Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках

Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте,...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2014
Hauptverfasser: Гулямов, Г., Дадамирзаев, М.Г.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108496
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках / Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 510-514. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108496
record_format dspace
spelling Гулямов, Г.
Дадамирзаев, М.Г.
2016-11-05T21:34:29Z
2016-11-05T21:34:29Z
2014
Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках / Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 510-514. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108496
621.362.1
Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте, так и по ширине. Вследствие этого изменяются концентрации электронов. При увеличении частоты деформации уменьшается фазовая траектория. Вследствие этого уменьшается изменение концентрации электронов.
Показано вплив амплітуди і частоти деформації на площі фазових траєкторій у двовимірному (ne-ε) просторі. Розміри фазових траєкторій сильно залежать від амплітуди і частоти деформації прикладеної до зразка. При зменшенні амплітуди деформації розміри фазових траєкторій зменшуються як за висотою, так і за шириною. Внаслідок цього змінюються концентрації електронів. При збільшенні частоти деформації зменшується фазова траєкторія. Внаслідок цього зменшується змінювання концентрації електронів.
Shows the influence of the amplitude and frequency of the strain on the area of the phase trajectories in the two-dimensional (ne-ε) space. The dimensions of the phase trajectory is strongly dependent on the amplitude and frequency of the strain applied to the sample. With decreasing strain amplitude dimensions of the phase trajectories is reduced both in height and width. Due to the change of the electron concentration. By increasing the frequency of deformation decreases the phase trajectory. Because of this change in the electron density decreases.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
Залежності змінювання концентрації надлишкових електронів (Δn) від змінної деформації (ε) у напівпровідниках
The dependence of the concentration of excess electrons (Δn) from variable strain (ε) in semiconductors
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
spellingShingle Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
Гулямов, Г.
Дадамирзаев, М.Г.
title_short Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
title_full Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
title_fullStr Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
title_full_unstemmed Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
title_sort зависимости изменения концентрации избыточных электронов (δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
author Гулямов, Г.
Дадамирзаев, М.Г.
author_facet Гулямов, Г.
Дадамирзаев, М.Г.
publishDate 2014
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Залежності змінювання концентрації надлишкових електронів (Δn) від змінної деформації (ε) у напівпровідниках
The dependence of the concentration of excess electrons (Δn) from variable strain (ε) in semiconductors
description Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте, так и по ширине. Вследствие этого изменяются концентрации электронов. При увеличении частоты деформации уменьшается фазовая траектория. Вследствие этого уменьшается изменение концентрации электронов. Показано вплив амплітуди і частоти деформації на площі фазових траєкторій у двовимірному (ne-ε) просторі. Розміри фазових траєкторій сильно залежать від амплітуди і частоти деформації прикладеної до зразка. При зменшенні амплітуди деформації розміри фазових траєкторій зменшуються як за висотою, так і за шириною. Внаслідок цього змінюються концентрації електронів. При збільшенні частоти деформації зменшується фазова траєкторія. Внаслідок цього зменшується змінювання концентрації електронів. Shows the influence of the amplitude and frequency of the strain on the area of the phase trajectories in the two-dimensional (ne-ε) space. The dimensions of the phase trajectory is strongly dependent on the amplitude and frequency of the strain applied to the sample. With decreasing strain amplitude dimensions of the phase trajectories is reduced both in height and width. Due to the change of the electron concentration. By increasing the frequency of deformation decreases the phase trajectory. Because of this change in the electron density decreases.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108496
citation_txt Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках / Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 510-514. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT gulâmovg zavisimostiizmeneniâkoncentraciiizbytočnyhélektronovδnotperemennoideformaciiεvpoluprovodnikah
AT dadamirzaevmg zavisimostiizmeneniâkoncentraciiizbytočnyhélektronovδnotperemennoideformaciiεvpoluprovodnikah
AT gulâmovg zaležnostízmínûvannâkoncentracíínadliškovihelektronívδnvídzmínnoídeformacííεunapívprovídnikah
AT dadamirzaevmg zaležnostízmínûvannâkoncentracíínadliškovihelektronívδnvídzmínnoídeformacííεunapívprovídnikah
AT gulâmovg thedependenceoftheconcentrationofexcesselectronsδnfromvariablestrainεinsemiconductors
AT dadamirzaevmg thedependenceoftheconcentrationofexcesselectronsδnfromvariablestrainεinsemiconductors
first_indexed 2025-12-07T16:49:59Z
last_indexed 2025-12-07T16:49:59Z
_version_ 1850868969700851712