Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
В полевом транзисторе с динамической нагрузкой в двухполюсном режиме включения, когда электрическое поле подается на переход сток-затвор (исток соединен к затвору) можно получить на два порядка больший коэффициент усиления в отличие от известной схемы с общим истоком. Чем ближе рабочая точка к режим...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108637 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Д.Р. Джураев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 12-16. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862606272440827904 |
|---|---|
| author | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Каманов, Б.М. Джураев, Д.Р. Тураев, А.А. |
| author_facet | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Каманов, Б.М. Джураев, Д.Р. Тураев, А.А. |
| citation_txt | Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Д.Р. Джураев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 12-16. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В полевом транзисторе с динамической нагрузкой в двухполюсном режиме включения, когда электрическое поле подается на переход сток-затвор (исток соединен к затвору) можно получить на два порядка больший коэффициент усиления в отличие от известной схемы с общим истоком. Чем ближе рабочая точка к режиму отсечки канала, тем выше коэффициент усиления по напряжению.
У польовому транзисторі з динамічним навантаженням у двополюсному режимі включення, коли електричне поле подається на перехід стік-затвор (витік з’єднаний до затвору) можна отримати на два порядки вищий коефіцієнт посилення на відміну від відомої схеми із загальним витоком. Чим ближче робоча точка до режиму відсічення каналу, тим вище коефіцієнт посилення за напругою.
In the field-effect transistor with dynamic load at bipolar connection mode, when an electric field is applied to the drain-gate junction (source connected to the gate) can be obtained two orders of magnitude higher gain in contrast to the known circuit with a common source. The closer the operating point to the pinch-off of the channel, the higher the voltage gain.
|
| first_indexed | 2025-11-28T13:22:46Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108637 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-28T13:22:46Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Каманов, Б.М. Джураев, Д.Р. Тураев, А.А. 2016-11-12T15:21:17Z 2016-11-12T15:21:17Z 2015 Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Д.Р. Джураев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 12-16. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108637 621.383.52:535.243 В полевом транзисторе с динамической нагрузкой в двухполюсном режиме включения, когда электрическое поле подается на переход сток-затвор (исток соединен к затвору) можно получить на два порядка больший коэффициент усиления в отличие от известной схемы с общим истоком. Чем ближе рабочая точка к режиму отсечки канала, тем выше коэффициент усиления по напряжению. У польовому транзисторі з динамічним навантаженням у двополюсному режимі включення, коли електричне поле подається на перехід стік-затвор (витік з’єднаний до затвору) можна отримати на два порядки вищий коефіцієнт посилення на відміну від відомої схеми із загальним витоком. Чим ближче робоча точка до режиму відсічення каналу, тим вище коефіцієнт посилення за напругою. In the field-effect transistor with dynamic load at bipolar connection mode, when an electric field is applied to the drain-gate junction (source connected to the gate) can be obtained two orders of magnitude higher gain in contrast to the known circuit with a common source. The closer the operating point to the pinch-off of the channel, the higher the voltage gain. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой Особливості підсилюючих властивостей польового транзистора в схемі з динамічними навантаженнями Features amplifying properties of a field effect transistor in the circuit with dynamic load Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Каманов, Б.М. Джураев, Д.Р. Тураев, А.А. |
| title | Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой |
| title_alt | Особливості підсилюючих властивостей польового транзистора в схемі з динамічними навантаженнями Features amplifying properties of a field effect transistor in the circuit with dynamic load |
| title_full | Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой |
| title_fullStr | Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой |
| title_full_unstemmed | Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой |
| title_short | Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой |
| title_sort | особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108637 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav osobennostiusilitelʹnyhsvoistvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskoinagruzkoi AT edgorovadm osobennostiusilitelʹnyhsvoistvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskoinagruzkoi AT kamanovbm osobennostiusilitelʹnyhsvoistvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskoinagruzkoi AT džuraevdr osobennostiusilitelʹnyhsvoistvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskoinagruzkoi AT turaevaa osobennostiusilitelʹnyhsvoistvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskoinagruzkoi AT karimovav osoblivostípídsilûûčihvlastivosteipolʹovogotranzistoravshemízdinamíčniminavantažennâmi AT edgorovadm osoblivostípídsilûûčihvlastivosteipolʹovogotranzistoravshemízdinamíčniminavantažennâmi AT kamanovbm osoblivostípídsilûûčihvlastivosteipolʹovogotranzistoravshemízdinamíčniminavantažennâmi AT džuraevdr osoblivostípídsilûûčihvlastivosteipolʹovogotranzistoravshemízdinamíčniminavantažennâmi AT turaevaa osoblivostípídsilûûčihvlastivosteipolʹovogotranzistoravshemízdinamíčniminavantažennâmi AT karimovav featuresamplifyingpropertiesofafieldeffecttransistorinthecircuitwithdynamicload AT edgorovadm featuresamplifyingpropertiesofafieldeffecttransistorinthecircuitwithdynamicload AT kamanovbm featuresamplifyingpropertiesofafieldeffecttransistorinthecircuitwithdynamicload AT džuraevdr featuresamplifyingpropertiesofafieldeffecttransistorinthecircuitwithdynamicload AT turaevaa featuresamplifyingpropertiesofafieldeffecttransistorinthecircuitwithdynamicload |