Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію
В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа. In this paper the technological fundamentals of low-dimensional structures on the...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108497 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108497 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Сичікова, Я.О. 2016-11-05T21:36:26Z 2016-11-05T21:36:26Z 2014 Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108497 539.217; 544.723 В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа. In this paper the technological fundamentals of low-dimensional structures on the surface of indium phosphide presents variations apparatus for producing porous layers on the surface of indium phosphide n-and p-type. Porous surface is formed by anodic electrolytic etching. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу. Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію Технологические основы формирования пористого пространства на поверхности фосфида индия Technological bases forming porous space surface phosphide indium Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію |
| spellingShingle |
Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію Сичікова, Я.О. В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу. |
| title_short |
Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію |
| title_full |
Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію |
| title_fullStr |
Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію |
| title_full_unstemmed |
Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію |
| title_sort |
технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію |
| author |
Сичікова, Я.О. |
| author_facet |
Сичікова, Я.О. |
| topic |
В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу. |
| topic_facet |
В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу. |
| publishDate |
2014 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Технологические основы формирования пористого пространства на поверхности фосфида индия Technological bases forming porous space surface phosphide indium |
| description |
В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа.
In this paper the technological fundamentals of low-dimensional structures on the surface of indium phosphide presents variations apparatus for producing porous layers on the surface of indium phosphide n-and p-type. Porous surface is formed by anodic electrolytic etching.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108497 |
| citation_txt |
Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT sičíkovaâo tehnologíčnízasadiformuvannâporuvatogoprostorunapoverhnífosfíduíndíû AT sičíkovaâo tehnologičeskieosnovyformirovaniâporistogoprostranstvanapoverhnostifosfidaindiâ AT sičíkovaâo technologicalbasesformingporousspacesurfacephosphideindium |
| first_indexed |
2025-12-07T21:03:29Z |
| last_indexed |
2025-12-07T21:03:29Z |
| _version_ |
1850884918339436544 |