Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой

Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой

В полевом транзисторе с динамической нагрузкой в двухполюсном режиме включения, когда электрическое поле подается на переход сток-затвор (исток соединен к затвору) можно получить на два порядка больший коэффициент усиления в отличие от известной схемы с общим истоком. Чем ближе рабочая точка к режим...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2015
Hauptverfasser: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Каманов, Б.М., Джураев, Д.Р., Тураев, А.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108637
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Д.Р. Джураев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 12-16. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-108637
record_format dspace
spelling Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Каманов, Б.М.
Джураев, Д.Р.
Тураев, А.А.
2016-11-12T15:21:17Z
2016-11-12T15:21:17Z
2015
Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Д.Р. Джураев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 12-16. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108637
621.383.52:535.243
В полевом транзисторе с динамической нагрузкой в двухполюсном режиме включения, когда электрическое поле подается на переход сток-затвор (исток соединен к затвору) можно получить на два порядка больший коэффициент усиления в отличие от известной схемы с общим истоком. Чем ближе рабочая точка к режиму отсечки канала, тем выше коэффициент усиления по напряжению.
У польовому транзисторі з динамічним навантаженням у двополюсному режимі включення, коли електричне поле подається на перехід стік-затвор (витік з’єднаний до затвору) можна отримати на два порядки вищий коефіцієнт посилення на відміну від відомої схеми із загальним витоком. Чим ближче робоча точка до режиму відсічення каналу, тим вище коефіцієнт посилення за напругою.
In the field-effect transistor with dynamic load at bipolar connection mode, when an electric field is applied to the drain-gate junction (source connected to the gate) can be obtained two orders of magnitude higher gain in contrast to the known circuit with a common source. The closer the operating point to the pinch-off of the channel, the higher the voltage gain.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
Особливості підсилюючих властивостей польового транзистора в схемі з динамічними навантаженнями
Features amplifying properties of a field effect transistor in the circuit with dynamic load
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
spellingShingle Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Каманов, Б.М.
Джураев, Д.Р.
Тураев, А.А.
title_short Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
title_full Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
title_fullStr Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
title_full_unstemmed Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
title_sort особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
author Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Каманов, Б.М.
Джураев, Д.Р.
Тураев, А.А.
author_facet Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Каманов, Б.М.
Джураев, Д.Р.
Тураев, А.А.
publishDate 2015
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Особливості підсилюючих властивостей польового транзистора в схемі з динамічними навантаженнями
Features amplifying properties of a field effect transistor in the circuit with dynamic load
description В полевом транзисторе с динамической нагрузкой в двухполюсном режиме включения, когда электрическое поле подается на переход сток-затвор (исток соединен к затвору) можно получить на два порядка больший коэффициент усиления в отличие от известной схемы с общим истоком. Чем ближе рабочая точка к режиму отсечки канала, тем выше коэффициент усиления по напряжению. У польовому транзисторі з динамічним навантаженням у двополюсному режимі включення, коли електричне поле подається на перехід стік-затвор (витік з’єднаний до затвору) можна отримати на два порядки вищий коефіцієнт посилення на відміну від відомої схеми із загальним витоком. Чим ближче робоча точка до режиму відсічення каналу, тим вище коефіцієнт посилення за напругою. In the field-effect transistor with dynamic load at bipolar connection mode, when an electric field is applied to the drain-gate junction (source connected to the gate) can be obtained two orders of magnitude higher gain in contrast to the known circuit with a common source. The closer the operating point to the pinch-off of the channel, the higher the voltage gain.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108637
citation_txt Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Д.Р. Джураев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 12-16. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT karimovav osobennostiusilitelʹnyhsvoistvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskoinagruzkoi
AT edgorovadm osobennostiusilitelʹnyhsvoistvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskoinagruzkoi
AT kamanovbm osobennostiusilitelʹnyhsvoistvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskoinagruzkoi
AT džuraevdr osobennostiusilitelʹnyhsvoistvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskoinagruzkoi
AT turaevaa osobennostiusilitelʹnyhsvoistvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskoinagruzkoi
AT karimovav osoblivostípídsilûûčihvlastivosteipolʹovogotranzistoravshemízdinamíčniminavantažennâmi
AT edgorovadm osoblivostípídsilûûčihvlastivosteipolʹovogotranzistoravshemízdinamíčniminavantažennâmi
AT kamanovbm osoblivostípídsilûûčihvlastivosteipolʹovogotranzistoravshemízdinamíčniminavantažennâmi
AT džuraevdr osoblivostípídsilûûčihvlastivosteipolʹovogotranzistoravshemízdinamíčniminavantažennâmi
AT turaevaa osoblivostípídsilûûčihvlastivosteipolʹovogotranzistoravshemízdinamíčniminavantažennâmi
AT karimovav featuresamplifyingpropertiesofafieldeffecttransistorinthecircuitwithdynamicload
AT edgorovadm featuresamplifyingpropertiesofafieldeffecttransistorinthecircuitwithdynamicload
AT kamanovbm featuresamplifyingpropertiesofafieldeffecttransistorinthecircuitwithdynamicload
AT džuraevdr featuresamplifyingpropertiesofafieldeffecttransistorinthecircuitwithdynamicload
AT turaevaa featuresamplifyingpropertiesofafieldeffecttransistorinthecircuitwithdynamicload
first_indexed 2025-11-28T13:22:46Z
last_indexed 2025-11-28T13:22:46Z
_version_ 1850853727864356864

Ähnliche Einträge