Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію
В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа. In this paper the technological fundamentals of low-dimensional structures on the...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108497 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862750091810439168 |
|---|---|
| author | Сичікова, Я.О. |
| author_facet | Сичікова, Я.О. |
| citation_txt | Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа.
In this paper the technological fundamentals of low-dimensional structures on the surface of indium phosphide presents variations apparatus for producing porous layers on the surface of indium phosphide n-and p-type. Porous surface is formed by anodic electrolytic etching.
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:03:29Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108497 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T21:03:29Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сичікова, Я.О. 2016-11-05T21:36:26Z 2016-11-05T21:36:26Z 2014 Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108497 539.217; 544.723 В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа. In this paper the technological fundamentals of low-dimensional structures on the surface of indium phosphide presents variations apparatus for producing porous layers on the surface of indium phosphide n-and p-type. Porous surface is formed by anodic electrolytic etching. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу. Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію Технологические основы формирования пористого пространства на поверхности фосфида индия Technological bases forming porous space surface phosphide indium Article published earlier |
| spellingShingle | Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію Сичікова, Я.О. В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу. |
| title | Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію |
| title_alt | Технологические основы формирования пористого пространства на поверхности фосфида индия Technological bases forming porous space surface phosphide indium |
| title_full | Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію |
| title_fullStr | Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію |
| title_full_unstemmed | Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію |
| title_short | Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію |
| title_sort | технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію |
| topic | В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу. |
| topic_facet | В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу. |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108497 |
| work_keys_str_mv | AT sičíkovaâo tehnologíčnízasadiformuvannâporuvatogoprostorunapoverhnífosfíduíndíû AT sičíkovaâo tehnologičeskieosnovyformirovaniâporistogoprostranstvanapoverhnostifosfidaindiâ AT sičíkovaâo technologicalbasesformingporousspacesurfacephosphideindium |