Аномалии электронных свойств интерфейса ВТСП–металл в интервале температур 300…4,2 К
Установлено, что температурная зависимость электросопротивления rС интерфейса между керамикой BiSrPbCaCuO (ВТСП⁺) и Pb (Ме⁻) имеет в области нормальной проводимости особенности, которые в рамках представлений о локальных парах можно интерпретировать как указания на: 1) открытие псевдощелей присутств...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108623 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Аномалии электронных свойств интерфейса ВТСП–металл в интервале температур 300…4,2 к / Е.В. Карасева, В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 2. — С. 144-149. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108623 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Карасева, Е.В. Соколенко, В.И. Фролов, В.А. 2016-11-12T13:17:50Z 2016-11-12T13:17:50Z 2012 Аномалии электронных свойств интерфейса ВТСП–металл в интервале температур 300…4,2 к / Е.В. Карасева, В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 2. — С. 144-149. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108623 537.312.62; 538.945 Установлено, что температурная зависимость электросопротивления rС интерфейса между керамикой BiSrPbCaCuO (ВТСП⁺) и Pb (Ме⁻) имеет в области нормальной проводимости особенности, которые в рамках представлений о локальных парах можно интерпретировать как указания на: 1) открытие псевдощелей присутствующих в образце фаз (Т*₂₂₁₂≈193 К и Т*₂₂₂₃≈155 К); 2) распад локальных пар (Т≈130 К); 3) начало флуктуационного куперовского спаривания (ТСf≈119 К). Ниже ТС характер зависимости rС(Т) изменяется с металлического на полупроводниковый, с чем коррелирует изменение характера скорости ползучести dε/dt(Т) в условиях осевого сжатия. Факт корреляции объемной и поверхностной характеристик свидетельствует в пользу скейлингового соответствия электронных конфигураций (ЭК) интерфейса ВТСП⁺ −Ме− и массива ВТСП⁺. Встановлено, що температурна залежність електроопору rС інтерфейсу між керамікою BiSrPbCaCuО і Pb має в області нормальної провідності особливості, які в рамках подань про локальні пари можна інтерпретувати, як вказівки на: 1) відкриття псевдощілин присутніх у зразку фаз (Т*₂₂₁₂≈193 К и Т*₂₂₂₃≈155 К); 2) розпад локальних пар (Т ≈ 130 К); 3) початок флуктуаційного куперівського парування (ТСf ≈ 119 К). Нижче ТС характер залежності rС(Т) змінюється з металевого на напівпровідниковий, із чим корелює зміна характеру швидкості повзучості dε/dt(Т) в умовах осьового тиску. Факт кореляції об'ємної й поверхневої характеристик свідчить на користь скейлінгової відповідності електронних конфігурацій інтерфейсу ВТСП⁺–Ме⁻ і масиву ВТНП⁺. It is established that temperature dependence of electroresistance rС of the interface between ceramics BiSrPbCaCuO and Pb has in normal state the features which in framework about of local pairs representations it is possible to interpret as indications on: 1) pseudogap regime opening of the phases sample (Т*₂₂₁₂≈193 К и Т*₂₂₂₃≈155 К); 2) local pairs disintegration (Т ≈ 130 К) and 3) fluctuation Cooper’s pairing beginning (ТСf ≈ 119 К). The dependence rС(Т) character changes from metallic to semiconducting below TC what correlates to change of creep speed dε/dt(Т) character in conditions of axial compression. The fact of volumetric and superficial characteristics correlations testifies for benefit of scaling conformity of electronic configurations of interface HTSC⁺–Ме⁻ and of massif HTSC⁺. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Аномалии электронных свойств интерфейса ВТСП–металл в интервале температур 300…4,2 К Аномалії електронних властивостей інтерфейсу ВТНП-метал в інтервалі температур 300…4,2 К Anomalies of electronics relationships of HTSC-metal in temperature interval 300…4,2 K Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Аномалии электронных свойств интерфейса ВТСП–металл в интервале температур 300…4,2 К |
| spellingShingle |
Аномалии электронных свойств интерфейса ВТСП–металл в интервале температур 300…4,2 К Карасева, Е.В. Соколенко, В.И. Фролов, В.А. |
| title_short |
Аномалии электронных свойств интерфейса ВТСП–металл в интервале температур 300…4,2 К |
| title_full |
Аномалии электронных свойств интерфейса ВТСП–металл в интервале температур 300…4,2 К |
