Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2015
• Main Authors: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Каманов, Б.М., Джураев, Д.Р., Тураев, А.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108637
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Д.Р. Джураев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 12-16. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

В полевом транзисторе с динамической нагрузкой в двухполюсном режиме включения, когда электрическое поле подается на переход сток-затвор (исток соединен к затвору) можно получить на два порядка больший коэффициент усиления в отличие от известной схемы с общим истоком. Чем ближе рабочая точка к режиму отсечки канала, тем выше коэффициент усиления по напряжению. У польовому транзисторі з динамічним навантаженням у двополюсному режимі включення, коли електричне поле подається на перехід стік-затвор (витік з’єднаний до затвору) можна отримати на два порядки вищий коефіцієнт посилення на відміну від відомої схеми із загальним витоком. Чим ближче робоча точка до режиму відсічення каналу, тим вище коефіцієнт посилення за напругою. In the field-effect transistor with dynamic load at bipolar connection mode, when an electric field is applied to the drain-gate junction (source connected to the gate) can be obtained two orders of magnitude higher gain in contrast to the known circuit with a common source. The closer the operating point to the pinch-off of the channel, the higher the voltage gain.