Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2014
• 1. Verfasser: Сичікова, Я.О.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
• Schlagworte: В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу.
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108497
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.

В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа. In this paper the technological fundamentals of low-dimensional structures on the surface of indium phosphide presents variations apparatus for producing porous layers on the surface of indium phosphide n-and p-type. Porous surface is formed by anodic electrolytic etching.