Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте,...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108496 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках / Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 510-514. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862704051712425984 |
|---|---|
| author | Гулямов, Г. Дадамирзаев, М.Г. |
| author_facet | Гулямов, Г. Дадамирзаев, М.Г. |
| citation_txt | Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках / Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 510-514. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте, так и по ширине. Вследствие этого изменяются концентрации электронов. При увеличении частоты деформации уменьшается фазовая траектория. Вследствие этого уменьшается изменение концентрации электронов.
Показано вплив амплітуди і частоти деформації на площі фазових траєкторій у двовимірному (ne-ε) просторі. Розміри фазових траєкторій сильно залежать від амплітуди і частоти деформації прикладеної до зразка. При зменшенні амплітуди деформації розміри фазових траєкторій зменшуються як за висотою, так і за шириною. Внаслідок цього змінюються концентрації електронів. При збільшенні частоти деформації зменшується фазова траєкторія. Внаслідок цього зменшується змінювання концентрації електронів.
Shows the influence of the amplitude and frequency of the strain on the area of the phase trajectories in the two-dimensional (ne-ε) space. The dimensions of the phase trajectory is strongly dependent on the amplitude and frequency of the strain applied to the sample. With decreasing strain amplitude dimensions of the phase trajectories is reduced both in height and width. Due to the change of the electron concentration. By increasing the frequency of deformation decreases the phase trajectory. Because of this change in the electron density decreases.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:49:59Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108496 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:49:59Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гулямов, Г. Дадамирзаев, М.Г. 2016-11-05T21:34:29Z 2016-11-05T21:34:29Z 2014 Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках / Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 510-514. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108496 621.362.1 Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте, так и по ширине. Вследствие этого изменяются концентрации электронов. При увеличении частоты деформации уменьшается фазовая траектория. Вследствие этого уменьшается изменение концентрации электронов. Показано вплив амплітуди і частоти деформації на площі фазових траєкторій у двовимірному (ne-ε) просторі. Розміри фазових траєкторій сильно залежать від амплітуди і частоти деформації прикладеної до зразка. При зменшенні амплітуди деформації розміри фазових траєкторій зменшуються як за висотою, так і за шириною. Внаслідок цього змінюються концентрації електронів. При збільшенні частоти деформації зменшується фазова траєкторія. Внаслідок цього зменшується змінювання концентрації електронів. Shows the influence of the amplitude and frequency of the strain on the area of the phase trajectories in the two-dimensional (ne-ε) space. The dimensions of the phase trajectory is strongly dependent on the amplitude and frequency of the strain applied to the sample. With decreasing strain amplitude dimensions of the phase trajectories is reduced both in height and width. Due to the change of the electron concentration. By increasing the frequency of deformation decreases the phase trajectory. Because of this change in the electron density decreases. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках Залежності змінювання концентрації надлишкових електронів (Δn) від змінної деформації (ε) у напівпровідниках The dependence of the concentration of excess electrons (Δn) from variable strain (ε) in semiconductors Article published earlier |
| spellingShingle | Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках Гулямов, Г. Дадамирзаев, М.Г. |
| title | Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках |
| title_alt | Залежності змінювання концентрації надлишкових електронів (Δn) від змінної деформації (ε) у напівпровідниках The dependence of the concentration of excess electrons (Δn) from variable strain (ε) in semiconductors |
| title_full | Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках |
| title_fullStr | Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках |
| title_full_unstemmed | Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках |
| title_short | Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках |
| title_sort | зависимости изменения концентрации избыточных электронов (δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108496 |
| work_keys_str_mv | AT gulâmovg zavisimostiizmeneniâkoncentraciiizbytočnyhélektronovδnotperemennoideformaciiεvpoluprovodnikah AT dadamirzaevmg zavisimostiizmeneniâkoncentraciiizbytočnyhélektronovδnotperemennoideformaciiεvpoluprovodnikah AT gulâmovg zaležnostízmínûvannâkoncentracíínadliškovihelektronívδnvídzmínnoídeformacííεunapívprovídnikah AT dadamirzaevmg zaležnostízmínûvannâkoncentracíínadliškovihelektronívδnvídzmínnoídeformacííεunapívprovídnikah AT gulâmovg thedependenceoftheconcentrationofexcesselectronsδnfromvariablestrainεinsemiconductors AT dadamirzaevmg thedependenceoftheconcentrationofexcesselectronsδnfromvariablestrainεinsemiconductors |