Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал
Представлені результати комплексних досліджень механізмів зародження і процесів росту, топології поверхні наноструктур у парофазних конденсатах легованого вісмутом плюмбум телуриду PbTe:Bi, вирощених за різних технологічних факторів: температури випарування наважки ТВ = (920—1020) К, температури оса...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108498 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал / Д.М. Фреїк, І.С. Биліна, Л.Й. Межиловська, Р.В. Уманців, В.В. Михайлюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 522-534. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Представлені результати комплексних досліджень механізмів зародження і процесів росту, топології поверхні наноструктур у парофазних конденсатах легованого вісмутом плюмбум телуриду PbTe:Bi, вирощених за різних технологічних факторів: температури випарування наважки ТВ = (920—1020) К, температури осадження (підкладки) ТП = (420—520) К, часу осадження τ = (3—120) c на полікристалічному ситалі.
Представлены результаты комплексных исследований механизмов зарождения и процессов роста, топологии поверхности наноструктур в парофазных конденсатах легированного висмутом теллурида свинца PbTe:Bi, выращенных при различных технологических факторов: температуры испарения навески ТВ = (920—1020) К, температуры осаждения (подложки) ТП = (420—520) К, времени осаждения τ = (3—120) c на поликристаллическом ситалле.
Presented the results of comprehensive research the mechanism of nucleation and growth processes, surface topology in nanostructures doped bismuth vapor-phase condensates Lead Telluride PbTe:Bi, grown on various technological factors: temperature sample vaporation TV = (920—1020) K, deposition temperature (substrate) TS = (420—520) К, deposition time τ = (3—120) s on polycrystalline ceramics.
Робота виконана згідно наукових проектів відділу публічної дипломатії НАТО програми «Наука заради миру» (NUKR, SEPP 984536), та МОН України (Державний реєстраційний номер 0113U000185).
|
|---|---|
| ISSN: | 1999-8074 |