| title_fullStr |
Аномалии электронных свойств интерфейса ВТСП–металл в интервале температур 300…4,2 К |
| title_full_unstemmed |
Аномалии электронных свойств интерфейса ВТСП–металл в интервале температур 300…4,2 К |
| title_sort |
аномалии электронных свойств интерфейса втсп–металл в интервале температур 300…4,2 к |
| author |
Карасева, Е.В. Соколенко, В.И. Фролов, В.А. |
| author_facet |
Карасева, Е.В. Соколенко, В.И. Фролов, В.А. |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Аномалії електронних властивостей інтерфейсу ВТНП-метал в інтервалі температур 300…4,2 К Anomalies of electronics relationships of HTSC-metal in temperature interval 300…4,2 K |
| description |
Установлено, что температурная зависимость электросопротивления rС интерфейса между керамикой BiSrPbCaCuO (ВТСП⁺) и Pb (Ме⁻) имеет в области нормальной проводимости особенности, которые в рамках представлений о локальных парах можно интерпретировать как указания на: 1) открытие псевдощелей присутствующих в образце фаз (Т*₂₂₁₂≈193 К и Т*₂₂₂₃≈155 К); 2) распад локальных пар (Т≈130 К); 3) начало флуктуационного куперовского спаривания (ТСf≈119 К). Ниже ТС характер зависимости rС(Т) изменяется с металлического на полупроводниковый, с чем коррелирует изменение характера скорости ползучести dε/dt(Т) в условиях осевого сжатия. Факт корреляции объемной и поверхностной характеристик свидетельствует в пользу скейлингового соответствия электронных конфигураций (ЭК) интерфейса ВТСП⁺ −Ме− и массива ВТСП⁺.
Встановлено, що температурна залежність електроопору rС інтерфейсу між керамікою BiSrPbCaCuО і Pb має в області нормальної провідності особливості, які в рамках подань про локальні пари можна інтерпретувати, як вказівки на: 1) відкриття псевдощілин присутніх у зразку фаз (Т*₂₂₁₂≈193 К и Т*₂₂₂₃≈155 К); 2) розпад локальних пар (Т ≈ 130 К); 3) початок флуктуаційного куперівського парування (ТСf ≈ 119 К). Нижче ТС характер залежності rС(Т) змінюється з металевого на напівпровідниковий, із чим корелює зміна характеру швидкості повзучості dε/dt(Т) в умовах осьового тиску. Факт кореляції об'ємної й поверхневої характеристик свідчить на користь скейлінгової відповідності електронних конфігурацій інтерфейсу ВТСП⁺–Ме⁻ і масиву ВТНП⁺.
It is established that temperature dependence of electroresistance rС of the interface between ceramics BiSrPbCaCuO and Pb has in normal state the features which in framework about of local pairs representations it is possible to interpret as indications on: 1) pseudogap regime opening of the phases sample (Т*₂₂₁₂≈193 К и Т*₂₂₂₃≈155 К); 2) local pairs disintegration (Т ≈ 130 К) and 3) fluctuation Cooper’s pairing beginning (ТСf ≈ 119 К). The dependence rС(Т) character changes from metallic to semiconducting below TC what correlates to change of creep speed dε/dt(Т) character in conditions of axial compression. The fact of volumetric and superficial characteristics correlations testifies for benefit of scaling conformity of electronic configurations of interface HTSC⁺–Ме⁻ and of massif HTSC⁺.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108623 |
| citation_txt |
Аномалии электронных свойств интерфейса ВТСП–металл в интервале температур 300…4,2 к / Е.В. Карасева, В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 2. — С. 144-149. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT karasevaev anomaliiélektronnyhsvoistvinterfeisavtspmetallvintervaletemperatur30042k AT sokolenkovi anomaliiélektronnyhsvoistvinterfeisavtspmetallvintervaletemperatur30042k AT frolovva anomaliiélektronnyhsvoistvinterfeisavtspmetallvintervaletemperatur30042k AT karasevaev anomalííelektronnihvlastivosteiínterfeisuvtnpmetalvíntervalítemperatur30042k AT sokolenkovi anomalííelektronnihvlastivosteiínterfeisuvtnpmetalvíntervalítemperatur30042k AT frolovva anomalííelektronnihvlastivosteiínterfeisuvtnpmetalvíntervalítemperatur30042k AT karasevaev anomaliesofelectronicsrelationshipsofhtscmetalintemperatureinterval30042k AT sokolenkovi anomaliesofelectronicsrelationshipsofhtscmetalintemperatureinterval30042k AT frolovva anomaliesofelectronicsrelationshipsofhtscmetalintemperatureinterval30042k |
| first_indexed |
2025-12-07T16:26:57Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:26:57Z |
| _version_ |
1850867520237469697 |