
| title_sort | получение периодических слоев gaas методом электрохимического травления |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108493 |
| work_keys_str_mv | AT dâdenčukaf polučenieperiodičeskihsloevgaasmetodomélektrohimičeskogotravleniâ AT kidalovvv polučenieperiodičeskihsloevgaasmetodomélektrohimičeskogotravleniâ AT dâdenčukaf otrimannâperíodičnihšarívgaasmetodomelektrohímíčnogotravlennâ AT kidalovvv otrimannâperíodičnihšarívgaasmetodomelektrohímíčnogotravlennâ AT dâdenčukaf obtainingperiodiclayersgaasbyelectrochemicaletching AT kidalovvv obtainingperiodiclayersgaasbyelectrochemicaletching |