Cover Image

Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления

В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе. У даній роботі методом анодного електрохімічного травлі...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2014
Main Authors: Дяденчук, А.Ф., Кидалов, В.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108493
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления / А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 484-486. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items